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關口隆,金旻洙 서울産業大學校 1994 논문집 Vol.40 No.1
Recently, a number of studies aiming, for the realization of high performance and high precision control of induction motors with inverter devices have been reported. In this paper, we present a time optimal speed control system which is able to obtain the higher speed response of the induction motor. This system is different from vector control systems because the proposed system is based of transientless torque using impulse addition and maximum principle theory. This simulation and real experimental system result indicate that we can realize transientless torque and time optimal speed control using this system.
GaN의 열분해 특성을 이용하여 자발적으로 분리된 GaN에 대한 연구
김시내,최성국,장지호,이현재,이시영,Takashi SEKIGUCHI,이웅 한국물리학회 2013 새물리 Vol.63 No.11
The free-standing GaN (FS-GaN) substrate was fabricated by using an in-situ self-separation technique that was accomplished by using the thermal decomposition of GaN. For the self-separation of GaN, a decomposable buffer layer (DBL) was introduced between the sapphire substrate and the overgrown thick-GaN, and self-separation of GaN happened during the high-temperature GaN growth. The thick GaN was almost unaffected by the thermal stress during the separation from sapphire substrate, so we could fabricate low-defect and high-quality FS-GaN. In this study, the DBL growth temperature (Tg: 700 C) and the thermal annealing temperature (T 900 C) were optimized. The reduced thermal stress was confirmed by using cathodoluminescence. Also, the values of the full widths at half maximum for the (002) and the (102) !-rocking curves were 67 and 96 arcsec, respectively, and a low etch pit density (6 × 106 cm−2) was observed, both of which indicate the feasibility of this method for fabricating FS-GaN. GaN의 열분해 특성을 활용하여 성장 중에 사파이어 기판으로부터 후막 GaN을 분리하여 자립형 GaN 기판을 제작하였다. 자발적인 분리를 위해 사파이어 기판과 후막 GaN의 완충층으로 열분해가 가능한 DBL (decomposable buffer layer)을 사용하였고, 고온 성장 중에 사파이어 기판으로부터 분리되도록 하였다. 분리된 후막 GaN은 열적 스트레스의 영향을 받지 않으므로 저결함, 고품질의 GaN 기판 제작이 가능하다. 본 연구에서는 DBL 성장조건 (Tg : 700 C)과 열분해 조건 (T ~900 C)을 최적화 하여 후막 GaN이 기판으로부터 분리되는 것을 확인하였고, CL 측정을 통해 분리된 후막 GaN과 분리되지 않은 GaN의 단면 위치 별 스트레스의 변화를 비교하여 잔류 스트레스 완화 효과를 확인 하였다. 또한, 분리된 GaN의 결정성 확인을 위한 $\omega$-scan의 반치폭은 (002)면과 (102)면이 각각 67 arcsec와 96 arcsec 이고, 낮은 결함밀도 (EPD ~ 6 ×106 cm−2)를 갖는 고품질의 자립형 GaN을 제작하였다.
조영지,장지호,하준석,Hyun-jae Lee,Katsushi Fujii,Takafumi Yao,Woong Lee,Takashi Sekiguchi,Jun-Mo Yang,Jungho Yoo 한국물리학회 2015 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.66 No.2
Remarkable reduction of the threading dislocation (TD) density has been achieved by insertinga GaN layer grown at an intermediate temperature (900 C) (IT-GaN layer), just prior to thegrowth of GaN at 1040 C by using a hydride vapor phase epitaxy. The variation in the dislocationdensity variation along the growth direction was observed by using cathodoluminescence (CL) andtransmission electron microscopy (TEM). A cross-sectional CL image revealed that the reductionof the TD density happened during the growth of IT-GaN layer. The TEM measurement providedthe proof that the TD reduction could be ascribed to the masking of the TD by stacking faults inthe IT-GaN layer.
ZnO를 이용한 GaN 자립형 기판의 제작에 관한 연구
김시영,정미나,이삼녕,장지호,이현재,Katsushi Fujii,Takenari Goto,Takafumi Yao,박승환,이웅,Takashi Sekiguchi 한국물리학회 2010 새물리 Vol.60 No.4
A new hydride vapor phase epitaxy (HVPE)-based approach to the fabrication of freestanding GaN (FS-GaN) substrates was investigated. For the direct formation of low-temperature GaN (LT-GaN) layers, the growth parameters (the polarity of ZnO, the growth temperature, and the V/III ratio) were optimized. The FS-GaN layer was achieved by gas etching (900℃, NH₃) in an HVPE reactor. The fabrication of a thin (80 ㎛) FS-GaN film on a FS-GaN (LT) seed substrate to improve the quality further is discussed. 간단한 공정을 이용한 자립형 GaN 기판 제작을 위하여 PAMBE(Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy)법으로 성장한 ZnO 희생층 상에, HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)법으로 GaN를 직접 성장하고, HVPE 반응로 안에서 기상 식각을 시도하여 GaN와 사파이어 기판을 분리하고 그 위에 고온에서 GaN 후막을 재 성장하는 방법을 제안하였다. ZnO-희생층 상에 저온 GaN를 직접 성장하기 위해서, ZnO-희생층의 극성, GaN의 성장 온도 및 V/III ratio를 최적화하였고, 설정된 조건에서 성장한 저온 GaN와 사파이어 기판을 고온 가스 식각을 (900℃, NH₃) 통하여 분리하였으며, 그위에 80 ㎛의 두께를 가지는 자립형 GaN 기판을 제작하여 결정성을 고찰 하였다.