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이덕민,尹暢烈 대전대학교 한의학연구소 2004 혜화의학회지 Vol.12 No.2
Jinguiyaolue(金궤要略), written by Zhong-Jing Zhang(張仲景) in East-Han Dynasty of China, is believed to be the professional book about divers diseases of Korean Medicine(韓醫學). As based its theoretical framework upon Nei-Jing(內經) and Nan-Jing(難經), Jinguiyaolue(金궤要略) not only suggests the basic theory about the cause of disease, mechanism of disease(病機), diagnosis and treatment and prevent of divers disease but also constructs foundation for the clinical medicine. Thus, it can be said that Jinguiyaolue(金궤要略), along with Shang-Han-Lun(傷寒論) by Zhong-Jing Zhang(張仲景), will be quite worthy in that the book deals with the fundamental theory of Korean Medicine(韓醫學).
루프인식 속도를 개선한 300MHz PLL의 설계 및 제작
이덕민,정민수,김보은,최동명,김수원 대한전자공학회 1996 전자공학회논문지-A Vol.33 No.10
A 300MHz PLL including FVC (frequency to voltage converter) is designed and fabricated in 0.8$\mu$m CMOS process. In this design, a FVC and a 2nd - order passive filter are added to the conventional charge-pump PLL to improve the acquisition time. The dual-rijng VCO(voltage controlled oscillator) realized in this paper has a frequency range form 208 to 320MHz. Integrated circuits have been fully tested and analyzed in detail and it is proved that pull-in speed is enhanced with the use fo FVC. In VCO range from 230MHz to 310MHz, experimental results show that realized PLL exhibits 4 times faster pull-in speed than that of conventional PLL.
한상찬,이순섭,김수원,이덕민,김성동,Han, Sang-Chan,Lee, Soon-Seop,Kim, Soo-Won,Lee, Duk-Min,Kim, Seong-Dong 대한전자공학회 1999 電子工學會論文誌, D Vol.d36 No.2
본 논문에서는 2${\mu}m$ 고전압 CMOS 공정을 사용한 보호 회로를 포함한 전력 ,MOSFET 구동기를 설계하였다. 제어 회로의 안정한 동작을 위하여 전원 관리 회로를 설계하였으며 전원 관리 회로의 전압 레귤레이터의 보호를 위하여 전압 검출 방식의 단락 보호 회로를 제안하였다. 전압 검출 방식(Voltage-Detection Short Circuit Protection; VDSCP)은 직렬 저항에 의한 전압 강하가 없고, 출력단 단락 상태에서 전압원의 전류를 출력단에 흐르지 못하도록 하는 특성이 있다. 전력 MOSFET를 보호하기 위하여 부하 단락 보호회로, 게이트 전압 제한 회로, 과전압 보호 회로를 설계하였으며, 50V의 항목 전압을 닺는 공정을 이용하여 전력 MOSFET 구동기를 위한 2${\mu}m$ 고전압 CMOS 공정을 개발하였다. 전력 MOSFET이 소비하는 전력 이외에 구동기가 소비하는 전력은 전력 MOSFET 구동 상태에 따라 20 ~ 100mW의 범위에 있는 것으로 확인하였다. 주문형으로 제작된 전력 MOSFET 구동기의 active area의 크기는 $3.5 {\times}2..8mm^2$이다. In this paper, a power MOSFET driver with protection circuits is designed using a 2${\mu}m$ high-voltage CMOS process. For stable operations of control circuits a power managing circuit is designed, and a voltage-detecting short-circuit protection(VDSCP) is proposed to protect a voltage regulator in the power control circuit. The proposed VDSCP scheme eliminates voltage drop caused by a series resistor, and turns off output current under short-circuit state. To protect a power MOSFET, a short-load protection, a gate-voltage limiter, and an over-voltage protection circuit are also designed A high voltage 2 ${\mu}m$ technology provides the breakdown voltage of 50 V. The driver consumes the power of 20 ~ 100 mW along its operation state excluding the power of the power MOSFET. The active area of the power MOSFET driver occupies $3.5 {\times}2..8mm^2$.