S-파라메타를 이용한 절연 변압기의 고주파 파라메타 추출

김성준(Sung-Jun Kim),류수정(Soo-Jung Ryu),김태호(Tae-Ho Kim),김종현(Jong-Hyeon Kim),나완수(Wan-Soo Nah) 한국전자파학회 2014 한국전자파학회논문지 Vol.25 No.3

본 논문에서는 S-파라메타를 이용한 절연 변압기의 고주파 파라메타 추출 방법을 제안한다. 정상상태에서 회로상수추출은 고전적 방법인 무 부하, 단락 회로 시험을 통해 나온 측정값을 계산하여 추출하는 방법이 있으며, 본 논문에서는 VNA(Vector Network Analyzer)로 측정한 S-파라메타를 이용하여 추출하는 방법에 대한 연구를 수행하였다. 상용주파수인60 Hz를 포함한 고주파 대역에서의 변압기 회로상수는 측정한 S-파라메타에 데이터 피팅(최적화) 방식을 이용하여 추출하였다. 기본적으로 절연변압기에서의 고주파 파라메타 추출은 기존에 제시하는 변압기 등가 회로에 표유정전용량(Stray capacitance)을 추가한 등가회로 형태로 제시된다. 이렇게 추출한 회로상수의 S-파라메타와 실제 측정한 S-파라메타 결과를 비교하여 유사함을 확인하였고, 변압기의 1차 측에 신호발생기를 입력한 후, 출력되는 2차 측의 전압과 고주파 등가회로를 이용하여 추출한 2차 측 전압을 비교하여 두 값이 일치하는 것을 확인하였다. 이 결과를 통해 S-파라메타를 이용한 절연 변압기의 고주파 파라메타 추출 방법의 타당성을 입증하였다. In this paper, we suggest a method of extracting circuit parameters of the insulating transformer using S-parameter measurement, especially in high frequency range. At 60 Hz, conventionally, no load test and short circuit test are used to extract the circuit parameters. In this paper S-parameters measured from VNA(Vector Network Analyzer) were used to extract the transformer parameters using data fitting method (optimization). The S-parameters from the equivalent circuit using the extracted parameters showed good agreement with those from measurement. Furthermore, the transformer secondary voltages from the equivalent circuit model also coincide quite exactly to the measured secondary voltages in sinusoidal forms. Finally we assert that the proposed method to extract the parameters for the insulating transformer using S-parameter is valid especially in high frequency.

Modeling and simulation of HTS cables for scattering parameter analysis

Bang, S.S.,Lee, G.S.,Kwon, G.Y.,Lee, Y.H.,Chang, S.J.,Lee, C.K.,Sohn, S.,Park, K.,Shin, Y.J. North-Holland 2016 Physica. C, Superconductivity Vol.530 No.-

<P>Most of modeling and simulation of high temperature superconducting (HTS) cables are inadequate for high frequency analysis since focus of the simulation's frequency is fundamental frequency of the power grid, which does not reflect transient characteristic. However, high frequency analysis is essential process to research the HTS cables transient for protection and diagnosis of the HTS cables. Thus, this paper proposes a new approach for modeling and simulation of HTS cables to derive the scattering parameter (S-parameter), an effective high frequency analysis, for transient wave propagation characteristics in high frequency range. The parameters sweeping method is used to validate the simulation results to the measured data given by a network analyzer (NA). This paper also presents the effects of the cable-to-NA connector in order to minimize the error between the simulated and the measured data under ambient and superconductive conditions. Based on the proposed modeling and simulation technique, S-parameters of long-distance HTS cables can be accurately derived in wide range of frequency. The results of proposed modeling and simulation can yield the characteristics of the HTS cables and will contribute to analyze the HTS cables. (C) 2016 Elsevier B.V. All rights reserved.</P>

