새로운 저온 열처리 공정으로 제조된 SrBi₂Ta₂O₉ 박막의 결정성 및 전기적 특성

이관,최훈상,장유민,최인훈,Lee, Kwan,Choi, Hoon-Sang,Jang, Yu-Min,Choi, In-Hoon 한국재료학회 2002 한국재료학회지 Vol.12 No.5

We studied growth and characterization of $SrBi_2Ta_2O_9$ (SBT) thin films fabricated by low temperature process under vacuum and/or oxygen ambient. A metal organic decomposition (MOD) method based on a spin-on technique and annealing process using a rapid thermal annealing (RTA) method was used to prepare the SBT films. The crystallinity of a ferroelectric phase of SBT thin films is related to the oxygen partial pressure during RTA process. Under an oxygen partial pressure higher than 30 Torr, the crystallization temperature inducing the ferroelectric SBT phase can be lowered to $650^{\circ}C$. Those films annealed at $650^{\circ}C$ in vacuum and oxygen ambient showed good ferroelectric properties, that is, the memory window of 0.5~0.9 V at applied voltage of 3~7 V and the leakage current density of 1.80{\times}10^{-8}$ A/$\textrm{cm}^2$ at an applied voltage of 5V. In comparison with the SBT thin films prepared at 80$0^{\circ}C$ in $O_2$ ambient by furnace annealing process, the SBT thin films prepared at $650^{\circ}C$ in vacuum and oxygen ambient using the RTA process showed a good crystallization and electrical properties which would be able to apply to the virtul device fabrication precess.

RF Sputtering을 이용한 $Sr_2$$({Ta_{1-x}},{Nb_x})_2$)$O_7$ 박막의 성장 및 전기적 특성

인승진,최훈상,이관,최인훈,In, Seung-Jin,Choi, Hoon-Sang,Lee, Kwan,Choi, In-Hoon 한국재료학회 2001 한국재료학회지 Vol.11 No.5

RF magnetron sputtering 법으로 T $a_2$ $O_{5}$ 세라믹 타겟과 S $r_2$N $b_2$ $O_{7}$ 세라믹 타겟을 동시 sputtering하여 저유전율 S $r_2$(T $a_{1-x}$ , N $b_{x}$)$_2$ $O_{7}$(STNO) 박막을 p-type Si (100) 기판 위에 증착하여 NDRO 강유전체 메모리 (Non-destructive read out ferro-electric random access memory)에 사용되는 Pt/STNO/Si (MFS) 구조의 응용 가능성을 확인하였다. Sr$_2$Nb$_2$ $O_{7} (SN O)$ 타겟과 T $a_2$ $O_{5}$ 타겟의 출력의 비를 100w/100w, 70w/100w, 그리고 50w/100w로 조절하면서 x 값을 달리하여 조성을 변화시켰다. 성장된 박막을 8$50^{\circ}C$, 90$0^{\circ}C$, 그리고 9$50^{\circ}C$에서 1시간 동안 산소 분위기에서 열처리하였다. 조성과 열처리 온도에 따른 구조적 특징을 XRD에 의해 관찰하였으며 표면특성은 FE-SBM에 의해 관찰하였고, C-V 측정과 I-V 측정으로 박막의 전기적 특성을 조사하였다. SNO 타겟과 T $a_2$ $O_{5}$ 타켓의 출력비에 따른 STNO 박막의 성장 결과 70W/170W의 출력비에서 성장된 STNO박막에서 Ta의 양이 상대적 맡은 x=0.4였으며 가장 우수한 C-V 특성 및 누설 전류 특성을 보였다. 이 조성에서 성장된 STNO박막은 3-9V외 인가전압에서 메모리 윈도우 갑이 0.5-8.3V였고 누설전류밀도는 -6V의 인가전압에서 7.9$\times$10$_{-8}$A /$\textrm{cm}^2$였다. In this paper, theS $r_2$(T $a_{1-x}$ , N $b_{x}$)$_2$ $O_{7}$(STNO) films among ferroelectric materials having a low dielectric constant for metal-ferroelectric-semiconductor field effect transistor(MFS-FET) were discussed. The STNO thin films were deposited on p-type Si(100) at room temperature by co-sputtering with S $r_2$N $b_2$ $O_{7(SNO)}$ ceramic target and T $a_2$ $O_{5}$ ceramic target. The composition of STNO thin films was varied by adjusting the power ratios of SNO target and T $a_2$ $O_{5}$ target. The STNO films were annealed at 8$50^{\circ}C$, 90$0^{\circ}C$ and 9$50^{\circ}C$ temperature in oxygen ambient for 1 hour. The value of x has significantly influenced the structure and electrical properties of the STNO films. In the case of x= 0.4, the crystallinity of the STNO films annealed at 9$50^{\circ}C$ was observed well and the memory windows of the Pt/STNO/Si structure were 0.5-8.3 V at applied voltage of 3-9 V and leakage current density was 7.9$\times$10$_{08}$A/$\textrm{cm}^2$ at applied voltage of -5V.of -5V.V.V.

