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Si(111)$7{\times}7$ 표면에서 Mg 성장양상 연구
안기석,여환욱,이경원,이순보,조용국,박종윤 한국진공학회 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.4
Si(111)7 $\times$ 7 위에 Mg를 흡착시켜 표면구조의 변화를 RHEED(Reflection High Energy Electron diffraction) 와 XPS(X-ray PhotoelectronSpectroscopy)를 이용하여 연구하였다. RT ~20$0^{\circ}C$까지의 기판온도에서 증착량의 증가에 따라 표면구조는 (7$\times$7)에서 diffused (1$\times$1) 그리고 (2 3 3 $\times$2√3√3-R30$^{\circ}$) 구조로 변화하였다. 또한, 기판온도를 증가시킴에 따라 (1$\times$1), three domain(3$\times$1) 등의 구조를 볼 수 있었고, 특히 , $450^{\circ}C$의 기판온도에서는 single domain (3$\times$1) 구조를 최초로 관측하였다. 이렇게 형성된 각 구조에 대한 Mg KLL과 Si2p의 XPS peak intensity ratio를 증착량의 증가에 따라 측정하여 각기 다른 온도에서의 Mg 성장에 대한 메카니즘을 제시하였다.
안기석,여환욱,이경원,이순보,박종윤 성균관대학교 기초과학연구소 1993 論文集 Vol.44 No.1
Si(111)7×7 위에 Mg을 흡착시켜 표면 구조의 변화를 RHEED(Reflection High Energy electron Diffraction)와 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)를 이용하여 연구하였다. RT∼200℃까지의 기판온도에서 증착량의 증가에 따라 표면구조는 7×7에서 diffused 1×1, 그리고 2√3/3×2√3/3-R30° 구조로 변화하였다. 이를 thermal annealing하여 3-Domain 3×1 구조를 관측하였고, 이 결과는 J. Quinn등의 결과와 일치함을 알 수 있다. 또한, 기판온도를 증가시킴에 따라 diffuse 1×1, Single domain 3×1구조(450℃)에 대하여 Mg(KLL)/Si(2p) peak intensity ratio를 증착량 증가에 따라 측정하여 각기 다른 온도에서의 Mg 흡착에 대한 mechanism을 제시하였다. Change of the Si(111)7×7 surface structure upon Mg adsorption was studied by RHEED(Reflection HI호 Energy Electron Diffraction) and XPS(X-ray Photoelectron Spectrocopy). The RHEED patterns of Si(111)7×7 were changed to the diffuse 1×1 and 2√3/3×2√3/3-R30° patterns with increasing the deposition times of Mg at RT. The diffuse 1×1, 3-domain, and single domain 3×1 structures appeared successively at the adsorption temperature of 300, 350 and 450℃, respectively. We could find the relative coverages of these structures by measuring Mg(KLL)/Si2p XPS intensity ratio.
김정선(J. S. Kim),여환욱(H. W. Yeo),박종윤(C. Y. Park) 한국진공학회(ASCT) 1994 Applied Science and Convergence Technology Vol.3 No.4
초고진공영역에서 배기특성 개선을 위하여 재질 및 구조가 다른 세 가지 형태의 60(l/s)형 이온펌프를 제작하여 그 배기특성을 측정하였다. 그 결과 음극판에 Ta선을 전기용접한 펌프와 양극 cell의 구조에 변화를 준 펌프의 배기속도가 상용으로 이용되고 있는 펌프에 비해 약 50% 이상 개선되었다. For the improvement in pumping characteristics, we constructed the sputter ion pumps of new three types made of a different materials and structures, with 60(l/s). The pumping speed of pumps which were consisted of the Ta-welded cathode plate and the anode cells of a modified structure improved in pumping speed by ~50% more than that of the conventional sputter ion pump.
안기석(Ki-Seok An),여환욱(Hwan-Wook Yeo),이경원(Kyung-Won Lee),이순보(Soon-Bo Lee),조용국(Yong-Kook Joh),박종윤(Chong-Yun Park) 한국진공학회(ASCT) 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.4
Si(111)7×7 위에 Mg를 흡착시켜 표면구조의 변화를 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction)와 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)를 이용하여 연구하였다. RT~200℃까지의 기판온도에서 증착량의 증가에 따라 표면구조는(7×7)에서 diffused (1×1) 그리고 (2√3/3×2√3/3-R30°) 구조로 변화하였다. 또한, 기판온도를 증가시킴에 따라 (1×1), three domain (3×1) 등의 구조를 볼 수 있었고, 특히, 450℃의 기판온도에서는 single domain (3×1) 구조를 최초로 관측하였다. 이렇게 형성된 각 구조에 대한 Mg KLL과 Si2p의 XPS peak intensity ratio를 증착량의 증가에 따라 측정하여 각기 다른 온도에서의 Mg 성장에 대한 메카니즘을 제시하였다. Changes of the Si(111)7×7 surface structure upon Mg adsorption have been studied by RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) and XPS (X-ray Photoelectron Spectrocopy). The RHEED pattern of Si(111)7×7 is changed to the diffused (1×1) and(2√3/3×2√3/3-R30°) patterns with increasing deposition time of Mg at room temperature. The three domain (3×1) structure appear at the adsorption temperature of 350℃. In particular, we first observed (1×1) and single domain (3×1) structures at adsorption temperature of 300, 450℃, respectively. From these results and measuring Mg KLL/Si2p XPS peak intensity ratio, we would expect that the relative coverages of Mg on Mg-induced (3×1) and (1×1) structure are to be 1/3 and 1 ML, respectively.