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휴대 GPS 수신기용 RF IC, 신호처리 IC 및 소프트웨어 개발
염병렬,구경헌,송호준,지규인 한국항행학회 1997 韓國航行學會論文誌 Vol.1 No.1
다채널 디지털 GPS 수신기를 구현하기 위하여 RE-to-IF엔진 (엔진 1), 신호처리 엔진 (엔진 2), 항법 소프트웨어를 개발하였다. 고속 SiGe HBT를 이용한 LNA, 믹서, VCO 등의 하이브리드 IC를 COB형태로 구현하여 엔진 1 보드에 부착하였다. 6채널 디지털 상관기를 클락 및 마이크로프로세서 인터페이스와 함께 Altera Flex 10K FPGA 및 ASIC 기술로 구현하였다. 항법 소프트웨어는 GPS 신호의 트랙킹 및 획득을 위한 상관기 제어, 메시지 저장, 위치 계산 등을 수행한다. 개발된 GPS수신기는 단일 채널 신호를 발생하는 STR2770 시뮬레이터를 이용하여 테스트하였는데, 성공적인 항법 신호획득 및 위치 계산 결과를 확인하였다. A multi-channel digital GPS receiver has been developed including a RF-to IF engine (engine 1), a digital signal processing engine (engine 2) with a microprocessor interfacing, and a navigation software. A high speed SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) as a active device has been mounted on chip-on-boatd (COB) type hybrid ICs such as LNA, mixer, and VCO in RF front-end of the engine 1 board. A 6-channel digital correlator together with a real-time clock and a microprocessor interface has been realized using an Altera Flex 10K FPGA as well as ASIC technology. Navigation software controlling the correlator for GPS signal tracking, retrieval and storing a message retrieval, and position calculation has been implemented. The GPs receiver was tested using a single channel STR2770 simulator. Successful navigation message retrieval and position determination was confirmed.
PVD 방법에 의한 TiN barrier metal 형성과 공정개발
염병렬,박형호,최치규,이종덕,김건호,이정용,서경수,강민성 濟州大學校 基礎科學硏究所 1997 基礎科學硏究 Vol.10 No.2
Ar과 N₂?가스가 혼합된 분위기에서 반응성 스퍼터링 방법에 의하여 TiN 박막을 증착하였다. N₂ 가스의 농도는 화학양론적으로 TiN이 형성되는 조건에 맞도록 조절하였으며, 기판의 온도는 실온에서 부터 700℃의 범위내로 유지하였다. (111) texture 구조를 가지면서 화학양론적으로 Ti??N??인 박막은 기판의 온도가 600℃ 이상에서 형성되었고, 기판의 온도가 600℃ 이하에서는 형성된 박막은 N-과다형이었다. XRD, XPS 및 RBS 분석 결과 TiN 박막의 조성비는 기판의 온도에서 다소 의존하였으나 약 5% 이내에 불과하였다. TiN 박막의 면저항은 기판온도의 증가에 따라 감소하였고, 기판온도가 600℃에서 증착된 TiN 박막의 면저항능 14.5Ω/□ 였고, Ar―가스 분위기에서 700℃로 30초간 열처리한 후는 8.9Ω/□ 이었다. 따라서 반응성 스퍼터링방법에 의하여 형성되는 양질의 TiN 박막은 기판온도가 600℃이상이 최적조건임을 알았다. Titanium nitride (TiN) films were prepared by reactive sputter deposition in mixed gas of Ar+N₂?. The volume percentage of N₂ in the working gas was chosen so as to grow stoichiometric TiN films and the substrate temperature during film growth was set from room temperature to 700℃. stoichiometric Ti??N?? films with (111) texture were grown at temperatures over 600℃, while films prepared at temperatures below 600℃ showed N-rich TiN. The composition x and y in the Ti??N?? films determined by XPS and RBS varied within 5% with the substrate temperature. The sheet resisstance of the TiN films decreases as the substrate temperature increased. TiN film prepared at 600℃ showed 14.5Ω/□, and it decreased to 8.9Ω/□ after the sample was annealed at 700℃, 30 sec in Ar-gas ambient by RTA. By far, high quality stoichiometric TiN films by reactive sputtering in the mixed gas ambient could be prepared at substrate temperature over 600℃.
고상원 분자선 단결정 성장법을 이용한 다결정 실리콘 에미터, 자기정렬 실리콘 게르마늄 이종접합 쌍극자 트랜지스터
이수민,염병렬,조덕호,한태현,이성현,강진영,강상원 대한전자공학회 1995 전자공학회논문지-A Vol.32 No.2
Using the Si/SiGe layer grown by solid source molecular beam epitaxy(SSMBE) on the LOCOS-patterned wafers, an emitter-base self-aligned hterojunction biplar transistor(HBT) with the polysilicon-emitter and the silicon germanium(SiGe) base has been fabricated. Trech isolation process, planarization process using a chemical-mechanical poliching, and the selectively implanted collector(SIC) process were performed. A titanium disilicide (TiSi$_{2}$), as a base electrode, was used to reduce an extrinsic base resistance. To prevent the strain relaxation of the SiGe epitaxial layer, low temperature (820${^\circ}C$) annealing process was applied for the emitter-base junction formation and the dopant activation in the arsenic-implanted polysilicon. For the self-aligned Si/SiGe HBT of 0.9${\times}3.8{\mu}m^{2}$ emitter size, a cut-off requency (f$_{T}$) of 17GHz, a maximum oscillation frequency (f$_{max}$) of 10GHz, a current gian (h$_{FE}$) of 140, and an emitter-collector breakdown voltage (BV$_{CEO}$) of 3.2V have been typically achieved.