Ferroelectric 캐패시터의 하부전극에의 응용을 위한 IrO₂ 박막 증착 및 특성분석

허재성,최훈상,김도영,장유민,이장혁,최인훈,Hur, Jae-Sung,Choi, Hoon-Sang,Kim, Do-Young,Jang, Yu-Min,Lee, Jang-Hyeok,Choi, In-Hoon 한국재료학회 2003 한국재료학회지 Vol.13 No.2

In this work, $IrO_2$thin films as bottom electrode of ferroelectric capacitors were deposited and characterized. The $IrO_2$films deposited in the conditions of 25, 40 and 50% oxygen ambient by sputtering method were annealed at 600, 700 and $800^{\circ}C$, respectively. It was found that the crystallinity and the surface morphology of $IrO_2$films affected the surface properties and electrical properties of SBT thin films prepared by the MOD method. With increasing temperature, the crystallinity and the roughness of $IrO_2$films were also increasing. This increasing of roughness degraded the surface properties and electrical properties of SBT films. We found an optimum condition of $IrO_2$films as bottom electrode for ferroelectric capacitor at 50% oxygen ambient and $600^{\circ}C$ annealing temperature. Electrical characterizations were performed by using$ IrO_2$bottom electrodes grown at an optimum conditions. The remanent polarization ($P_{r}$) of the Pt/SBT/$IrO_2$/$SiO_2$/Si structure was 2.75 $\mu$C/$\textrm{cm}^2$ at an applied voltage of 3 V. The leakage current density was $1.06${\times}$10^{-3}$ A/$\textrm{cm}^2$ at an applied voltage of 3 V.

RF 마그네트론 스퍼터링법에 의해 증착된 SrBi$_2$$Nb_2$>$O_9$ 박막의 전기적 특성에 관한 연구

조금석,최훈상,이관,최인훈,Zhao, Jin-Shi,Choi, Hoon-Sang,Lee, Kwan,Choi, In-Hoon 한국재료학회 2001 한국재료학회지 Vol.11 No.4

세라믹 타겟인 Sr$_2$Nb$_2$O$_{7}$ (SNO)과 Bi$_2$O$_3$을 장착한 RF-마그네트론 스퍼터링을 이용하여 SrBi$_2$Nb$_2$O$_{9}$ (SBN) 박막을 p-type Si(100) 기판 위에 증착하였다. 증착시 두 타겟의 파워비를 조절하여 조성의 변화에 따른 SBN 박막의 구조적 및 전기적 특성을 조사하였다. 증착된 SBN 박막은 $700^{\circ}C$의 산소분위기에서 1시간 동안 열처리를 하였으며 상부전극으로 Pt를 증착한 후 산소분위기에서 30분 동안 $700^{\circ}C$에서 전극 후열처리를 실시하였다. 증착된 SBN 박막은 $700^{\circ}C$ 열터리 후에 페로브스카이트 상을 나타냈으며 SNO 타겟과 Bi$_2$O$_3$타겟의 파워가 120 W/100 W 일 때 가장 좋은 전기적 특성을 나타내었다. 이때의 조성은 EPMA(Electron Probe X-ray Micro Analyzer) 분석을 통하여 확인하였으며 Sr:Bi:Nb의 비가 약 1:3:2임을 나타내었다. 이러한 과잉의 Bi조성을 가진 SBN 박막은 3-9 V의 인가전압에서 1.8 V-6.3 V의 우수한 메모리 윈도우 값을 나타내었으며 누설전류 값은 인가전압 5 V에서 1.54$\times$$10^{-7}$ A/$\textrm{cm}^2$였다. The SrBi$_2$Nb$_2$O$_{9}$ (SBN) thin films were deposited on p-type(100) Si substrates by rf magnetron sputtering to confirm the Possibility of Pt/SBN/Si structure for the application of nondestructive read out ferroelectric random access memory (NDRO- FRAM). The SBN thin films were deposited by co-sputtering method with Sr$_2$Nb$_2$O$_{7}$ (SNO) and Bi$_2$O$_3$ ceramic targets. The SBN thin films deposited at room temperature were annealed at $700^{\circ}C$ for 1hr in $O_2$ ambient. The structural and electrical properties of SBN with different power ratios of targets were measured by x-ray diffraction(XRD), scanning electron microscopy(SEM), capacitance-voltage(C-V), and current-voltage(I-V). The C-V curves of the SBN films showed hysteresis curves of a clockwise rotation showing ferroelectricity. When the Power ratio of the SNO/Bi$_2$O$_3$ targets was 120 W/100 W, the SBN thin films had excellent electrical properties. The memory window of SBN thin film was 1.8 V-6.3 V at applied voltage of 3 V-9 V and the leakage current density was 1.5 $\times$ 10$^{-7}$ A/$\textrm{cm}^2$ at applied voltage of 5 V The composition of SBN thin films was analysed by electron probe X-ray micro analyzer(EPMA) and the atomic ratio of Sr:Bi:Nb with pawer ratio of 120 W/100 W was 1:3:2.