Multi-Finger MOSFET의 바이어스 종속 S<SUB>11</SUB>-파라미터 분석

안자현(Jahyun Ahn),이성현(Seonghearn Lee) 대한전자공학회 2016 전자공학회논문지 Vol.53 No.12

매우 큰 사이즈를 가진 multi-finger RF MOSFET의 S11-parameter에서 스미스차트의 저항 circle 라인을 벗어나는 kink 현상의 게이트 바이어스 종속 특성이 관찰되었다. 이러한 바이어스 종속성은 S11-parameter의 크기와 위상, 입력저항, 입력 커패시턴스의 주파수 응답곡선을 측정하여 최초로 분석되었다. 그 결과 입력 커패시턴스의 크기와 입력저항의 dominant pole과 zero 주파수에 의해 Vgs 종속 kink 현상이 크게 변하는 것을 알 수 있다. Vgs=0V일 때 매우 적은 S11-parameter 위상차와 입력저항의 높은 pole 주파수에 의해 고주파영역에서 kink 현상이 나타난다. 하지만 Vgs가 높아지면 S11-parameter 위상차가 크게 증가하고 pole 주파수가 낮아져 저주파영역에서 kink 현상이 발생하게 된다. The gate bias dependence of kink phenomenon with a large deviation from the resistance circle in Smith chart is observed in the frequency response of S11-parameter for large multi-finger RF MOSFETs. For the first time, this bias dependence is analyzed by measuring magnitude and phase of S11-parameter, input resistance and input capacitance. As a result, Vgs dependent S11-parameter is largely changed by the magnitude of input capacitance as well as dominant pole and zero frequencies of input resistance. At Vgs=0V, the kink phenomenon occurs in the high frequency region because of very small phase difference of S11-parameter and high pole frequency of input resistance. However, the kink phenomenon at higher Vgs is generated in the low frequency region owing to large phase difference and low pole frequency.

언술 행위적 연산 작용으로 본 ‘아직’과 ‘여전히’

이선경 한글학회 2009 한글 Vol.- No.286

‘ajik’ is a time adverb which represents or means continuity and ‘yeojeonhi’ has been studied to have a similar meaning to ‘ajik’. Based on the observation that the substitution of one with the other in those collected example sentences doses not preserve the meaning of the original sentences, I argue that these two markers are the traces of different operations. The marker ‘ajik’ which relates to the operation of the interaction between subjective parameter S and tense parameter T, should be the traces of operations as follows; 1) An alterity is formed in a qualitative level as the subject of enunciation S anticipates or aims at P' which is a qualitatively different from P. 2) An alterity is formed in a quantitative level as the operation of localization occurs at ti and tj, two different points in the class of instance. 3) The conflict between S and T exists. On the other hand, the marker ‘yeojeonhi’ relates to the opera tions as follows; 1) The operation of localization occurs at ti and tj, two different points in the class of instance. An alterity is formed in a quantitative level. 2) The occurences in tense localized in a time span are qualitatively equivalent. The operation of identification takes place. 3) The determination of S is absent, and only that of T present. ‘아직’은 미완료상이나 지속의 의미 기능을 나타내는 시간부사로, ‘여전히’는 ‘아직’과 유사한 의미 기능을 가진 시간부사로 연구되어 있다. 그러나 수집한 예문들을 자세히 관찰해 보고, ‘아직’과 ‘여전히’를 서로 대체하였을 때의 언어 현상을 관찰한 결과, 이 두 표지는 서로 다른 연산 작용의 흔적이라는 결론에 도달하였다. 표지 ‘아직’은 주관적 변수 S와 시간적 변수 T의 연접 관계에 의한 연산 작용이 관련되어 있으며, 다음과 같은 연산 작용의 흔적이다. 1) 언술 행위 주체 S는 P하고는 질적으로 다른 P'을 예상하거나 목표로 한다. 질적 차원에서 이타성이 형성된다. 2) 순간 부류 T의 ti와 tj에서 위치 결정 작용이 일어나서 시간적 출현소가 형성되며, 수량화 차원에서 이타성이 형성된다. 3) S와 T의 불일치가 나타난다. 한편, 표지 ‘여전히’는 다음의 연산 작용과 관련이 있음을 알게 되었다. 1) 순간 부류 T의 ti와 tj에서 위치 결정 작용이 일어난다. ti와 tj에서 위치 결정된 시간적인 출현소들은 수량적으로 서로 구별되어서, 수량적인 이타성이 형성된다. 2) 시간 선상에 위치 결정된 시간적인 출현소들은 질적으로는 동일하므로, 질적 동일화 작용이 일어난다. 3) S에 의한 한정 작용은 부재하고, T와의 한정 작용만 존재한다.

