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사파이어 기판방향에 따른 GaN 박막의 표면탄성파 특성에 대한 이론적 계산
임근환,김영진,최국현,김범석,김형준,김수길,신영화 한국세라믹학회 2003 한국세라믹학회지 Vol.40 No.6
GaN/사파이어 박막구조는 높은 SAW속도로 인해 고주파 소자로 이용될 가능성이 있다. 일반적으로, GaN 박막은 사파이어의 c, a, 그리고 r-면에 성장한다. 본 연구에서는 사파이어의 기판과 GaN 박막사이의 결정학적 관계에 따라 GaN/사파이어 구조의 파동 방정식을 계산하였다. 각각의 면에서, GaN의 kH와 사파이어의 기판방향에 따라 전단속도가 변화하였다. 그 결과 r-면의 경우 전기기계결합계수가 우수했다. 즉, 재료의 탄성상수와 전기기계결합계수는 기판의 cut 방향과 방향성에 좌우된다. 또한, GaN/r-면 사파이어는 전기기계결합계수가 우수하므로 고주파수 대역 SAW 소자 응용에 보다 더 좋을 것이다. The GaN/sapphire layered structure is a potential candidate for high frequency devices due to high acoustic velocity of sapphire. Generally, the GaN thin films are epitaxially grown on c, a, and r-plane sapphire substrates. In this study, wave equations of GaN/sapphire structure were calculated according to crystallographic relationship between GaN layer and sapphire substrate. On each plane, the shear velocity was changed by the kH of GaN layer and propagation direction on sapphire substrate. We found electromechanical coupling constant of r-plane was better than the others. As a result, elastic stiffness and electromechanical coupling constant of materials are affected by a cut and an orientation of substrate. GaN/r-plane sapphire structure is more advantageous for high frequency SAW devices.
곡류를 이용한 곤충병원성 곰팡이 Beauveria bassiana 균주의 고체배양방법
박정현,홍석일,임근환,윤여준,김영권 한국응용곤충학회 2010 한국응용곤충학회 학술대회논문집 Vol.2010 No.10
Beauveria bassiana 등의 곤충병원성곰팡이를 해충방제에 적극적으로 활용하 기 위해서는 효과적인 대량배양방법의 개발이 필수적이다. 이에 대한 한 가지 방 안으로 다음의 방법을 제시하고자한다. 곰팡이의 배양 시 곡류는 탄소원을 다량 함유하고 있으나 질소원이 부족한 반면, 기장은 탄소원은 물론이거니와 질소원 역 시 다량 함유하고 있어서 포자 생산과 균사생장에 있어서 매우 매력적인 재료이므 로 기장을 이용하여 시험을 수행하였다. 우선 B. bassiana 균주를 PDB 배지에 2 5℃, 5일간 배양하여 종균으로 사용하였다. 고체 배지원인 기장은 물에 불리는 시 간을 달리하고(10분, 30분, 60분) 버섯재배용기에 넣고 121℃, 30분간 멸균후 B. bassiana접종하여 배양하였다. 배양온도는 25℃±0.5, 습도 30%±5, 암조건에서 배 양하였으며, 배양 15일 후, 1.9×109cfu/g, 2.9×109 cfu/g, 3.0×109 cfu/g의 포자를 생 산하였다. 최초 접종량은 5ml, 10ml로 달리하여 배양하였으며, 초기 배양성은 30 분, 60분 불리고, 10ml접종한 것이 좋았으나, 배양 20일 후에는 차이를 보이지 않았다.