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열처리를 통한 HgSe 나노입자 기반 박막 트랜지스터의 전기적 특성 향상
윤정권(Yun, Jung-Gwon),조경아(Cho, Kyoung-Ah),김상식(Kim, Sang-Sig) 한국전기전자학회 2010 전기전자학회논문지 Vol.14 No.3
본 연구에서는, PVA를 게이트 유전체로 이용하여 백 게이트 (back-gate) 구조의 HgSe 나노입자 박막트랜지스터를 플라스틱 기판위에 제작하였다. 제작된 박막트랜지스터는 에서 5분 동안의 열처리 과정을 통하여 이동도 /Vs, 전류 점멸비 의 우수한 특성을 나타내었다. 열처리에 따른 표면 거칠기의 감소가 소자의 전기적 특성향상의 원인이라는 것을 AFM 이미지를 통하여 확인 할 수 있었다. 0.6%의 strain을 기판에 인가하면서 기판의 휘어짐에 따른 전류변화를 관찰하였다. In this study, we fabricated the HgSe nanoparticle-based thin film transistors (TFTs) of back gate structure with PVA gate dielectric. The fabricated TFTs show the improved electrical characteristics in the mobility of /Vs and the on/off ratio of after annealing process at for 5 min. AFM images demonstrate that the decrease in surface roughness according to annealing process leads to the improvement of electrical characteristics. The change in drain current caused from the conditions of flexible substrate is investigated under 0.6% strain.
전기방사법으로 제조된 Cu<sub>2</sub>O-PVP 나노사의 전기적 특성
곽기열,조경아,윤정권,김상식,Kwak, Ki-Yeol,Cho, Kyoung-Ah,Yun, Jungg-Won,Kim, Sang-Sig 한국전기전자재료학회 2009 전기전자재료학회논문지 Vol.22 No.8
Hybrid nanofibers made of $Cu_2O$ and polyvinyl pyrrolidone were fabricated by electrospinning on glass substrates. The current magnitude of the $Cu_2O$-PVP hybrid nanofibers is 10 times larger than that of pure PVP nanofibers. In addition, $Cu_2O$-PVP nanofibers possess high sensitivity to air at room temperature than pure PVP nanifibers.
상온에서 RF 스퍼터링 방법으로 증착한 Hafnium Oxide 박막의 저항 변화 특성
한용,조경아,윤정권,김상식,Han, Yong,Cho, Kyoung-Ah,Yun, Jung-Gwon,Kim, Sang-Sig 한국전기전자재료학회 2011 전기전자재료학회논문지 Vol.24 No.9
In this study, we fabricate resistive switching random access memory (ReRAM) devices constructed with a Al/$HfO_2$/ITO structure on glass substrates and investigate their memory characteristics. The hafnium oxide thin film used as a resistive switching layer is sputtered at room temperature in a sputtering system with a cooling unit. The Al/$HfO_2$/ITO device exhibits bipolar resistive switching characteristics, and the ratio of the high resistance (HRS) to low resistance states (LRS) is more than 60. In addition, the resistance ratio maintains even after $10^4$ seconds.
Dielectrophoresis 방법으로 제작한 Si 나노선과 ZnO 나노입자 필름 기반 p-n 이종접합 다이오드
김광은(Kwangeun Kim),이명원(Myeongwon Lee),윤정권(Junggwon Yun),김상식(Sangsig Kim) 대한전기학회 2011 전기학회논문지 Vol.60 No.1
Newly-developed fabrication of a p-n heterojunction diode constructed with a p-Si nanowire (NW) and an n-ZnO nanoparticle (NP) thin-film by the dielectrophoresis (DEP) technique is demonstrated in this study. With the bias of 20 Vp-p at the input frequency of 1 ㎒, the most efficient assembly of the n-ZnO NPs is shown for the fabrication of the p-n heterojunction diode with a p-Si NW. The p-n heterojunction diode fabricated in this study represents current rectifying characteristics with the turn on voltage of 1.1 V. The diode can be applied to the fabrication of optoelectrical devices such as photodetectors, light-emitting diodes (LEDs), or solar cells based on the high conductivity of the NW and the high surface to volume ratio of the NP thin film.