Mode Analysis of Cascaded Four-Conductor Lines Using Extended Mixed-Mode S-Parameters

Nan Zhang,Wansoo Nah 한국전자파학회JEES 2016 Journal of Electromagnetic Engineering and Science Vol.16 No.1

In this paper, based on the mode analysis of four-conductor lines, the extended mixed-mode chain-parameters and S-parameters of fourconductor lines are estimated using current division factors. The extended mixed-mode chain-parameters of cascaded four-conductor lines are then obtained with mode conversion. And, the extended mixed-mode S -parameters of cascaded four-conductor lines can be predicted from the transformation of the extended chain-parameters. Compared to the extended mixed-mode S-parameters of fourconductor lines, the cross-mode S-parameters are induced in the extended mixed-mode S -parameters of cascaded four-conductor lines, due to the imbalanced current division factors of cascaded two sections. The generated cross-mode S-parameters make the equivalent different- and common-mode conductors not independent from each other again. In addition, a new mode conversion, which applies the imbalanced current division factors, between the extended mixed-mode S-parameters and standard S-parameters is also proposed in this paper. Finally, the validity of the proposed extended mixed-mode S-parameters and mode conversion is confirmed by a comparison of the simulated and estimated results of shielded cable.

모바일 충전회로에서 EFT/B 신호의 전달특성 예측에 대한 연구

송승제(SeungJae Song),김광호(Kwangho Kim),조정민(Jeongmin Jo),이승배(Seungbae Lee),김소영(Kwangho Kim),나완수(Wansoo Nah) 한국전자파학회 2015 한국전자파학회논문지 Vol.26 No.10

본 논문에서는 모바일 충전회로를 대상으로 IEC 규격의 EFT/B(Electric Fast Transient and Burst) 내성 시험을 수행할 때 전달되는 신호를 예측할 수 있는 방법론 및 모델을 제안한다. EFT/B 신호는 모바일 충전회로가 충전 중인 상태에서 전달되기 때문에 교류전원 단에서 부터 부하 단까지의 신호전달특성을, 모바일 충전회로에 교류전원이 연결된 상태에서 알아야할 필요가 있다. 이를 위하여 간단한 CDN(Coupling-Decoupling Network)을 설계 제작하였으며, 이것을 이용하여 교류전원이 연결되어 있을 때와 연결되어 있지 않을 때의 두 가지 경우에 대해서 모바일 충전회로의 S-parameter를 VNA(Vector Network Analyzer)를 이용하여 측정하였다. 그 결과, 측정된 모바일 충전회로의 S-parameter 특성은 전원의 연결 유무와 거의 무관하였으며, 이것을 근거로 하여 모바일 충전회로만의 전달특성을, 전원이 연결되지 않은 상태에서, 적절한 인터페이스를 제작하여 측정하였다. 실제 EFT/B 신호 입출력의 전달함수를 구하여 S-parameter 측정의 정확성을 검증하였다. 이렇게 측정된 특성을 이용하여 모바일 충전회로의 EFT/B 신호가 전달되는 특성을 효과적으로 예측할 수 있었음을 보였다. This paper presents a methodology and a model that can analyze the high frequency transfer characteristics from socket in the AC power port to the 5 V DC output port in the mobile charging circuit. This is to predict the output signals coming from the IEC(International Electrotechnical Commission) Standard(IEC 61000-4-4), EFT/B(Electric Fast Transient and Burst) immunity test for mobile charging circuit. Since the mobile charging circuit is energized from the AC power socket from the power line, it is necessary to know the high frequency transfer characteristics with activated AC power line. A simple CDN(Coupling-Decoupling Network) is designed and manufactured for measuring S-parameters of mobile charging circuit with and without AC power line activated. The result shows that the S-parameters of the specific mobile charging circuits are almost the same, independent of AC power line activation. Consequently, the S-parameters without AC line could be used to predict the output response to the EFT/B signals, and it was shown that the proposed methodology predicts the output responses quite accurately, which proves the validness of the methodology presented in this paper.

S-parameter Circle-fit과 Lorentzian-fit 방법으로 측정된 고온초전도체 박막의 유효표면저항 비교

김민정,정호상,이재훈,이상영,Kim, Min-Jeong,Jung, Ho-Sang,Lee, J.H.,Lee, Sang-Young 한국초전도학회 2008 Progress in superconductivity Vol.9 No.2

Measurements of surface resistance ($R_s$) of high temperature superconductor (HTS) films with accuracy are essential for microwave applications of HTS materials. In using the dielectric resonator method, uncertainties in the unloaded quality factor of the resonator cause significant errors in the measured $R_s$ of HTS films. We compare the Rs values of $YBa_2Cu_3O_{7-{\delta}}$ films calculated from the $Q_0$ as determined from the Lorentzian fit with that from the $Q_0$ as determined from the S-parameter circle-fit at temperatures between 15 K and 77 K. The two sets of values appeared to differ by 5%, 7%, 6%, and 11% at temperatures of 15, 60, 70, and 77 K, respectively, from each other, implying that careful error analysis needs to be performed in obtaining the $R_s$ of HTS films by using the Lorentzian-fit method, with the ones determined from the S-parameter circle-fit used as the reference.

