RISS 학술연구정보서비스

검색
다국어 입력

http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.

변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.

예시)
  • 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
  • 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
닫기
    인기검색어 순위 펼치기

    RISS 인기검색어

      검색결과 좁혀 보기

      선택해제
      • 좁혀본 항목 보기순서

        • 원문유무
        • 원문제공처
        • 등재정보
        • 학술지명
          펼치기
        • 주제분류
        • 발행연도
          펼치기
        • 작성언어

      오늘 본 자료

      • 오늘 본 자료가 없습니다.
      더보기
      • 무료
      • 기관 내 무료
      • 유료
      • SCOPUSKCI등재

        Cu oxide의 형성과 H(hfac) 반응을 이용한 Cu 박막의 건식식각

        양희정,홍성진,조범석,이원희,이재갑,Yang, Hui-Jeong,Hong, Seong-Jin,Jo, Beom-Seok,Lee, Won-Hui,Lee, Jae-Gap 한국재료학회 2001 한국재료학회지 Vol.11 No.6

        O$_2$plasma와 H(hfac)을 이용한 Cu 박막의 건식 식각을 조사하였다. 휘발성이 큰 Cu(hfac)$_2$와 $H_2O$를 탈착시키기 위하여 $O_2$ Plasma를 이용한 Cu 박막의 산화와 생성된 Cu 산화막을 H(hfac)과의 반응으로 제거하는 공정으로 식각을 수행하였다. Cu 박막의 식각율은 50-700 /min의 범위를 보였으며, 기판온도, H(hfac)/O$_2$ 유량비, plasma power에 따라 변하였다. Cu 박막의 식각율은 기판온도 215$^{\circ}C$보다 높은 온도구간에서 RF power가 증가함에 따라 증가하였고, 산화 공정과 H (hfac)과의 반응이 균형을 이루는 최적의 H (hfac)/O$_2$ 유량비는 1:1임을 확인하였다. Ti mask를 사용한 Cu Patterning은 유량비 1 : 1, 기판온도 25$0^{\circ}C$에서 실시하였고, 30$^{\circ}$외 taper slope를 갖는 등방성 etching profile을 얻을 수 있었다. Taper angle을 갖는 Cu 건식 patterning은 고해상도의 대면적 thin film transistor liquid-crystal(TFT-LCDs)를 위래 필요한 것으로써 기판온도, RF power, 유량비를 조절한 one-step 공정으로부터 성공적으로 얻을 수 있었다. Dry etching of copper film using $O_2$ plasma and H(hfac) has been investigated. A one-step process consisting of copper film oxidation with an $O_2$ plasma and the removal of surface copper oxide by the reaction with H(hfac) to form volatile Cu(hfac)$_2$ and $H_2O$ was carried but. The etching rate of Cu in the range from 50 to 700 /min was obtained depending on the substrate temperature, the H(hfac)/O$_2$ flow rate ratio, and the plasma power. The copper film etch rate increased with increasing RF power at the temperatures higher than 215$^{\circ}C$. The optimum H(hfac)/O$_2$ flow rate ratio was 1:1, suggesting that the oxidation process and the reaction with H(hfac) should be in balance. Cu patterning using a Ti mask was performed at a flow rate ratio of 1:1 on 25$0^{\circ}C$\ulcorner and an isotropic etching profile with a taper slope of 30$^{\circ}$was obtained. Cu dry patterning with a tapered angle which is necessary for the advanced high resolution large area thin film transistor liquid-crystal displays was thus successfully obtained from one step process by manipulating the substrate temperature, RF power, and flow rate ratio.

