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VPE 법에 의한 GaAs Epilayer 의 성장조건에 관한 연구
최인훈,이승무,서상희,장태용,송원준 고려대학교 공학기술연구소 1993 고려대학교 생산기술연구소 생기연논문집 Vol.29 No.1
The growth of an epitaxial layer on a GaAs substrate was carried out by the system of Ga/AsCl₃/H₂. To establish optimum growth parameters, thermodynamic analysis was made first and the result was compared with the experimental one. Among many parameters, the mole fraction of AsCl₃ in H₂ and the flow rate of carrier gas were variable and the other parameters, such as source and seed temperature, temperature gradient, substrate orientation, reaction time and reactor pressure, were fixed during the experiment. A little difference was found between the growth rate analized by a simple thermodynamic model and that measured from the experiment. From the results, as a flow rate of carrier gas increased, the rate-determining step was changed from mass-input-limited step to kinetic-limited step. Surface morphologies were not affected by both the flow rate and the change of mole fraction.
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GaAs1-x Px 에피층에서의 성분구배에 따른 Misfit 전위의 거동 및 그에 따른 전기적 특성
최인훈,민석기,한철원 고려대학교 공학기술연구소 1985 고려대학교 생산기술연구소 생기연논문집 Vol.21 No.1
The cross hatch pattern appears on the surface of GaAs_(1-x)P_x heteroepitaxy grown with (100) GaAs substrate by vapor phase epitaxy (VPE). This pattern is known to be originated from the lattice mismatch at the interface of GaAs_(1-x)P_x and GaAs substrate. In this work, we investigate the effect of phosphine gradient on the behavior of misfit dislocations. It is found that the density of inclined dislocations and the leakage current density have a linear dependence upon phosphorus gradient (%P/㎛) in the grown epilayers which is measured by electron probe micro analysis (EPMA). When the phosphine gradient (ε:㎖/㎛) during the epitaxial growth exceeds the critical value (ε=2.2㎖/㎛) microcracks appeared on the surface. We found also the electrical properties of the grown epi-layers by the Hall measurement after the step etching. The obtained electron mobility is decreased from 1340 ㎠/v·sec to 870㎠~/v·sec at 300 K along the distance from the substrate to the epi-surface.
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냉간가공과 그후의 열처리가 GaAs 단결정의 Degradation 에 미치는 영향
최인훈,민석기,김철우 고려대학교 공학기술연구소 1984 고려대학교 생산기술연구소 생기연논문집 Vol.19 No.1
The effects of the cold working and subsequent heat treatment on the characteristics of GaAs single crystals were studied in this experiment. When the GaAs wafters with thickness of about 400㎛ were thinned to about 50㎛ by abrading one face with 10㎛ Al₂O₃ abrasive and sequentially annealed at 500℃ for 3 minutes under N₂ gas flow, the carrier concentrations measured at the opposite face were decreased from 5.8×10^(17)㎝^(-3) to 1.5×10^(17)㎝^(-3) and the breakdown voltages were increased to about 30%. Before annealing the abraded wafers, there was no increment in the dislocation density on the opposite face. After annealing the same wafter with 50㎛ under the above condition, the dislocation on the opposite face was increased from 7.4×10³ pits/㎠ to 1.7×10^5 pits/㎠. In a wafer with the dislocation density more than 2× 10⁴ pits/㎠, the carrier concentrations were lower and the breakdown voltages were higher in the position of the higher dislocation density. It is supposed that the degradation of the crystal was related to the generation of the dislocations during such treatments. The depth of damaged layer in the (111) face of GaAs wafers due to abrasion with 10㎛ Al₂O₃ abrasive was about 10㎛. There is little difference of the depth of damaged layer between before and after heat treatment.
