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이중게이트 MOSFET에서 채널도핑분포의 형태에 따른 문턱전압특성분석
정학기,한지형,이재형,정동수,이종인,권오신,Jung, Hak-Kee,Han, Ji-Hyung,Lee, Jae-Hyung,Jeong, Dong-Soo,Lee, Jong-In,Kwon, Oh-Shin 한국정보통신학회 2011 한국정보통신학회논문지 Vol.15 No.6
본 연구에서는 차세대 나노소자인 DGMOSFET에서 발생하는 단채널효과 중 하나인 문턱전압특성에 대하여 분석하고자 한다. 특히 포아송방정식을 풀 때 전하분포를 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였으며 이때 가우시안 함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차에 대하여 문턱전압의 변화를 관찰하고자 한다. 포아송방정식으로 부터 해석학적 전위분포 모델을 구하였으며 이를 이용하여 문턱전압을 구하였다. 문턱전압은 표면전위가 페르미전위의 두배가 될 때 게이트 전압으로 정의되므로 표면전위의 해석학적 모델을 구하여 문턱전압을 구하였다. 본 연구의 모델이 타당하다는 것을 입증하기 위하여 포텐셜 분포값을 수치해석학적 값과 비교하였다. 결과적으로 본 연구에서 제시한 포텐셜모델이 수치해석학적 시뮬레이션모델과 매우 잘 일치하였으며 DGMOSFET의 도핑분포 함수의 형태에 따라 문턱전압 특성을 분석하였다. In this paper, threshold voltage characteristics have been analyzed as one of short channel effects occurred in double gate(DG)MOSFET to be next-generation devices. The Gaussian function to be nearly experimental distribution has been used as carrier distribution to solve Poisson's equation, and threshold voltage has been investigated according to projected range and standard projected deviation, variables of Gaussian function. The analytical potential distribution model has been derived from Poisson's equation, and threshold voltage has been obtained from this model. Since threshold voltage has been defined as gate voltage when surface potential is twice of Fermi potential, threshold voltage has been derived from analytical model of surface potential. Those results of this potential model are compared with those of numerical simulation to verify this model. As a result, since potential model presented in this paper is good agreement with numerical model, the threshold voltage characteristics have been considered according to the doping profile of DGMOSFET.
정학철(Hak Cheol Jeong),권기남(Ki Nam Kwon),이정래(Jung Lae Lee) 한국사회체육학회 2009 한국사회체육학회지 Vol.0 No.38
본 연구의 목적은 성인들이 가지는 태권도에 대한 인식을 알아보고, 이를 토대로 성인 태권도의 참여를 활성화시킬 수 있는 방안을 모색하고자 하였다. 이를 위해 질적 연구의 지적 전통 중 하나인 사례 연구를 이용하였다. 자료수집은 심층면담이며, 텍스트분석을 통해 자료를 분석하였다. 연구결과는 다음과 같다. 대부분의 연구참여자들은 태권도를 어린이들의 놀이문화, 전문적인 스포츠, 시대적 요구의 부적합한 스포츠로 인식하고 있는 것으로 나타났다. 이러한 인식은 성인들아 태권도에 참여하는 방해적인 요소로 작용하고 있었다. 이를 토대로 성인 태권도의 참여를 활성화시킬 수 있는 방안으로는 지역사회, 직장, 학교와 연계한 인프라 구축, 태도변용을 위한 홍보내용과 수단의 변화, 프로그램의 다양성 추구, 동양무예의 강조를 통한 수련의 최적화 추구 등을 제시하였다. The purpose of this study is to understand adult`s perception about Tae-Kwon-Do so we can have a better idea of how to change people`s assumptions. For that This study used case study that one of qualitative research. The data collection was conducted through an interview format, and we used text analysis. The result of the study are as follows. It is concluded that adults don`t regard The Taekwondo as the sports that were proper for play culture between children, professional sports and contemporary needs. We have developed some ideas for changing the social assumptions about Taekwondo. First, it is up to regions, companies and schools to have an infrastructure in place. Second, publicity and a way for changing the ideas. Third, we should develop a variety of programs. Forth, pursuit suitably practice through emphasis the east military arts.