RF마그네트론 스퍼터링 법에 의해 증착된 SrBi₂Nb₂O₉ 박막의 Bi 량의 조절에 따른 특성분석

이종한,최훈상,성현주,임근식,권영석,최인훈,손창식,Lee, Jong-Han,Choi, Hoon-Sang,Sung, Hyun-Ju,Lim, Geun-Sik,Kwon, Young-Suk,Choi, In-Hoon,Son, Chang-Sik 한국재료학회 2002 한국재료학회지 Vol.12 No.12

The $SrBi_2$$Nb_2$$O_{9}$ (SBN) thin films were deposited with $SrNb_2$$O_{6}$ / (SNO) and $Bi_2$$O_3$ targets by co-sputtering method. For the growth of SBN thin films, we adopted the various power ratios of two targets; the power ratios of the SNO target to $Bi_2$$O_3$ target were 100 W : 20 W, 100 W : 25 W, and 100 W : 30 W during sputtering the SBN films. We found that the electrical properties of SBN films were greatly dependent on Bi content in films. The $Bi_2$Pt and $Bi_2$$O_3$ phase as second phases occurred at the films with excess Bi content greater than 2.4, resulting in poor ferroelectric properties. The best growth condition of the SBN films was obtained at the power ratio of 100 W : 25 W for the two targets. At this condition, the crystallinity and electrical properties of the films were improved at even low annealing temperature as $700^{\circ}C$ for 1h in oxygen ambient and the Sr, Bi and Nb component in the SBN films were about 0.9, 2.4, and 1.8 respectively. From the P-E and I-V curves for the specimen, the remnant polarization value ($2P_{r}$) of the SBN films was obtained about 6 $\mu$C/c $m^2$ at 250 kV/cm and the leakage current density of this thin film was $2.45$\times$10^{-7}$ $A/cm^2$ at an applied voltage of 3 V.V.

NDRO FRAM 소자를 위한 Pt / SrBi₂Ta₂O9 / ZrO₂ / Si 구조의 특성에 관한 연구

김은홍(Eun Hong Kim),최훈상(Hoon Sang Choi),최인훈(In-Hoon Choi) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.4

