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약국 서비스 품질 측정을 위한 SERVPERF 모형과 Non-Difference Score Model의 비교 분석
이상민(S M. Lee),홍정완(J W, Hong),권경희(K.H. Kwon),장우진(W J, Chang) 대한산업공학회 2008 대한산업공학회 추계학술대회논문집 Vol.2008 No.11
The competition factors are increasing both internally and externally after the new policy requiring Separation of Prescribing and Dispensing on 2000 in Korea. From these factor, domestic pharmacy market can not survive without understanding customers" changed needs. So, a new paradigm to satisfy customers" changed needs is required. This study uses SERVPERF and Non-Difference Score methods to measure the quality of the service which pharmacies provide. SERVPERF and Non-Difference Score model are used for the survey. Two methods are compared using Regression Analysis and LISREL analysis. The conclusion shows the factors which can influence the quality of the service and the correlation between the factors and the quality of the service. Also, a method is chosen to measure the quality of the service for the pharmacy more precisely. Analysis shows that SERVPERF is better than Non-Difference Score to measure the quality of the pharmacy service.
장우진,문재경,이형석,임종원,백용순,Chang, W.,Mun, J.K.,Lee, H.S.,Lim, J.W.,Baek, Y.S. 한국전자통신연구원 2018 전자통신동향분석 Vol.33 No.6
In this paper, we review the technical trends of diamond and gallium oxide ($Ga_2O_3$) semiconductor technologies among ultra-wide bandgap semiconductor technologies for harsh environments. Diamond exhibits some of the most extreme physical properties such as a wide bandgap, high breakdown field, high electron mobility, and high thermal conductivity, yet its practical use in harsh environments has been limited owing to its scarcity, expense, and small-sized substrate. In addition, the difficulty of n-type doping through ion implantation into diamond is an obstacle to the normally-off operation of transistors. $Ga_2O_3$ also has material properties such as a wide bandgap, high breakdown field, and high working temperature superior to that of silicon, gallium arsenide, gallium nitride, silicon carbide, and so on. In addition, $Ga_2O_3$ bulk crystal growth has developed dramatically. Although the bulk growth is still relatively immature, a 2-inch substrate can already be purchased, whereas 4- and 6-inch substrates are currently under development. Owing to the rapid development of $Ga_2O_3$ bulk and epitaxy growth, device results have quickly followed. We look briefly into diamond and $Ga_2O_3$ semiconductor devices and epitaxy results that can be applied to harsh environments.
자동차용 WBG 전력반도체 및 전력변환 모듈과 ETRI GaN 소자 기술
고상춘,장우진,정동윤,박영락,전치훈,남은수,Ko, S.C.,Chang, W.J.,Jung, D.Y.,Park, Y.R.,Jun, C.H.,Nam, E.S. 한국전자통신연구원 2014 전자통신동향분석 Vol.29 No.6
본고는 최근 화두가 되고 있는 에너지 절감을 위해 고효율, 친환경의 WBG(Wide Band-Gap) 화합물반도체인 SiC(Silicon Carbide), GaN(Gallium Nitride) 전력반도체 소자 및 전력변환 모듈의 기술동향과 ETRI에서 연구개발 진행 중인 GaN 전력반도체 관련 기술에 대해 기술한다. WBG 전력반도체는 기존의 실리콘 전력반도체와 비교하여 열 특성 향상, 고속 스위칭, 고전압/고전류 특성 및 스위칭 손실 최소화 등이 가능하고 이에 따른 시스템의 소형화 및 전력효율 향상 효과를 얻을 수 있다. 특히, GaN 전력반도체 소자는 시장이 가장 넓게 형성되어 있는 900V 이하에 적용이 가능하며, 앞으로 시장이 커질 것으로 예상되는 HEV(Hybrid Electric Vehicle)/EV(Electric Vehicle)의 친환경 자동차에도 활용될 것으로 기대되고 있다. 본고는 최근의 일본과 미국에서의 WBG 전력반도체에 대한 관심 및 투자 방향과 GaN 전력반도체 소자에 대한 해외 기업의 업계동향에 대해서도 함께 살펴본다. 이러한 WBG 전력반도체에 대한 해외 선진업체의 산업동향과 더불어 ETRI에서 연구개발 중인 GaN 전력반도체 기술현황에 대해 전력소자 설계 및 제조공정, 패키징, 전력모듈 설계 제작 기술을 포함하여 기술한다.