정학기,이문기,김봉렬,Jung, Hak-Gi,Lee, Moon-Key,Kim, Bong-Ryul 대한전자공학회 1988 전자공학회논문지 Vol. No.
본 연구에서는 FDM(finite difference method)을 이용한 수치적 방법을 사용하여 MODFET (MO-dulation doped FET)의 전위 분포와 전자 밀도를 이차원적으로 해석하였다. 일차원적 해석 방법에서는 MODFET의 게이트 부분만을 계산하는 반면, 이차원적 해석 방법은 소오스와 드레인 부분도 계산해줌으로써 일차원적 해석 방법에서 무시되는 기생 효과(parasitic effect)를 고려하여 더 정확한 해석이 가능하였다. 결과로서 스페이스(spacer) 두께와 (n)AlGaAs층의 도핑 농도의 변화에 따른 채널내에서 2DEG(2dimensional electron gas)의 단위 면적에 대한 밀도와의 관계를 정량적으로 제시하였으며 스페이서의 두께가 작아지거나 (n)AlGaAs 층의 도핑 농도가 커질수록 MODFET 채널 내의 전자 밀도가 증가함을 확인하였다. This paper describes a two-dimensional analysis of the potential distribution and electron concentration of the MODFET at channel using FDM. More exact analysis can be obtained by two-dimensional analysis which considers parasitic effects ignored in one-dimensional analysis. Using Poisson and Shrodinger equations, the potential distribution and the wave function are calculated within a constant error bound. As a result, the relations between the thickness of spacer, doping concentration of (n) AlGaAs layer, and the sheet density of the 2DEG (2 Dimensional Electron Gas) of MODFET at channel are suggested quantitively. The sheet density of the 2DEG is increased as the thickness of the spacer is decreased of the doping concentration of the (n)AlGaAs layer is lowered.
이종인,정동수,정학기,윤영남,이상영,Lee, Jong-In,Jung, Dong-Soo,Jung, Hak-Kee,Yoon, Young-Nam,Lee, Sang-Young 한국정보통신학회 2012 한국정보통신학회논문지 Vol.16 No.11
본 논문에서는 WCDMA(Wide Code Division Multiple Access) 시스템 사양을 만족시키는 주파수 합성기 블록 중 위상잡음 및 전력소모의 최적 설계가 필요한 저전압 LC-VCO (voltage controlled oscillator)의 설계를 제안 하였다. 최적 설계를 위해 LC-tank의 손실성분을 보상하는 MOS트랜지스터의 전달컨덕턴스와 인덕턴스 평면에 여유이득 라인과 튜닝 범위 라인을 그어 설계 가능한 영역 내에서 위상잡음이 최소가 되는 파라미터 값을 구하였다. 모의실험 결과 위상잡음 특성은 1MHz옵셋에서 -113dBc/Hz였다. 최적 설계된 LC-VCO는 0.25um CMOS 공정을 이용하여 제작되었다. 칩 측정결과 LC-VCO의 위상잡음 특성은 1MHz 옵셋에서 -116dBc/Hz였다. 전력소모는 15mW였으며, Kvco는 370MHz/V였다. The design of low voltage LC-VCO(LC Voltage Controlled Oscillator) has been presented to optimize the phase noise and power consumption for the block of frequency synthesis to satisfy WCDMA system specification in this paper. The parameters for minimum phase noise has been obtained in the region of design, using the lines of the tuning range and the excess gain in the plane of the inductance and the transconductance of MOS transistor to compensate the loss of LC-tank. As a result of simulation, the phase noise characteristics is -113dBc/Hz for offset of 1MHz. The optimum designed LC-VCO has been fabricated using the process of 0.25um CMOS. As a result of measurement for fabricated chip, the phase noise characteristics is -116dBc/Hz for offset of 1MHz. The power consumption is 15mW, and Kvco is 370MHz/V.