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      • 조건 술어 분석을 이용한 능동규칙의 조건부 처리 시스템

        이기욱,김태식,Lee, Gi-Uk,Kim, Tae-Sik 한국정보처리학회 2002 정보처리학회논문지D Vol.9 No.1

        능동 데이터베이스 시스템은 특정한 상태를 탐지하는 능동규칙을 도입한다. 조건부 평가는 사건이 발생할 때마다 수행되기 때문에 조건부를 처리하는 방법에 따라 시스템의 성능에 중요한 영향을 미친다. 본 논문에서는 차이트리 구조, 분류트리, 그리고 집계함수 테이블을 생성하는 전처리 기능을 갖는 조건부 처리 시스템을 제안한다. 전처리는 능동규칙을 미리 파악할 수 있는 능동 데이터베이스의 특징 때문에 도입될 수 있다. 본 논문에서는 선택연산, 조인연산, 그리고 집계함수를 효율적으로 처리할 수 있는 차이트리를 제안하고 조건부의 처리 성능을 높인다. 그리고 조인연산을 효과적으로 처리하는 분류트리와 높은 처리비용을 요구하는 집계함수를 처리하는 집계함수 테이블을 제안한다. 본 논문의 조건부 처리 시스템은 전처리 기능에서 만들어진 조건부 처리 구조 때문에 조건 비교의 횟수를 감소시켜 능동규칙에서 조건부 처리의 성능 향상을 기대할 수 있다. The active database system introduces the active rules detecting specified state. As the condition evaluation of the active rules is performed every time an event occurs, the performance of the system has a great influence, depending on the conditions processing method. In this paper, we propose the conditions processing system with the preprocessor which determines the delta tree structure, constructs the classification tree, and generates the aggregate function table. Due to the characteristics of the active database through which the active rules can be comprehended beforehand, the preprocessor can be introduced. In this paper, the delta tree which can effectively process the join, selection operations, and the aggregate function is suggested, and it can enhance the condition evaluation performance. And we propose the classification tree which effectively processes the join operation and the aggregate function table processing the aggregate function which demands high cost. In this paper, the conditions processing system can be expected to enhance the performance of conditions processing in the active rules as the number of conditions comparison decreases because of the structure which is made in the preprocessor.

      • KCI등재

        (100) 및 (111) 배향을 갖는 CaF<sub>2</sub> 단결정 기판의 결함 분석

        최예진,강민규,이기욱,박미선,정광희,정해균,김두근,이원재,Ye-Jin Choi,Min-Gyu Kang,Gi-Uk Lee,Mi-Seon Park,Kwang-Hee Jung,Hea-Kyun Jung,Doo-Gun Kim,Won-Jae Lee 한국결정성장학회 2024 한국결정성장학회지 Vol.34 No.1

        The CaF<sub>2</sub> single crystal has notable characteristics such as a large band gap (12 eV), excellent transparency over a wide wavelength range, low refractive index and dispersion. Due to these outstanding properties, CaF<sub>2</sub> single crystal has considered as a promising material for short-wavelength light sources in recent lithography processes. However, there is an inherent birefringence of the material at 157 nm and the resulting aberration can be compensated for through the combination of the (100) plane and the (111) plane. Therefore, it is necessary to investigate the characteristics according to the plane. In this study, we analyzed crystallinity, optical properties of commercial CaF<sub>2</sub> single crystal wafers grown by the Czochralski method. In particular, through chemical etching under various conditions, it was confirmed that the shape of etch pits appears differently depending on the plane and the shape and array of specific etch pits affected by dislocations and defects were examined.

      • KCI등재

        PVT 공법의 공정 변수가 고순도 반절연 SiC 단결정의 저항에 미치는 영향

        나준혁,강민규,이기욱,최예진,박미선,정광희,이규도,김우연,이원재,Jun-Hyuck Na,Min-Gyu Kang,Gi-Uk Lee,Ye-Jin Choi,Mi-Seon Park,Kwang-Hee Jung,Gyu-Do Lee,Woo-Yeon Kim,Won-Jae Lee 한국결정성장학회 2024 한국결정성장학회지 Vol.34 No.2

        본 연구에서는 SiC(Silicon Carbide) 분말의 순도와 결정 성장 후 냉각 속도를 제어하여 PVT(Physical Vapor Transport) 방법으로 성장한 4인치 HPSI(High-Purity Semi-Insulating)-SiC 단결정의 저항 특성을 조사하였다. 순도가 다른 2개의 β-SiC 분말을 사용하였고, 성장 후 냉각 속도를 조절하여 다양한 저항값을 얻었다. 성장된 결정의 투과/흡수 스펙트럼 및 결정 품질은 각각 UV/VIs/NIR 분석과 XRD Rocking curve 분석을 이용하였으며, 비접촉 비저항 분석을 통해 전기적 특성을 조사하여 비저항 특성에 우세한 영향을 미치는 주요 요인을 확인하였다. In this study, the resistance characteristics of semi-insulating SiC single crystals grown using the PVT method were investigated, considering the purity level of SiC source powders used in PVT growth and the cooling procedure after crystal growth. Two β-SiC powders with different purities were employed, and the cooling rate after growth was adjusted to achieve various resistance values. 4-inch HPSI-SiC ingots were grown using the PVT method, utilizing SiC powders with low nitrogen concentration and relatively high nitrogen concentration. These ingots were then subjected to different cooling procedures to modify the cooling rate. Transmission/absorption spectra and crystal quality of the grown crystals were analyzed through UV/VIs/NIR spectroscopy and X-ray rocking curve analysis, respectively. Additionally, electrical properties were investigated through non-contact resistivity analysis to identify the dominant factors influencing resistivity properties.

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