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Comparative Study of the Dehydrofluorination of the Structural Isomers of $C_2H_2F_4$
정경훈,Tschuikow-Roux, E.,Maltman, K. R.,Millward, G. M.,Jung, K. H. 대한화학회 1979 대한화학회지 Vol.23 No.3
1,1,2,2-$C_2H_2F_4$와 1,1,1,2-$C_2H_2F_4$의 아르곤가스와의 묽은 혼합물의 열분해반응을 충격관을 사용 1146와 $1232^{\circ}K$하 전체반사충격압의 3000 torr 근처에서 관찰하였다. 이들 조건하에서 반응은 주로 플루오르화수소의 분자제거반응을 보였다. ${\alpha}$-탄소의 수소가 전부 플루오르로 치환된 이성질체는 다른 이성질체에 비하여 상당히 높은 활성화에너지를 나타내었으며 이는 이성질체간에 전하밀도의 차이에 기인한 것으로 추측된다. 반응속도 상수의 비는 다음식 $log(k_1/k_2) = -0.069 {\pm} 0.021 + (1388{\pm}113)/ 2.303RT$ 로 주어졌으며 이는 독립된 관측을 통해서 얻어진 값들과 좋은 일치를 보여 주었다. The thermal decomposition of a dilute mixture of 1,1,2,2,-$C_2H_2F_4$ in argon has been investigated in a single-pulse shock tube between 1146 and $1232^{\circ}K$ at total reflected shock pressures of about 3000 torr. Under these conditions the reaction proceeds exclusively by the molecular elimination of hydrogen fluoride. It has been found that the asymmetric isomer with the fully fluorinated ${\alpha}$-carbon requires the higher activation energy which may be attributed to the difference in atomic charge densities between isomers. The rate constant ratio is given by $log(k_1/k_2) = -0.069 {\pm} 0.021 +(1388{\pm}113) / 2.303RT$ in good agreement with previous independent studies.
Row Driver 회로가 집적된 2.2-inch QCIF+ a-Si TFT-LCD
윤영준,한승우,정철규,정경훈,김하숙,김서윤,임영진,Yun, Y.J.,Han, S.W.,Jung, C.G.,Chung, K.H.,Kim, H.S.,Kim, S.Y.,Lim, Y.J. 한국전기전자재료학회 2005 전기전자재료학회논문지 Vol.18 No.3
A 2.2-inch QCIF+(176${\times}$RGB${\times}$220) TFT-LCD with integrated row driver was developed using a standard amorphous silicon TFT technology. At low temperature, the integrated row driver operation is dramatically effected by the electron drift mobility reduction(■50 %) and the threshold voltage shift (■1V) of the a-Si TFT. We studied the dependency of circuit design and found that higher on-current circuit is important to guarantee good operation in wide temperature range.