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저항형 볼로미터 적외선 센서용 산화 바나듐 박막의 제조 및 TCR 측정
김민철,강호관,문성욱,윤영수,김도훈,오명환 경북대학교 센서기술연구소 1998 센서技術學術大會論文集 Vol.9 No.1
비냉각 열형 적외선 센서로 널리 쓰이고 있는 저항형의 마이크로 볼로미터 제조에 관한 기초 연구로서 RF magnetron sputtering 방법으로 Si_(3)N_(4)가 증착된 실리콘 기판 위에 바나듐 박막을 증착한 후 열처리 조건을 달리하여 각기 다른 조성의 산화 바나듐 박막을 제조하였다. 제조된 다른 조성의 산화 바나듐 박막에 대해 XRD로 상분석과 AES로 박막의 조성변화를 측정 하였으며 AFM을 이용하여 표면상태를 관찰하였다. 또한 저항형 볼로메타의 성능지수인 TCR값의 변화를 측정하여 최대 값을 가지는 열처리 조건을 구하고자 하였다. 본 실험에서는 1.89~2.22 %/K에 해당하는 높은 TCR값을 가지는 산화바나듐을 제조할 수 있었으며, 이러한 결과는 MEMS 기술을 이용한 저항형 볼로미터 제작에 적용이 될 수 있을 것이다. We report the results of the basic study of resistive microbolometer which have been widely used for uncooled IR sensor. Vanadium thin films were deposited on silicon nitride by RF magnetron sputtering. Vanadium oxides were fabricated by annealing in oxygen atmosphere at 350-500℃ for 30min. The characteterization of vanadium oxide films was carried out by means of XRD, AES and AFM. In this experiment, we obtained vanadium oxide thin film which have a TCR value from 1.89 to 2.22 %/K. This results could be applied to uncooled resistive bolometer IR sensor by using MEMS technology.