본 연구에서는 강유전체 박막을 게이트 산화물로 사용한 Pt/Sr_(0.8)Bi_(2.4)Ta₂O_9(SBT)/ZrO₂/Si(MFIS)와 Pt/SBT/Si(MFS) 구조의 결정 구조 및 전기적 성질을 고찰하였다. XRD 및 SEM 측정 결과 SBT/ZrO₂/Si 구조의 경우 SBT/Si 구조에 비해 SBT 박막이 더 큰 결정립이 형성되었다. AES 분석 결과 ZrO₂ 박막을 완충층으로 사용함으로써 SBT 박막과 Si 기판의 상호반응을 적절히 억제할 수 있음을 확인하였다. Pt/SBT/ZrO₂/Pt/SiO₂/Si와 Pt/SBT/Pt/SiO₂/Si 구조에서 Polarization- Voltage(P-V) 특성을 비교해 본 결과 강 ZrO₂ 박막의 도입에 따라 잔류분극값은 감소하였고 항전계값은 증가하였다. MFIS 구조에서 메모리 윈도우값은 항전계값과 직접적 관련이 있으므로 이러한 항전계값의 증가는 MFIS 구조에서의 메모리 윈도값이 증가할 수 있음을 나타낸다. Pt/SBT(210 ㎚)/ZrO₂(28 ㎚)/Si 구조에서 Capacitance-Voltage(C-V) 측정 결과로부터 인가전압 4~6 V에서 메모리 윈도우 가 1~1.5V 정도로 나타났다. Pt/SBT/ZrO₂/Si 구조에서 전극을 갓 증착한 경우와 산소 분위기 800℃에서 후열처리한 경우의 전류 밀도는 각각 약 8×10^(-8)A/㎠와 4×10^(-8)A/㎠ 정도의 값을 나타내었다. We have investigated the crystal structure and electrical properties of Pt/SBT/ZrO₂/Si (MFIS) and Pt/SBT/Si (MFS) structures for the gate oxide of ferroelectric memory. XRD spectra and SEM showed that the SBT film of SBT/ZrO₂/Si structure had larger grain than that of SBT/Si structure. ZrO₂ film between SBT film and Si substrate is confirmed as a good candidate for a diffusion barrier by the analysis of AES. The remanent polarization decreased and coercive voltage increased in Pt/SBT/ZrO₂/Pt/SiO₂/Si structure. This effect may increase memory window of MFIS structure directly related to the coercive voltage. From the capacitance-voltage characteristics, the memory windows of Pt/SBT (210 ㎚)/ZrO₂ (28 ㎚)/Si structure were in the range of 1~1.5 V at the applied voltage of 4~6 V. The current densities of Pt/SBT/ZrO₂/Si with as -deposited Pt electrode and annealed at 800℃ in O₂ ambient were 8×10^(-8)A/㎠ and 4×10^(-8)A/㎠, respectively.

Metal / Ferroelectric / Insulator / Semiconductor 구조의 결정 구조 및 전기적 특성에 관한 연구

신동석(Dong-Suk Shin),최훈상(Hoon-Sang Choi),최인훈(In-Hoon Choi),이호녕(Ho-Nyung Lee),김용태(Yong-Tae Kim) 한국진공학회(ASCT) 1998 Applied Science and Convergence Technology Vol.7 No.3

본 연구에서는 강유전체 박막을 게이트 산화물로 사용한 Pt/SrBi₂Ta₂O_9(SBT)/CeO₂/Si(MFIS)와 Pt/SBT/Si(MFS) 구조의 결정 구조 및 전기적 성질의 차이를 연구하였다. XRD 및 SEM 측정 결과 SBT/CeO₂/Si 구조의 경우 SBT/Si 구조에 비해 SBT 박막이 더 큰 결정립이 형성되었다. HRTEM 측정으로 SBT/CeO₂/Si 박막은 약 5 ㎚ 정도의 SiO₂층이 형성되었고 비교적 평탄한 계면의 미세구조를 가지는 반면, SBT/Si는 각각 약 6 ㎚ 와 7 ㎚ 정도의 SiO₂층과 비정질 중간상층이 형성되었음을 알 수 있다. 즉 CeO₂박막을 완충층으로 사용함으로써 SBT 박막과 Si 기판의 상호 반응을 적절히 억제할 수 있음을 확인하였다. Pt/SBT/CeO₂/Pt/SiO₂/Si와 Pt/SBT/Pt/SiO₂/Si 구조에서 Polarization-Electric field(P-E) 특성을 비교해 본 결과 CeO₂박막의 첨가에 따라 잔류분극값은 감소하였고 항전계값은 증가하였다. MFIS 구조에서 memory window값은 항전계값과 직접적 관련이 있으므로 이러한 항전계값의 증가는 MFIS 구조에서의 memory window값이 증가할 수 있음을 나타낸다. Pt/SBT(140 ㎚)/CeO₂(25 ㎚)/Si 구조에서 Capacitance-Voltage(C-V) 측정 결과로부터 동작전압 4-6 V에서 memory windows가 1-2 V 정도로 나타났다. SBT 박막의 두께가 증가할수록 memory window값은 증가하였는데 이는 SBT 박막에 걸리는 전압강하가 증가하기 때문인 것으로 생각되어진다. Pt/SBT/CeO₂/Si의 누설전류는 10^(-8) A/㎠ 정도였고 Pt/SBT/Si 구조에서는 약 10^(-6)A/㎠ 정도로 약간 높은 값을 나타내었다. We have investigated the crystal structure and electrical properties of Pt/SBT/CeO₂/Si(MFIS) and Pt/SBT/Si(MFS) structures for the gate oxide of ferroelectric memory. XRD spectra and SEM showed that the SBT film of SBT/CeO₂/Si structure had larger grain than that of SBT/Si structure. Furthermore HRTEM showed that SBT/CeO₂/Si had 5 ㎚ thick SiO₂ layer and very smooth interface but SBT/Si had 6 ㎚ thick SiO₂ layer and 7 ㎚ thick amorphous intermediate interface. Therefore, CeO₂ film between SBT film and Si substrate is confirmed as a good candidate for a diffusion barrier. The remanent polarization decreased and coercive voltage increased in Pt/SBT/CeO₂/Pt/SiO₂/Si structure. This effect may increase memory window of MFIS structure directly related to the coercive voltage. From the capacitance-voltage characteristics, the memory windows of Pt/SBT(140 ㎚)/CeO₂(25 ㎚)/Si structure were in the range of 1~2 V at the applied voltage of 4~6 V. The memory window increased with the thickness of SBT film. These results may be due to voltage drop applied at SBT films. The leakage currents of Pt/SBT/CeO₂/Si and Pt/SBT/Si were 10^(-8) A/㎠ and 10^(-6) A/㎠, respectively.