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매립형 InGaAsP/InP 레이저 다이오드 제작을 위한 질량 이동 현상에 관한 연구
최인훈,이종민,신동석,Choi, In-Hoon,Lee, Jong-Min,Sin, Dong-Suk,Singer, K.E. 한국재료학회 1998 한국재료학회지 Vol.8 No.5
매립형 InGaAnP/InP 레이저 다이오드 제작을 위한 질량 이동 현상의 최적화에 대한 연구를 수행하였다. Double heterostructure 레이저 다이오드 구조의 1차 성장은 액상 에피 성장 장치를 이용하였으며, 메사 에칭하였다. 활성층을 [110] 방향으로 선택적으로 에칭 한 후, 액상 에피 성장 장치를 이용하여 질량 이동 현상을 발생시켜 매립형 구조를 형성시켰다. 질량 이동 현상의 임계온도는 40분간 유지시켰을 때 $670^{\circ}C$로 나타났으며 재현성 있게 질량 이동 현상이 발생하였다. 질량 이동 현상에 의해 성장된 층의 폭은 온도증가에 따라 약간 증가하였다. The conditions for optimizing mass transport for making buried heterostructure (BH) InGaAsP/lnP lasers are discussed. The double heterostructure InGaAsP/lnP laser structures were grown by Liquid Phase Epitaxy (LPE) and etched into mesas. The active layer was selectively etched along [llO] and the mass transport was carried out in the LPE reactor to cover the sides of the active layer and form a BH structure. The threshold temperature for the appreciable mass transport is measured to be 670$670^{\circ}C$ when the holding time is set to 40 min. The width of the region re¬filled by mass transport is observed to increase as the temperature increases.
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2010년을 향한 과학기술발전 장기계획(소재·물질·공정기술 부문)
최인훈,고훈영,조영상,금동화 과학기술정책연구원 1995 연구보고 Vol.- No.-
앞으로 다가올 21 세기는 냉전 이데올로기를 대체할 새로운 세계질서가 둥장할 것이라는 예견 속에서 한반도 주변의 급속한 정세 변화와 재편 과정이 이미 목도되고 있다. 도도한세계사의 흐름에 적극적으로 참여하여 선진복지국가의 실현을 추구하기 위해서는 과학기술을 중심으로 전개될 21 세기의 문명사를 깊고 먼 혜안으로 조망함이 바람직하다. 또한 새롭게 출범하는 WTO체제하에서 개방과 자유화가 개별 국가정책의 기조로 되면서 상품의 교역은 물론이고 국가간의 자본 · 인력 · 정보 · 과학기술의 교류는 필연적으로 세계를 하나의 지구촌 개념으로 묶을 것이며 이것이 바로 무한경쟁시대를 구성하는 요소들이 될 것이라는 전망이다.그렇다면 이러한 새로운 국제 질서 속에서 변화의 주역이 될 과학기술혁신의 모습은 무엇이고 이를 위한 전략과 지향하는 방향은 과연 어떻게 그려질 수 있겠는가? 이 물음에 국가적 이정표로 답하기 위해 많은 전문가들이 참여하여 “2010年을 向한 科學技術發展長期計劃’의 부문별 밑그림을 마련하기에 이르렀다. 이러한 배경에서 먼저 분야별 저명인사들로‘2010 장기계획위원회’를 구성하여 과학기술 장기 발전 전략의 얼개에 대한 자문을 받은 후, 관련 정부 부처와 총괄 연구팀에서 계획의 골격을 세웠으며, 여기에 8개 기술 부문 위원회와 4개 지원 및 제도 부문위원회의 부문별 발전계획과 구상을 담아 최종 계획(안)을 수립한다는 방침을정했다.이러한과정에서 본 연구소의 총괄 연구팀이 제시한작성 지침을토대로부문별 전문가들이 작성한 결과물이 바로 이 보고서이다. 주요 내용으로는 현재의 연장선상에서, 또 한편으론 이를 뛰어넘기도 하면서 미래에 전개될 기술 발전의 모습을 예측하고, 우리의 현재 여건과미래 역량을고려하여 기술개발의 목표와중점추진과제를선정하였으며, 개발과상업화에 이르는 방법과 소요 자원, 바람직한 추진 체제 동을 계획하였다. 이와 함께 과학기술 발전을 위한 하부구조 및 바람직한 행정체제와 관련한 부문에서도 미래사회의 국가경쟁력 확보와 삶의 질 향상에 기여하기 위한 정책 대안들을 모색하였다. 이 과정에서 항상 염두에 두었던 것은 국가경쟁력 향상과 지구적 문제의 해결을 지향하는 기술혁신이 조화를 이루어야 한다는 명제였다. 이 보고서에 제시된 부문별 발전계획은 현재 추진되고 있는 국가의 “신경제 계획”과〕‘세계화전략’의 틀속에서 계속적으로수정 ·보완되어야하며, 계획의 실천에 있어서도 다른 부문의 계획들과 연동하여 추진되어야 할 것이다.
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