      • KCI등재

        종병(宗炳)의 ‘와유(臥遊)’개념에 관한 연구

        양희정 ( Yang Hui Jeong ) 한국철학사연구회 2021 한국 철학논집 Vol.0 No.68

        본 논문에서는 종병(宗炳)의 화론서인 『화산수서(畵山水序)』속 ‘와유(臥遊)’ 개념이 후대에 끼친 영향에 대하여 북송 곽희(郭熙)의 『임천고치(林泉高致)』와 조선 초기 사대부들의 와유적 감상법과 관련하여 살펴보려고 한다. 와유는 위진남북조 시기 종병에 의해 제기된 개념으로 산수화 속 공간을 정신 해방의 공간으로 보는 것이다. 그가 늙고 병들게 되었을 때 다시는 명승고적을 유람하지 못하게 되었음을 안타까워하며 그동안 자신이 유람했던 자연의 경치들을 그림으로 그려 감상의 입장에서 다시 한 번 느끼고자 한 것으로 간접적인 체험방법이라 할 수 있다. 이러한 와유개념은 북송의 곽희, 동기창, 석도를 지나 보편적으로 받아들여지게 되면서 동양 산수화의 기본개념이 되었다. 그중 곽희의 화론서인 『임천고치』의 도입 부분인 「산수훈」에 있는 산수화의 뜻과도 상통하는 부분이 있다. 이러한 간접 체험방법은 송대 사대부들과 조선 초기 사대부들에게서도 나타난다. 이들은 현실 속 정치적 갈등으로 인한 심리적 불안감을 해소하는 공간으로 진취(進就)와 퇴은(退隱)의 모순된 이중심리를 ‘중은(中隱)’의 형태로 합리화 시키는 것으로 사대부들에게서 나타나는 이중적 태도라고 할 수 있다. 유가적 삶 속 꿈꿨던 은거의 삶을 간접체험하는 공간으로써 산수화를 즐기는 것이다. 산수화 속 공간은 감상자가 산수 속 자연을 보며 창작자가 불어 넣은 감성을 나누는 공간이 된다. 비록 산수 속의 이상향은 갈 수 없는 미지의 공간이지만, 산수화는 상상 속 간접체험 공간으로 ‘유’를 즐길 수 있는 곳이 된다. 조선 초기 사대부들 또한 어지러운 현실 속 자신이 갈 수 없는 이상향을 그려 낸 작품을 감상하며 그 속에서 정신적 소요를 즐기는 것이다. 현실에서 실현할 수 없는 이상향에 대한 동경을 산수화를 통하여 간접적으로 체험한다. 현실의 유가적 삶 속에서 자신의 마음을 온전히 드러내고 풀어낼 수는 없지만 정신의 측면에서 정신의 무한한 확장과 가능성을 열어 놓는 것이라 볼 수 있다. This paper searched the concept of ‘Wayu’ in the Zongbing's painting book and its influence on next generations. Also, it looked into way to appreciate towards ‘Wayu’ in Zongbing's ImcheonGochi among the gentry in the early Joseon Dynasty. ‘Wayu’ is a concept raised by Zongbingg during the era of Wei and Qin Dynasty and sees spaces in landscape paintings as mental liberation. It was an indirect method to take a tour of historic sites when he bore painfulness because he no longer allowed to go out again, getting old and sick. So, he draw pictures of natural sceneries where he had been there. ‘Wayu’ had been the basic concept of the landscape painting and became widely accepted by Guoxi, Dongqichang, and shitao in the era of Northern Song. Among them, there is a part that is in line with the meaning of the landscape painting in the introduction part of 'Sansuhun' of Guoxi's painting book "ImcheonGochi." Such an indirect experiencing method also appeared among the gentry in the era of both Song and the early Joseon Dynasty. The method was used as virtual places for the gentry where they relieved their psychological anxiety caused by political conflicts. Those places refer to 'JoongEun', which justified contradictory double psychologies of initiative and regression in their lives. They enjoyed landscape paintings to dream of living in a secluded life. The spaces in landscape paintings helped share the emotions of the artist with appreciators. Although the utopia in landscape paintings was an unknown place where they couldn't go, landscape paintings were the indirect virtual spaces in their imagination and they could enjoy 'Yu'. In the early Joseon Dynasty, the gentry also enjoyed the utopia in landscape paintings where they couldn't go in the dizzy reality. They experienced illusions through landscape paintings indirectly. This means they couldn't fully open their mind in real life, but they could open and expand possibilities via landscape paintings.

      • KCI등재
      • SCOPUSKCI등재

        공기 중에 노출된 MOCVD TiN 기판이 MOCVD Cu 증착에 미치는 효과

        최정환,변인재,양희정,이원희,이재갑,Choe, Jeong-Hwan,Byeon, In-Jae,Yang, Hui-Jeong,Lee, Won-Hui,Lee, Jae-Gap 한국재료학회 2000 한국재료학회지 Vol.10 No.7