S-parameter의 변화를 유도하는 임피던스 변화 감지를 통한 전자회로의 결함검출회로

서동환(Donghwan Seo),강태엽(Tae-yeob Kang),유진호(Jinho Yoo),민준기(Joonki Min),박창근(Changkun Park) 한국전기전자학회 2021 전기전자학회논문지 Vol.25 No.4

본 논문에서는 고장예측진단 및 건전성 관리 기법(Prognostics and Health Management, PHM)을 적용하기 위해 해당 시스템 혹은 회로 내부에서 결함특성을 감지하고 예측할 수 있는 회로 구조를 제안하였다. 기존 연구에서 회로 결함의 진행에 따라, S-parameter 크기 최소값의 주파수가 변화하는 것을 확인하였다. 이러한 특성을 기존에는 네트워크 분석기(Network Analyzer)를 활용하여 측정하였으나, 본 연구에서는 같은 결함검출기법을 활용하더라도 큰 계측장비 없이 결함의 진행상황 및 잔여 수명, 결함발생 여부를 확인할 수 있는 소형화된 회로를 설계하였다. 본 연구에서는 S-parameter의 변화를 야기하는 임피던스의 변화를 감지할 수 있도록 회로를 설계하였으며, Bond-wire의 온도반복에 따른 S-parameter 변화 측정결과를 제안하는 회로에 적용하였다. 이를 통해 해당 회로가 Bond-wire의 결함을 감지할 수 있다는 것을 성공적으로 검증하였다. In this paper, in order to apply Prognostics and Health Management(PHM) to an electronic system or circuit, a circuit capable of detecting and predicting defect characteristics inside the system or circuit is implemented, and the results are described. In the previous study, we demonstrated that the frequency of the amplitude of S-parameter changed as the circuit defect progressed. These characteristics were measured by network analyser. but in this study, even if the same defect detection method is used, a circuit is proposed to check the progress of the defect, the remaining time, and the occurrence of the defect without large measurement devices. The circuit is designed to detect the change in impedance that generates changes of S-parameter, and it is verified through simulation using the measurement results of Bond-wires.

Gd₂O₂S:Tb의 동시 계수 도플러 양전자 소멸법에 의한 결함 특성

이종용,배석환,김재홍,권준현,Lee, C.Y.,Bae, S.H.,Kim, J.H.,Kwon, J.H. 한국재료학회 2006 한국재료학회지 Vol.16 No.7

Coincidence Doppler Broadening (CDB) of positron annihilation spectroscopy was applied to analyze defects in the chemical state of Department of Physics, $Gd_2O_2S$:Tb intensifying screens. The screen samples were irradiated by 80 MV X-rays in hospital and were used for 0, 2, 4, and 6 years respectively. There was a positive relationship between the S-parameter values and time of exposure to X-rays. Most of the defects were indicated to have been generated by X-rays. A 1D CDB was developed in order to reduce the background noise, and the S-parameter values of the $Gd_2O_2S$:Tb intensifying screens, using the 1D CDB, varied between 0.4974 and 0.4991.

S-Parameter를 이용한 변압기의 고주파 모델링 기법

정현종(Hyeonjong Jung),윤석(Seok Yoon),김유선(Yuseon Kim),배석(Seok Bae),임영석(Yeongseog Lim) 한국전자파학회 2018 한국전자파학회논문지 Vol.29 No.9

연구는 S-parameter를 이용한 변압기의 고주파 모델링 방법을 제시한다. 1차측과 2차측을 단락 또는 개방 회로를 구성하여 각 상태에서의 반사계수를 Vector Network Analyzer로 측정하였다. 측정 결과로부터 등가회로 소자를 추출하여 고주파 등가회로를 모델링하고, 2-port 회로에서 측정한 S-parameter 측정치와 시뮬레이션 결과를 비교함으로써 타당성을 검증하였다. 이는 정확하고 예측 가능한 고주파 변압기를 설계하는데 적용될 수 있다. In this paper, we propose a method for high-frequency modeling of transformers using the S-parameter. The open and short circuits of the primary and secondary sides were configured, and the reflection coefficient in each circuit was measured using a vector network analyzer. The equivalent circuit elements were extracted from the measured results to model the high-frequency equivalent circuit, and the validity of the method was verified by comparing the measured S-parameters in a 2-port network with the simulation results.