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저온 제작 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 off-current메카니즘에 관한 연구
진교원,김진,이진민,김동진,조봉희,김영호,Chin, Gyo-Won,Kim, Jin,Lee, Jin-Min,Kim, Dong-Jin,Cho, Bong-Hee,Kim, Young-Ho 한국전기전자재료학회 1996 電氣電子材料學會誌 Vol.9 No.10
The conduction mechanisms of the off-current in low temperature (.leq. >$600^{\circ}C$) processed polycrystalline silicon thin film transistors (LTP poly-Si TFT'S) have been systematically studied. Especially, the temperature and bias dependence of the off-current between hydrogenated and nonhydrogenated poly-Si TFT's were investigated and compared. The off-current of nonhydrogenated poly-Si TF's is because of a resistive current at low gate and drain voltage, thermally activated current at high gate and low drain voltage, and Poole-Frenkel emission current in the depletion region near the drain at high gate and drain voltage. After hydrogenation it has shown that the off -current mechanism is caused mainly by thermal activation and that the field-induced current component is suppressed.
p-채널 Poly-Si TFT s 소자의 Hot-Carrier 효과에 관한 연구
진교원,박태성,백희원,이진민,조봉희,김영호 한국전기전자재료학회 1998 전기전자재료학회논문지 Vol.11 No.9
Hot carrier effects as a function of bias stress time and bias stress consitions were syste-matically investigated in p-channel poly-Si TFT s fabricated on the quartz substrate. The device degradation was observed for the negative bias stress, while improvement of electrical characteristic except for subthreshold slope was observed for the positive bias stress. It was found that these results were related to the hot-carrier injection into the gate oxide and interface states at the poly-Si/$SiO_2$interface rather than defects states generation within the poly-Si active layer under bias stress.
박태성,진교원,김영호,한은주,김근묵,Park, Tae-Seong,Jin, Gyo-Won,Kim, Yeong-Ho,Han, Eun-Ju,Kim, Geun-Muk 한국재료학회 1997 한국재료학회지 Vol.7 No.11
열증착법에 의해서 온도 85$^{\circ}C$인 glass기판 위에 CdS 박막을 제작하였다. 두께가 200nm정도로 측정된 CdS박막은 공기 중에서 온도 25$0^{\circ}C$-55$0^{\circ}C$범위에서 각각 30분간 열처리 되었으며 이들 시료에 대하여 4-point probe, XRD, SEM, UV-Spectrophotometer 및 광발광 측정으로 전기적 광학적 특성을 조사하였다. 이들의 일련의 실험값은 열처리 온도 37$0^{\circ}C$ 근처에서 구조의 변화를 보여주었는데, 열처리 온도에 대한 비저항아니 XRD, SEM 의 측정은 cubic로부터 hexagonal구조로의 변환을 나타내었다. 특히 상온에서 측정한 광발광에서 green edge emission(GEE)피이크가 2.42eV를 나타내었는데 이 때의 발광 중심은 열처리할 때 생긴 S-vacancy에 보상된 산소로 이루어진 'CdO'의 악셉터준위에 기인하는 것으로 해석되며 그 이온화 에너지는 약 0.16eV이었다.