비파괴 판독형 메모리 소자를 위한 저유전율 강유전체 YMnO₃ 박막의 특성 연구

김익수(Ik Soo Kim),최훈상(Hoon Sang Choi),최인훈(In-Hoon Choi) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.3

YMnO₃ 박막은 고주파 스퍼터를 사용하여 Si(100)과 Y₂O₃/Si(100) 기판에 증착하였다. 증착 시에 산소 분압의 조건과 열처리 온도는 YMnO₃ 박막의 결정성과 그 메모리 윈도우의 특성에 매우 중요한 영향을 주었다. XRD 측정 결과 산소 분압 0%에서 증착후 870℃에서 1시간 동안 후열처리한 YMnO₃ 박막은 c-축을 따라 매우 잘 배향 되었음을 확인하였다. 반면 산소분압 20%에서 Si(l00)과 Y₂O₃/Si(100) 기판위에 증착된 YMnO₃ 박막의 결정화는 XRD 측정 결과 Y₂O₃ peak가 보이는 것으로 보아 YMnO₃ 박막내에 과잉의 Y₂O₃가 c-축으로의 배향을 억제하는 것을 알 수 있다. 특히 산소분압 0% 에서 증착한 Pt/YMnO₃/Y₂O₃/Si 구조에서의 메모리 윈도우 특성은 c-축으로 잘 배향된 결과로 인해 인가전압 2~12V에서 0.67~3.65V이었으며 이는 Y₂O₃/Si 기판위에 산소분압 20% 에서 증착한 박막 (0.19~1.21V)보다 동일한 인가전압에서 3배 정도의 큰 메모리 윈도우 특성을 보였다. YMnO₃ thin films are deposited on Si(100) and Y₂O₃/Si(100) substrate by radio frequency sputtering. The deposition condition of oxygen partial pressure and annealing temperature have significant influences on the preferred orientation of YMnO₃ film and the size of memory window. The results of x-ray diffraction show that the film deposited in the oxygen partial pressure of 0% is highly oriented along c-axis after annealing at 870℃ for 1hr in oxygen ambient. However, the films deposited on Si and Y₂O₃/Si in the oxygen partial pressures of 20% show Y₂O₃ peak, the excess Y₂O₃ in the YMnO₃ film suppresses the c-axis oriented crystallization. Especially memory windows of the Pt/YMnO₃/Y₂O₃/Si capacitor are 0.67~3.65 V at applied voltage of 2~12 V, which is 3 times higher than that of the film deposited on ₃/Si in 20% oxygen (0.19~1.21 V) at the same gate voltage because the film deposited in 0% oxygen is well crystallized along c-axis.