저온 열처리 공정에 따른 Ag₂Se 나노입자 박막의 열전특성
양승건(Seunggen Yang),조경아(Kyoungah Cho),윤정권(Junggwon Yun),최진용(Jinyong Choi),김상식(Sangsig Kim) 대한전기학회 2016 전기학회논문지 Vol.65 No.4
In this study, we synthesized Ag₂Se nanoparticles (NPs) in an aqueous solution and investigated the thermoelectric characteristics of Ag₂Se NPs thin films on plastic substrates. Regardless of thermal annealing treatment, all the Ag2Se NPs thin films show the negative Seebeck coefficients, indicating the n-type characteristics. As the annealing temperature increases, the electric conductivity increases while the Seebeck coefficient decreases. The electric conductivity of the thin film annealed at 180°C is larger by 106 times, compared with the as-prepared thin film, And the maximum power density for the thin film annealed at 180°C is calculated to be 44 μW/㎠.
인천 서구 탱크로리 폭발사고로 본 과산화수소 분해반응에 대한 위험성에 관한 연구
김순영(Soon Young Kim),김형준(Hyung Jun Kim),윤정권(Junggwon Yun) 국립소방연구원 2023 소방안전연구 Vol.4 No.1
2020년 인천 서구 소재 화학공장에서 과산화수소와 수산화나트륨의 혼합액을 탱크로리에 회수 중 탱크가 폭발하여 다수의 사상자 및 막대한 재산피해가 발생한 대형 사고가 있었다. 본 연구에서는 상기 화학적 폭발에 대한 원인을 검증하기 위한 재현실험(반응성, 온도변화)과 현장시료에 대한 성분분석을 실시하였다. 재현실험 결과, 과산화수소와 수산화나트륨 혼합 후 약 17분 경과 시 폭주반응이 관찰되었고 85℃까지 온도가 상승했다. 핵자기공명분광기와 pH 분석을 통한 성분분석 결과, 화학반응 후 생성물과 현장 채취 시료의 성분이 유사함을 확인하였다. 폭발 탱크로리에 대해 기계 및 전기 분야에서의 감식, 감정 결과, 기계 분야에서는 탱크로리의 파괴된 철판에서 전형적인 취성파괴 형상이 관찰되었고, 전기 분야에서는 정전기에 의한 폭발 가능성 및 전기적 특이점이 배제됨을 확인했다. 상기 결과들을 종합해보면, 탱크로리 폭발사고의 원인은 과산화수소에 혼합된 수산화나트륨의 정촉매 작용으로 분해반응이 가속화되어 탱크 내부의 급격한 압력 상승에 의해 폭발했을 것이라 추정된다. In 2020, a significant accident occurred at a chemical plant in Seo-gu, Incheon, involving a tank explosion during the recovery of a mixture of hydrogen peroxide and sodium hydroxide in a tank lorry. This accident caused multiple casualties and extensive property damage. This study investigated the cause of the chemical explosion through a reproduction experiment (reactivity and temperature change) and a component analysis of the field samples. The results revealed a runaway reaction approximately 17 minutes after mixing hydrogen peroxide and sodium hydroxide, resulting in a temperature increase to 85 °C. Component analysis using NMR (Nuclear Magnetic Resonance) and pH analysis confirmed the similarity between the components of the product after the chemical reaction and the sample collected on site. Mechanical and electrical inspections of the exploded tank lorry exhibited a typical brittle fracture shape in the broken steel plate, indicating a structural failure. Electrical assessment ruled out the possibility of explosion due to static electricity and electrical singularities. We infer that the tank lorry explosion occurred due to the accelerated decomposition reaction caused by the positive catalytic action of sodium hydroxide mixed with hydrogen peroxide, which rapidly increased pressure within the tank.