http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
조영균,Cho, Young-Kyun Convergence Society for SMB 2021 융합정보논문지 Vol.11 No.7
본 핀 채널 전계 효과 트랜지스터에서 낮은 소스/드레인 직렬 저항을 위한 새로운 선택적 산화 방식을 제안하였다. 이 방법을 이용하면, gate-all-around 구조와 점진적으로 증가되는 형태의 소스/드레인 확장영역을 갖는 핀 채널 MOSFET를 얻을 수 있다. 제안된 트랜지스터는 비교 소자에 비해 70% 이상의 소스/드레인 직렬 저항의 감소를 얻을 수 있다. 또한, 제안된 소자는 단채널 효과를 억제하면서도 높은 구동 전류와 전달컨덕턴스 특징을 보인다. 제작된 소자의 포화전류, 최대 선형 전달컨덕턴스, 최대 포화 전달컨덕턴스, subthreshold swing, 및 DIBL은 각각 305 ㎂/㎛, 0.33 V, 13.5 𝜇S, 76.4 𝜇S, 78 mV/dec, 62 mV/V의 값을 갖는다. A novel selective oxidation process has been developed for low source/drain (S/D) series resistance of the fin channel metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). Using this technique, the selective oxidation fin-channel MOSFET (SoxFET) has the gate-all-around structure and gradually enhanced S/D extension regions. The SoxFET demonstrated over 70% reduction in S/D series resistance compared to the control device. Moreover, it was found that the SoxFET behaved better in performance, not only a higher drive current but also higher transconductances with suppressing subthreshold swing and drain induced barrier lowering (DIBL) characteristics, than the control device. The saturation current, threshold voltage, peak linear transconductance, peak saturation transconductance, subthreshold swing, and DIBL for the fabricated SoxFET are 305 ㎂/㎛, 0.33 V, 13.5 𝜇S, 76.4 𝜇S, 78 mV/dec, and 62 mV/V, respectively.
전력증폭기의 효율 및 선형성 개선을 위한 포락선 제거 및 복원 송신기
조영균(Young-Kyun Cho),김창완(Changwan Kim),박봉혁(Bong Hyuk Park) 한국전자파학회 2015 한국전자파학회논문지 Vol.26 No.3
본 논문에서는 3-레벨 인코딩 기법을 적용하여 시스템의 효율과 선형성을 개선할 수 있는 새로운 구조의 EER 송신기를 제안하였다. 제안된 송신기는 첨두 전력 대 평균 전력비에 상관없이 동일한 크기의 신호만을 증폭하고, 채널대역 내의 양자화 노이즈를 감소시켜 높은 효율을 얻을 수 있으며, 포락선 신호와 위상 신호 간 시간 부정합 특성을 개선하여 높은 선형성을 가질 수 있도록 하였다. 130 nm CMOS 공정으로 제작된 송신기 칩은 8.5 dB의 첨두 전력 대 평균전력비를 갖는 LTE 20 MHz 신호에 대해 2.13 GHz의 반송주파수에서 3.7 %의 오류 벡터 크기와 37.5 dBc의 인접 채널 누설비 특성을 보인다. An envelope elimination and restoration transmitter that uses a tri-level envelope encoding scheme is presented for improving the efficiency and linearity of the system. The proposed structure amplifies the same magnitude signal regardless of the input peak-to-average power ratio and reduces the quantization noise by spreading out the noise to the out-of-band frequency, resulting in the enhancement of power efficiency. An improved linearity is also obtained by providing a new timing mismatch calibration technique between the envelope and phase signal. Implementation in a 130 nm CMOS process, transmitter measurements on a 20-MHz long-term evolution input signal show an error vector magnitude of 3.7 % and an adjacent channel leakage ratio of 37.5 dBc at 2.13 GHz carrier frequency.
남재원,조영균,Nam, Jae-Won,Cho, Young-Kyun 중소기업융합학회 2021 융합정보논문지 Vol.11 No.9
본 연구는 시간-보간법을 적용한 FLASH analog-to-digital converter (ADC)에 관한 것이다. 시간-보간법은 기존의 FLASH ADC에서 요구되는 전압영역 비교기의 개수를 줄일 수 있으며 이 따른 전력 소모 및 칩 면적의 절약을 기대할 수 있다. 본 연구에서는 5-bit, 즉 31개의 양자화 레벨을 갖는 ADC를 설계 및 구현하였으며, 16개의 양자화 레벨은 기존의 전압영역 비교기 방식을 유지하고, 나머지 15개의 양자화 레벨은 시간영역 비교기를 통하여 처리되도록 구성하여, 기존 5-bit FLASH ADC 대비 전압영역 비교기의 숫자를 48.4% 줄일 수 있었다. 시제품은 14 nm Fin Field-effect transistor (FinFET) 공정으로 제작되었으며 구현면적은 0.0024 mm<sup>2</sup>, 전력소모는 0.8 V 전원전압에서 0.82 mW로 측정되었으며, 400 MS/s의 변환속도 21 MHz 정현파 입력에 대하여 ADC는 28.03 dB의 신호-대-잡음비 (SNDR), 즉 4.36 유효비트(ENOB)의 성능을 보였다. A time-interpolation technique has been applied to the conventional FLASH analog-to-digital converter (ADC) to increase a number of quantization level, thus it reduces not only a power dissipation, but also minimize an active chip area. In this work, we demonstrated 5-bit ADC which has 31 quantization levels consisting of 16 conventional voltage-mode comparators and 15 time-mode comparators. As a result, we have achieved about 48.4% voltage-mode comparator reductions. The ADC is fabricated in a 14nm fin Field-effect transistor (FinFET) process with an active die area of 0.0024 mm2 while consuming 0.82 mW through a 0.8 V supply. At 400-MS/s conversion rate, the ADC performs 28.03 dB SNDR (4.36 ENOB) at 21MHz input frequency.
안종훈,김태호,우승철,조영균,김도완,Ahn, Jong Hoon,Kim, Tae Ho,Woo, Seung Cheol,Cho, Young Kyun,Kim, Do Wan 한국시스템엔지니어링학회 2010 시스템엔지니어링학술지 Vol.6 No.1
The ground high/low temperature test objective is to check the normal ground operation of FA-50 aircraft in the extreme ground ambient conditions. The aircraft was exposed in climatic conditions of the basic climatic category according to the MIL-HDBK-310. For verified normal operation in the extreme high temperature, the high temperature test was performed in the hot regional type conditions and accentuated solar radiation heat. This test was performed at the test chamber in ADD where is in Haemi. This paper was described about the test procedure of FA-50 high/low temperature including preparation, testing and results.