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액상에피택시 방법에 의한 InP기판상의 GaAs 이종접합 박막 성장
김동근,이형종,임기영,장성주,장성주,김종빈,이병택,Kim, Dong-Geun,Lee, Hyeong-Jong,Im, Gi-Yeong,Jang, Seong-Ju,Jang, Seong-Ju,Kim, Jong-Bin,Lee, Byeong-Taek 한국재료학회 1994 한국재료학회지 Vol.4 No.5
LPE방법을 이용하여 InP기판 상에 GaAs이종접합 박막을 최초로 성장하였으며 제반 성장조건들이 박막특성에 미치는 영향을 NDIC광학현미경, SEM, TEM 및 DCXRD 등을 이용하여 조사하였다. 적정 LPE성장온도는 $720^{\circ}C$(냉각속도 $0.5^{\circ}C$/min.)이었으며 성장된 GaAs 박막의 표면형상은 융액 균질화 처리 시 기판을 InP cover웨이퍼로 보호한 경우가 In/InP 융액으로 보호한 경우에 비해 현저히 개선되었다. 박막 성장 시 Ga성장융액 내에 0.005wt% 정도의 Se을 첨가함으로서 기판의 열융해(meltback)현상이 억제되었고 박막의 표면 거칠기도 현저히 개선되었다. 미세 격자가 식각된 InP기판 상에 성장된 GaAs 박막의 DCXRD측정결과 미세 격자 패턴이 없는 기판 위에 성장된 시료보다 결정성이 더욱 향상되었으며 이는 TEM 관찰결과 GaAs/InP계면에서 생성된 전위들 중 일부가 상호반응에 의하여 미세격자 영역 내에 국한되기 때문으로 판단되었다. Optimum exper~mental conditions were established for the growth of heteroepitaxial GaAs layers on InP using liquid phase epitaxy (LPE) technique. Results showed that the optimum growth temperature was $720^{\circ}C$ at a cooling rate of $0.5^{\circ}C$/min. Surface morphology of the grown layers significantly improved by addition of about 0.005wt% Se to the Ga growth melt, which effectively suppressed melt-back of InP substrates into the melt during the initial stage of growth. It was observed that the quality of GaAs layers also improved substantially when the substrates patterned with grating structure were used, as determined by the (400) double crystal X-ray diffraction. The transmission electron microscopy observation indicated t.hat the misfit dislocations interact with each other at the grating region, resulting in a lower dislocation density in the upper GaAs layer.
중재적 시술에 사용하는 조영제의 요오드(<SUP>53</SUP>I) 함유량 차이에 따른 피폭선량 평가
박혁(Hyeok Bak),전주섭(Ju-Seob Jeon),김용완(Yong-Wan Kim),장성주(Seong-Joo Jang) 한국콘텐츠학회 2014 한국콘텐츠학회논문지 Vol.14 No.3
중재적 시술 및 혈관조영검사에 사용되는 조영제의 요오드 함유량 차이에 따른 흡수도와 피폭선량을 알아보았다. 실험에 사용된 조영제는 요오드 함유량(I ㎎/㎖)에 따라 240, 270, 300, 320, 350, 370, 400의 7종류를 사용하였으며, 그 결과 요오드 함유량이 많을수록 흡수도 및 피폭선량이 높아짐을 알 수 있었으며, TACE 검사에서도 조영제의 농도 270 I ㎎/㎖에 비해 350 I ㎎/㎖의 출력 선량이 8.5% 정도 증가하였다. 본 연구를 통해 조영제가 환자의 피폭선량에 영향을 주며 요오드 함유량이 많은 조영제일수록 환자의 피폭선량이 증가함을 알 수 있었다. The purpose ofthis study is to evaluate exposure dose and absorbability according to differences in the content of iodine in contrast media used in interventional procedure and angiography. There were 7 levels of iodine content as 240, 270, 300, 320, 350, 370, and 400 I ㎎/㎖. The higher iodine content was, the more elevated exposure dose and absorb ability were. The output dose was about 8.5% from iodine content with 350 I ㎎/㎖ higher than that with 270 I ㎎/㎖ inTACE. These results mean that contrast media can have an effect on patient’s exposure dose and high iodine content contrast media results in elevation of patient’s exposure dose.