5G 이동통신을 위한 GaN RF 전자소자 및 집적회로 기술 동향
이종민,민병규,장우진,지홍구,조규준,강동민,Lee, J.M.,Min, B.G.,Chang, W.J.,Ji, H.G.,Cho, K.J.,Kang, D.M. 한국전자통신연구원 2021 전자통신동향분석 Vol.36 No.3
As the 5G service market is expected to grow rapidly, the development of high-power, high-efficiency power amplifiers for the 5G communication infrastructure is indispensable. Gallium nitride (GaN) is attracting great interest as a key device in power devices and integrated circuits due to its wide bandgap, high carrier concentration, high electron mobility, and high-power saturation characteristics. In this study, we investigate the technology trends of Ka-band GaN radio frequency (RF) power devices and integrated circuits for operation in the millimeter-wave band of recent 5G mobile communication services. We review the characteristics of GaN RF high electron mobility transistor (HEMT) devices to implement power amplifiers operating at frequencies around 28 GHz and compare the technology of foreign companies with the device characteristics currently developed by the Electronics and Telecommunication Research Institute (ETRI). In addition, the characteristics of Ka-band GaN monolithic microwave integrated circuit (MMIC) power amplifiers manufactured using various GaN HEMT device technologies are reviewed by comparing characteristics such as frequency band, output power, and output power density of integrated circuits. In addition, by comparing the performance of the power amplifier developed by ETRI, the current status and future direction of domestic GaN power devices and integrated circuit technology will be discussed.
문재경,배성범,장우진,임종원,남은수,Mun, J.K.,Bae, S.B.,Chang, W.J.,Lim, J.W.,Nam, E.S. 한국전자통신연구원 2012 전자통신동향분석 Vol.27 No.1
차세대 화합물 반도체 플랫폼으로 각광을 받고 있는 GaN 전자소자 글로벌 연구개발 동향에 관하여 기술하고자 한다. GaN 전자소자는 와이드 밴드갭(Eg=3.4eV)과 고온 안정성($700^{\circ}C$) 등 재료적인 특징으로 인하여 고출력 RF 전력증폭기와 고전력용 전력반도체 응용에 큰 장점을 가진다. GaN 전자소자 기술동향에서는 먼저 미국, 유럽, 일본을 중심으로 한 대형 국책 연구프로젝트 분석을 통한 RF 전력증폭기 연구개발 방향을 살펴보고, 후반부에서는 이동통신 기지국, 선박 및 군용 레이더 트랜시버용 고출력 RF 전력증폭기의 응용 분야에 관하여 알아본다. 이러한 총체적인 동향분석을 통하여 차세대 반도체의 신시장 개척과 선진입을 위한 GaN 전자소자의 연구개발 방향과 조기상용화의 중요성을 함께 생각해보고자 한다.
차세대 고효율/고출력 반도체: GaN 전력소자 연구개발 현황
문재경,민병규,김동영,장우진,김성일,강동민,남은수,Mun, J.K.,Min, B.G.,Kim, D.Y.,Chang, W.J.,Kim, S.I.,Kang, D.M.,Nam, E.S. 한국전자통신연구원 2012 전자통신동향분석 Vol.27 No.4
차세대 에너지 절감 반도체로 각광을 받고 있는 GaN(Gallium Nitride) 전자소자의 연구개발 동향, 특히 전력증폭기용 GaN 기술동향에 관하여 기술하였다. GaN 전자소자는 와이드 밴드갭($E_g=3.4eV$)과 고온($700^{\circ}C$) 안정성 등 재료적인 특징으로 인하여 고출력 RF(Radio Frequency) 전력증폭기와 고전력 스위칭 소자로서 큰 장점을 갖는다. 본고에서는 차세대 GaN 전력소자의 주요 특성을 소개하고 미국, 유럽, 일본을 중심으로 한 대형 국책 연구 프로젝트 분석을 통한 GaN 전력소자 연구개발 방향 및 GaN 전력소자 시장과 주요 특허 현황을 살펴보았다. 또한 국내의 주요 연구개발 현황과 현재 수행 중이거나 완료된 연구개발 과제를 간략하게 언급하였다. 이러한 연구개발 현황분석을 통하여 GaN 기술의 중요성과 함께 국산화의 시급성을 강조하고자 한다.