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김영조,Kim, Yeong-Jo 한국도서관협회 1970 圖協月報 Vol.11 No.2
이 글은 1969. 9. 18-19 양일간 청주시립도서관에서 개최된 전국 공공도서관 대회에서 발표되었든 논문임
김영조,김철주,Kim, Yeong-Jo,Kim, Cheol-Ju 한국재료학회 1993 한국재료학회지 Vol.3 No.4
본 논문에서는 Si(111)에 대한 건식산화와 어닐링에서 결함의 억제 또는 제거에 $NH_3$가 효과적임을 밝혔다. 산화방식은 건식산화(dry $O_2$ oxidation)및 $NH_3$산화($NH_3$ added in dry $O_2$oxidation)를 택하였고 $N_2$및 $NH_3N_2$분위기에서 어닐링 효과를 평가하였다. 건식산화에서는 발생되는 결함이 성장시간에 따라서 길이가 길어지며, $NH_3$산화에서는 결함이 발견되지 않았다. 또한 초기산화를 $NH_3$산화로 하고서 건식산화를 하였을 때 계면에서의 결함을 제거하는 효과가 있다. 건식산화 또는 $NH_3$산화를 한 후 이들 시료에 대하여 7.5% $NH_3N_2$분위로 어닐링하면OSF의 게터링(gettering)효과가 있었다. $NH_3$산화방식에서 7.5%$NH_3N_3$분위기로 어닐링했을때가 건식산화방식에 비하여 OSF의 길이가 20%정도 감소하였다. OSF의 모양은 pit형으로 (111)면에 대하여 (011)면 쪽으로 게터링이 일어났으며<110>방향으로 식각되는 성질이 있었다. In this paper, an $NH_3$, added during dry oxidation and annealing m Si( 111) is clarified effect ive to suppress or remove defects. Annealing effects in $N_2$ and $NH_3/N_2$ ambient are estimated with dry $O_2$ and $NH_4$ oxidation($NH_3$ added in dry $O_2$ oxidation) method. C;em'rated defects in dry $O_2$ oxidation are lengthened according to oxidation time. but any defects in $NH_3$ oxidation are not found. Dry oxidation, after $NH_3$ oxidation as an initial oxidation. lias the defect -removing effect at the interface of Si -$SiO_2$. After dry or $NH_3$. oxidation. the annealmg 7.5% $NH_3/N_2$ ambient brings out gettering effect of OSF. The annealing in 7.5% $NH_3/N_2$ ambient for NI L oxidation method decreaSE,s $NH_3$ length of OSF about 20 % compared with dry oxidation method. Tlw feature of OSF is pit type, the gettering is directed to (011) plane for (111) plane. and OSFs are etched following to 110) directIon.
$\textrm{O}_2$ 및 $\textrm{H}_2\textrm{O}$를 산화제로 하는 $\textrm{NH}_3$/$\textrm{O}_2$산화의 성장모델 제안
김영조,Kim, Yeong-Jo 한국재료학회 1999 한국재료학회지 Vol.9 No.9
4NH(sub)3+$3O_2$$\longrightarrow$$2N_2$+$6H_2$O 의 화학반응식을 가지며$ O_2$ 및 $H_2$O를 산화제로 하는 $NH_3$/$O_2$산화의 성장모델을 세웠으며, 그 결과 Fick의 제 1 법칙을 기초로 하는 건식 및 습식 산화메카니즘으로 이해되는 Deal-Grove의 산화막 성장모델과 유사한 결과가 도출되었다. 이 성장모델에 의하면 산화제$ O_2$ 및 $H_2$O가 상호보완적으로 산화에 영향을 미치므로 산화온도 뿐 아니라 $NH_3$/O$_2$의 유량비도 산화율을 결정한다. rapid thermal processing(RTP)에 의한 산화막 성장실험으로 본 연구에서 제안하는 성장모델을 확인하였으며, NH$_3$분자의 분해에 의해 발생하는 N 원자의 산화막 내부확산을 secondary ion mass spectroscopy(SIMS)로 확인하였으며, Auger electron spectroscopy (AES) 측정결과 N 원자의 존재는 무시할만한 수준이었다.
양자 교환된 리튬나오베이트를 이용한 광 픽업용 λ/2 파장판 제작
손경락,김광택,김영조,송재원,박경찬,김진용,Son, Gyeong-Rak,Kim, Gwang-Taek,Kim, Yeong-Jo,Song, Jae-Won,Park, Gyeong-Chan,Kim, Jin-Yong 대한전자공학회 2000 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.37 No.4
본 논문에서는 리튬나오베이트 기판 상에 벤젠산으로 양자 교환 후 습식 식각하는 방법을 이용하여 청색레이저 다이오드를 광원으로 사용하고자 하는 광 픽업을 위한 λ/2 파장판을 제작하였으며 소자의 기능과 제작과정에 대해서 상세히 서술하였다. 그리고, 소자제작을 위한 최적의 조건을 실험을 통하여 확립하였다. 제작된 소자의 위상 특성은 광학계로 마하젠더 간섭계를 구성하여 파장이 632.8nm인 헬륨-네온 레이저로 측정하였다. 측정 결과 위상오차는 +5°∼6°(3% 이내)로 측정되었다. 본 연구에서 제작한 파장판은 청색 레이저 다이오드를 광원으로 사용하는 광 픽업 시스템의 해상도와 안정도를 향상시키는 유용한 소자로 응용될수 있다. In this paper, we have been fabricated λ/2 phase plates lot an optical pick-up using a blue violet laser diode by employing proton exchange and wet etching in LiNbO$_{3}$. Their functions and fabrication processes are described in detail. It is established the optimal fabrication conditions through the experimental results. The device characteristics are measured by the Mach-zender interferometer which is composed of the optical components and 632.8nm He-Ne laser. The measured phase error was +5$^{\circ}$~ -6$^{\circ}$(within 3%). This phase plate could be applied an useful device to improve the resolution and the stability of the optical pick-up which has a blue violet laser diode as an optical source.