Sentinel-2 위성영상을 이용한 하계 논벼와 동계작물 재배 필지 분류 및 정확도 평가
홍주표 ( Hong Joo-pyo ),장성주 ( Jang Seong-ju ),박진석 ( Park Jin-seok ),신형진 ( Shin Hyung-jin ),송인홍 ( Song In-hong ) 한국농공학회 2022 한국농공학회논문집 Vol.64 No.1
Up-to-date statistics of crop cultivation status is essential for farm land management planning and the advancement in remote sensing technology allows for rapid update of farming information. The objective of this study was to develop a classification model of rice paddy or winter crop fields based on NDWI, NDVI, and HSV indices using Sentinel-2 satellite images. The 18 locations in central Korea were selected as target areas and photographed once for each during summer and winter with a eBee drone to identify ground truth crop cultivation. The NDWI was used to classify summer paddy fields, while the NDVI and HSV were used and compared in identification of winter crop cultivation areas. The summer paddy field classification with the criteria of -0.195<NDWI<0.15 was 90.9% accurate on average when compared with ground truth. Model performance for the winter crop field classification was also excellent showing the accuracy greater than 98.2% on average for both models. However, cloud and greenhouses appeared to demonstrate optical similarity with paddy in the NDWI values, implying additional caution should be taken when removing cloud and greenhouse effects. Overall the developed methods for paddy and winter crop classification performed reasonably well at the irrigation district level and further studies are needed to investigate model performance at regional or national scales.
MOS 소자용 Silicon Carbide의 열산화막 생성 및 특징
오경영,이계홍,이계홍,장성주,O, Gyeong-Yeong,Lee, Gye-Hong,Lee, Gye-Hong,Jang, Seong-Ju 한국재료학회 2002 한국재료학회지 Vol.12 No.5
In order to obtain the oxidation layer for SiC MOS, the oxide layers by thermal oxidation process with dry and wet method were deposited and characterized. Deposition temperature for oxidation layer was $1100^{\circ}C$~130$0^{\circ}C$ by $O_2$ and Ar atmosphere. The oxide thickness, surface morphology, and interface characteristic of deposited oxide layers were measurement by ellipsometer, SEM, TEM, AFM, and SIMS. Thickness of oxidation layer was confirmed 50nm and 90nm to with deposition temperature at $1150^{\circ}C$ and $1200{\circ}C$ for dry 4 hours and wet 1 hour, respectively. For the high purity oxidation layer, the necessity of sacrificial oxidation which is etched for the removal of the defeats on the wafer after quickly thermal oxidation was confirmed.
화학증착 방법으로 Si(001)기판 상에 성장된 3C-SiC 이종접합 박막의 투과전자현미경 및 라만 특성분석
