http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
1940년 부산학생항일운동의 재조명 - 『매일신보』 기사를 중심으로 -
이상국 ( Lee Sang-gug ),강대민 ( Kang Dae-min ) 부산광역시사편찬위원회 2018 항도부산 Vol.35 No.-
This study began with the question about the discrepancies among various kinds of materials for Busan Anti-Japanese Students' Movement which had been occurred at Busan in 1940. These was caused by 'reduction, overstatement, distortion, deletion and creation’ of the memories of related people, witnesses, and residents on that time about the event. In the meantime, many scholars analyzed Busan Anti-Japanese Students' Movement in multiple angles. E. H. Kim introduced this event for the first time and C. S. Kang revealed the social conditions at the time of the occurrence of the event. Based on the history of Busan Dongrae High School, S. H. Kim studied the fundamental tradition and the successive anti-Japanese events that led to the birth of Busan Anti-Japanese Students' Movement. D. M. Kang analyzed and evaluated the event with various perspective. The researcher H. M. Kim analyzed the event in connection with the ideology of national movement, and I. H. Kim made a new interpretation on the deceitfulness and national discrimination of Japan from the socio-economic point of view. J. B. Lee logically refuted the fictitiousness of a novel written by a Japanese author, 『Busan, 1940』. However, most studies of Busan Anti-Japanese Students' Movement have a biased aspect toward students’ courageous struggle. This study offers in-depth analysis of the psychological ripple effect awakened Busan people's aspiration for independence of the country, rather than the violent struggle of this event. Busan Anti-Japanese Students' Movement was never are not accidental assaults committed by students in a mob psychology. That exploded the deep resentment of discrimination conducted by Japan against Koreans. Under the influence of the event, the organization and activities of secret associations increased in Busan. This study was conducted based solely on objective facts, by comprehensively comparing and analyzing 『Maeil Shinbo』 newspaper articles, testimonies, and also many other materials related to the event.
CMOS 트랜지스터의 채널 폭 및 길이 변화에 따른 RF 특성분석 및 최적화
최정기,이상국,송원철,Choi, Jeong-Ki,Lee, Sang-Gug,Song, Won-Chul 대한전자공학회 2000 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.37 No.8
0.35m CMOS공정을 이용하여 MOSFET의 RF특성을 평가하였다. 채널길이(L-0.25~0.8m)와 채널폭(W=50~600m) 및 바이어스 전압의 변화에 따른 RF특성을 분석하였으며, 차단주파수$f_T$는 최대 22GHz, 최대공진주파수($f_{max}$)는 최대 28GHz의 값을 얻었다. 채널폭의 변화에 대해서 차단주파수는 영향을 받지 않았으며, 최대공진주파수는 감소하는 경향을 보였고, 채널길이 증가에 대해서는 차단주파수 및 최대공진주파수 모두 감소하는 경향을 나타내었다. 최소잡음지수는 채널폭이 증가할수록 감소하고 채널길이가 증가할수록 증가하는 경향을 얻었는데, 2GHz에서 최소 0.45dB의 값을 얻었다. 평가결과로부터 0.35m CMOS공정이 2GHz대역의 상업용 RFIC 구현에 충분한 RF특성을 보유하고 있음을 확인할 수 있었으며, 바이어스 및 채널폭과 길이변화에 대한 CMOS 트랜지스터의 RF 특성분석을 통하여 RF 회로설계에 대한 지침을 제시하였다. MOS transistors are fabricated and evaluated for RF IC applications such as mobile communication systems using 0.35m CMOS process. Characteristics of MOSFETs are analyzed at various channel length, width and bias conditions. From the analysis, cut-off frequency ($f_T$) is independent on channel width but maximum oscillation frequency ($f_{max}$) tends to derease as the channel width increases. As channel length increases, $f_T$ and fmax decrease. $f_T$ is 22GHz and fmax is 28GHz at its maximum value. High frequency noise performance is improved with larger channel width and smaller channel length at same bias conditions. NFmin at 2GHz is 0.45dB as a minimum value. From the evaluation, MOSFETs designed using 0.35m CMOS process demonstrated a full potential for the commercial RF ICs for mobile communication systems near 2GHz. And optimization methods of the CMOS transistors for RF applications are presented in this paper.
실리콘 공정에서 패턴으로 삭각된 접지(PGS)를 이용한 인터컨넥션의 전송선 특성분석 및 RF/초고주파 집적회로에의 응용
곽혁용,이상국,조윤석,Gwak, Huk-Yong,Lee, Sang-Gug,Cho, Yun-Seok 대한전자공학회 2000 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.37 No.6
초고주파에서 집적회로용 연결선(interconnect)에 PGS(Patterned Grouned Shield)를 적용하는 실험을 하였다. PGS는 신호선으로부터 비절연 실리콘 기판을 차폐시킴으로써 광대역에 걸쳐 전송선의 실리콘기판을 통한 전력손실을 크게 줄일 수 있음을 측정결과를 통해 보였다. 또한 PGS를 이용한 전송선의 특성을 분석하고 PGS가 전송선의 파장을 줄여주는 효과가 있음을 확인하였다. The integrated circuit interconnection lines are experimented with patterned ground shields (PGS) at microwave frequencies. Measurement results demonstrate that the PGS can significantly reduce the power loss through the interconnect lines over wide frequency ranges as the PGS shields the lossy silicon substrate. The transmission line characteristics of the PGS interconnect lines are analyzed and identified that the PGS reduces the wave length of the interconnect line.
RF집적회로용 이중층 나선형 대칭구조 인덕터의 설계 및 비교 분석
임국주,신소봉,이상국,Ihm, Guk-Ju,Shin, So-Bong,Lee, Sang-Gug 대한전자공학회 2000 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.37 No.10
면적 효율이 높은 대칭 구조를 갖는 이중층 나선형 인덕터를 제시하였으며 그 특성을 일반적인 단일층 나선형 인덕터와 비교하여 분석하였다. 일반적인 예측과 달리 이중층 인덕터의 상하층 유도 계수가 인덕터의 권선수와 함께 증가하는 것을 확인하였고 이로 인하여 동일한 면적에 대하여 이중층 인덕터은 권선수에 따라 단일층에 비해 2.5-4배 정도 높은 인덕턴스값을 나타내었다. 또한 같은 인덕턴스 값에 대하여 이중층 구조로 단일층 구조 보다 높은 충실도를 가짐을 확인하였다. 본 논문에서는 이중층 나선형 인덕터가 단일층 나선형 인덕터보다 면적 효율과 충실도 측면에서 우수하여 RF집적회로에 활용되기에 적절한 보다 구조임을 제시하고자 한다. 제시된 이중층 나선형 인덕터는 완벽한 대칭 구조를 갖도록 설계되었으며 측정 결과에서 이와 같은 특성을 확인할 수 있었으며, 고주파용 초크로서 활용가능성을 확인하였다. An area efficient and symmetric dual-level spiral inductor structure is proposed and evaluated in comparison with the conventional single-level spiral inductors. Contrary to the dual-level inductor mutual coupling coefficient of the upper-and lower-level inductors of the dual-level inductor increases with the increases in the number of turns. Because of this, for the same silicon area, the inductances of the dual-level incuctors are 2.5-4 times higher than that of the single-level inductor. Furthermore, the dual-level showed better quality factor that the single-level inductors for the same inductance. It is the intention of this paper to demonstrate that the dual-level can be more useful for the RF integrated circuits than the conventional single-level spiral inductors form the aspects of area efficiency and quality factor. The proposed dual-level inductors are designed and confirmed to be perfectly symmetric, and can also be used as a high-frequency choke.