RF 마그네트론 스퍼터링법에 의한 MFM 구조의 SrBi₂Ta₂O9 박막 특성에 관한 연구

이후용(Hu-Yong Lee),최훈상(Hoon-sang Choi),최인훈(In-Hoon Choi) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.2

RF magnetron sputtering법으로 SrBi₂Ta₂O_9 (SBT)박막을 상온에서 p-type Si(100) 기판위에 증착하여 DRO 강유전체 메모리(destructive read out ferroelectric random access memory)에 사용되는 강유전체막으로 Pt/SBT/Pt/Ti/SiO₂/Si (MFM)구조의 응용가능성을 확인하였다. 구조적인 특징들이 열처리 시간의 변화와 Ar/O₂의 가스 유량비의 변화에 따라서 XRD(x-ray diffractometer)에 의해 관찰되었으며 표면 특성은 FE-SEM(field emission scanning electron microscopy)에 의해서 관찰하고 박막의 전기적 특성들은 P-V(polarization-voltage measurement)와 I-V(current-voltage measurement)를 사용하여 관찰하였다. 스퍼터링 증착시 Ar/O₂의 가스 유량비는 1:4에서 4:1까지 변화 시켰고 SBT박막은 상온에서 증착시켰다. XRD 측정시 박막들은 SBT의 (105), (110) peak들을 나타내었다. 상온에서 증착시킨 박막은 l시간, 2시간 동안 산소 분위기에서 800℃열처리를 하여 결정화 시켰다. SBT 박막의 P-V곡선은 이력 곡선의 모양을 갖추었으며 비대칭적인 강유전체 특정을 나타내었다. Ar/O₂ 가스유량비가 1:1, 2:1인 경우에 박막의 누설 전류밀도 값이 제일 좋았으며, 그 값은 3V, 5V, 7V에서 각각 3.11×10^(-8) A/㎠, 5×10^(-8) A/㎠, 7×10^(-8) A/㎠이었다. 열처리 시간을 2시간으로 증가시킨 후, 그들의 전기적 특성과 결정화특성이 개선됨을 확인하였다. AES분석 및 EPMA분석으로 SBT박막의 깊이 분포 및 조성을 확인하였다. SrBi₂Ta₂O_9 (SBT) films were deposited on p-type Si(100) at room temperature by rf magnetron sputtering method to confirm the possibility of application of Pt/SBT/Pt/Ti/SiO₂/Si structure (MFM) for destructive read out ferroelectric RAM (random access memory). Their structural characteristics with the various annealing times and Ar/O₂ gas flow ratios in sputtering were observed by XRD (X-ray diffractometer) and the surface morphologies were observed by FE-SEM (field emission scanning electron microscopy), and their electrical properties were observed by P-V (polarization-voltage measurement) and I-V (current-voltage measurement). The Ar/O₂ gas flow ratios of sputtering gas were changed from 1:4 to 4:1 and SBT thin films were deposited at room temperature. The films show (105), (110) peaks of SBT by XRD measurement. SBT thin films deposited at room temperature were crystallized by furnace annealing at 800℃ in oxygen atmosphere during either one hour or two hours. Among their electrical properties, P-V curves showed shaped hysteresis curves, but the SBT thin films showed the asymmetric ferroelectric properties in P-V curves. When Ar/O₂ gas flow ratios are 1:1, 2:1, the leakage current density values of SBT thin films are good, those values of 3V, 5V, nd 7V are respectively 3.11×10^(-8) A/㎠, 5×10^(-8) A/㎠, 7×10^(-8) A/㎠. After two hours of annealing time, their electrical properties and crystallization are improved.

단일 공정에 의한 고효율 단일모드 반도체 레이저 구조 제작을 위한 고밀도 양자 나노구조 형성

손창식,백종협,김성일,박용주,김용태,최훈상,최인훈,Son, Chang-Sik,Baek, Jong-Hyeob,Kim, Seong-Il,Park, Young-Ju,Kim, Yong-Tae,Choi, Hoon-Sang,Choi, In-Hoon 한국재료학회 2003 한국재료학회지 Vol.13 No.8

We have developed a new way of the constant growth technique to maintain a grating height of originally-etched V-groove of submicron gratings up to 1.5 $\mu\textrm{m}$ thickness by a low pressure metalorganic chemical vapor deposition. The constant growth technique is well performed on two kinds of submicron gratings that made by holography and electron (e)-beam lithography GaAs buffer layer grown on thermally deformed submicron gratings has an important role in recovering the deformed grating profile from sinusoidal to V-shaped by reducing mass transport effects. The thermal deformation effect on submicron gratings made by e-beam lithography is less than that on submicron gratings made by holography. The constant growth technique is an important step to realize complex optoelectronic devices such as one-step grown distributed feedback lasers and two-dimensional photonic crystals.