김동근,이병택,문찬기,김재근,장성주,Kim, Dong-Geun,Lee, Byeong-Taek,Mun, Chan-Gi,Kim, Jae-Geun,Jang, Seong-Ju 한국재료학회 1997 한국재료학회지 Vol.7 No.8
HMDS[Si$_{2}$(CH$_{3}$)$_{6}$]단일 선구체를 이용하여 화학증착 방법으로 성장된 3C-SiC/Si(001) 이종접합박막의 특성을 XRD, 라만 스펙트럼 및 투과전자현미경(TEM)등을 이용하여 조사하였으며 시판되고 있는 상용 3C-SiC/Si 시편을 같은 방법으로 분석하여 특성을 비교검토하였다. $C_{3}$H$_{8}$-SiH$_{4}$-H$_{2}$혼합가스를 선구체로 이용하여 5$\mu\textrm{m}$두께로 성장된 상용 3C-SiC/Si 이종접합박막 시료의 XRD스펙트럼에서는 강한 3C-SiC(002)피크 만이 관찰되었으며, 라만 스펙트럼의 LO피크는 970nm$^{-1}$ 정도에서 강하게 나타났다. TEM 관찰 결과 다수의 전위, 쌍정, 적층결함 및 APB와 같은 결정결함들이 3C-SiC/Si 계면 근처에 집중적으로 분포되어 있었으며 성장된 박막은 단결정임을 확인할 수 있었다. 선구체로 HMDS를 사용하여 0.3$\mu\textrm{m}$ 및 2$\mu\textrm{m}$ 두께로 성장시킨 3C-SiC/Si 박막 시료의 XRD 스펙트럼은 다소 완만한 3C-SiC(002) 피크와 함께 3C-SiC(111)피크가 관찰되었으며, TEM으로 확인한 결과 소경각 결정립들이 약 5˚-10˚ 정도 방위차를 가지고 성장하여 기둥구조(columnar structure)를 이루고 있기 때문임을 알 수 있었다. 라만 스펙트럼 분석 결과 박막의 LO 피크가 967-969nm$^{-1}$정도로 다소 낮은 wavenumber쪽으로 이동되어 박막 내에 상당한 응력이 존재함을 확인할 수 있었다. 이와 같은 HMDS 3C-SiC박막의 특성은 성장 온도가 낮고 박막 성장용 가스로 사용한 HMDS 선구체에서 탄소가 과잉으로 공급되기 때문으로 제안되었다.다.
선택적 LPE방법에 의한 GaAs가판 상의 InP이종접합 박막의 성장
이병택,안주헌,김동근,안병찬,남산,조경익,박인식,장성주,Lee, Byung-Teak,An, Ju-Heon,Kim, Dong-Keun,Ahn, Byung-Chan,Nahm, Sahn,Cho, Kyoung-Ik,Park, In-Shik,Jang, Seong-Joo 한국재료학회 1994 한국재료학회지 Vol.4 No.6
Heteroepitaxial InP/GaAs layers were grown using the selective liquid phase epitaxy (SLPE) technique. It was observed that the optimum LPE conditions were $660^{\circ}C$ growth temperature, $5^{\circ}C$ supercooling, and $0.4^{\circ}C$/min cooling rate. Maximum expitaxial layer overgrowth (ELO) of 110-160$\mu \textrm{m}$ was obtained when the seed was aligned along (112) orientation. Initial melt-back of the substrate was observed but limited to the seed region so that flat In-Ga-As-P layers were grpwn throughout the GaAs substrates. The InP/GaAs heteroepitaxial structure could be obtained by growing an additional InP layer on top of the In-Ga-As-P layer. 선택적 LPE방법을 이용하여 (111)B GaAs 기판 상에 InP연속 박막을 성장하고 그 특성을 평가하였다. 적정 LPE성장조건으로 성장온도 $660^{\circ}C$, 과냉도 $5^{\circ}C$, 냉각속도 $0.4^{\circ}C$/min였으며, 연구된 온도 범위에서 성장온도가 증가할수록 표면형상이 개선되었고 ELO의 넓이가 증가하였다. Seed방향이 <112>방향에서 110-160$\mu \textrm{m}$ 정도의 최대 ELO 넓이가 얻어졌으며 60-80$\mu \textrm{m}$정도의 마스크 간격에서 연속박막을 용이하게 성장할 수 있었다. LPE 성장초기에 기판 용해 현상이 발생하였으며 이에 따라 성장박막의 조성이 대략 $In_{0.85}Ga_{0.15}$As$_{0.01}P{0.99}$으로 변화하고 InP/GaAs계면 및 박막 표면형상이 거칠어졌으나 기판의 성장 부위가 제한됨에 따라 통상적인 LPE박막에 비교하여 매우 개선된 표면형상을 얻을 수 있었다. 두개의 성장융액을 이용하여 1차 박막성장 후 다시 InP 박막을 성장하는 2단성장 방법을 사용하여 순수한 InP/GaAs박막을 성장할 수 있었으며 단면 TEM분석 결과 SLPE성장박막으로 전파하는 활주전위는 산화막 마스크에 의해 효과적으로 차단됨을 알 수 있었다.