        The deposition characteristics of Cu film by MOCVD using (hfac)Cu(1,5-COD)(1,1,1,5,5,5-hexafluro-2,4-pentadionato Cu(I) 1,5-cryclooctadiene) as a precursor have been investigated in terms of substrate conditions. Two different substrates such as air-exposed TiN and non-contaminated TiN were used for the MOCVD of Cu. MOCVD of Cu on the air-exposed TiN affected the nucleation rate of Cu as well as its growth, resulting in the Cu films having poor interconnection between particles with relatively small grains. On the other hand, in-situ MOCVD of Cu led to the Cu films having a significantly improved interconnection between particles with larger grains, indicating the resistivity as low as $2.0{\mu}{\Omega}-cm$ for the films having more than 1900$\AA$ thickness. Moreover, better adhesion of Cu films to the TiN by using in-situ MOCVD has been obtained. Finally, initial coalescence mechanism of Cu was suggested in this paper in terms of different substrate conditions by observing the surface morphology of the Cu films deposited by MOCVD. (hfac) Cu(1,5-COD)(1,1,1,5,5,5-hexafluro-2,4-pentadionato Cu(I) 1,5-cyclooctadine) 증착원을 이용하여 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)로 Cu 박막을 형성시키고, MOCVD에 의한 TiN 기판 변화가 Cu 증착에 미치는 영향을 조사하였다. 공기 중에 노출시킨 기판은 MOCVD 에 의한 Cu 핵생성 및 초기성장에 영향을 미쳐 입자크기가 작고, 입자간의 연결성이 떨어졌으며, in-situ MOCVD Cu의 경우는 입자크기가 크고, 입자간의 연결성이 우수하여 1900$\AA$ 이상의 두께에서는 $2.0{\mu}{\Omega}-cm$ 정도의 낮은 비저항을 유지하였다. 또한 접착력에서는 in-situ MOCVD TiN 의 경우가 보다 우수하였다. 이와 같은 결과를 토대로 MOCVD Cu 성장단계를 제시하였다.

      • SCOPUSKCI등재

        (hfac)Cu(1,5-DMCOD) 전구체를 이용한 MOCVD Cu 증착 특성에 미치는 환원기체와 첨가제의 영향에 관한 연구

        변인재,서범석,양희정,이원희,이재갑,Byeon, In-Jae,Seo, Beom-Seok,Yang, Hui-Jeong,Lee, Won-Hui,Lee, Jae-Gap 한국재료학회 2001 한국재료학회지 Vol.11 No.1

        (hfac)Cu(1, 5-DMCOD)(1, 1, 1, 5, 5, 5-Hexafluoro-2, 4-pentanedionato Cu(I) 1, 5-dimethyl-cyclooctadine) 전구체와 He 운반기체를 이용하여 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 방법으로 Cu 박막을 형성하였으며, He 운반기체와 함께 $H_2$ gas 및 H(hfac) Ligand의 첨가가 Cu 박막 형성에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. He운반기체만을 사용한 경우, Cu 박막의 증착율은 기판온도 180~$230^{\circ}C$에서 20~$125{\AA}/min$ 정도로 낮은 값을 보였으며, 특히 기판온도 $190^{\circ}C$에서는 매우 얇은 두께 ($700{\AA}$)이면서 낮은 비저항($2.8{\mu}{\Omega}cm$)을 갖는 Cu 박막이 형성됨을 알 수 있었다 He 운반기체와 함께 환원가스(H$_2$) 및 화학첨가제 (H (hfac) ligand)의 첨가 실험에서는 낮은 기판온도 ($180~190^{\circ}C$) 구간에서 현저하게 증착율이 증가하였으며 얇은 두께 (~$500{\AA}$)의 Cu 박막이 낮은 비저항(3.6~$2.86{\mu}{\Omega}cm$)을 갖는 것으로 나타났다. 또한 얇은 두께의 MOCVD Cu박막들의 표면 반사도(reflectance)는 $300^{\circ}C$에서 열처리한 sputter Cu의 반사도에 근접하는 우수한 surface morphology를 보였다 결국, (hfac)Cu(1,6-DMCOD) 전구체를 이용하여 얻어진 MOCVD Cu박막은 얇은 두께에서 낮은 비저항을 갖는 우수한 막질을 보였으며, Electrochemical deposition공정에서 conformal seed layer로써의 적용이 가능할 것으로 기대된다. The deposition characteristics of MOCVO Cu using the (hfac)Cu(I) (1,5-DMCOD)(1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentanedionato Cu(I) 1,5-dimethyl-cyclooctadine) as a precursor have been investigated in terms of the effects of hydrogen and H(hfac) ligand addition with He carrier gas. MOCVD Cu using a Helium carrier gas showed a low deposition rate (20~$125{\AA}/min$) at the substrate temperature range of 180~$230^{\circ}C$. Moreover, the Cu film deposited at 19$0^{\circ}C$ was very thin (~$700{\AA}$) and showed the lowest resistivity value of $2.8{\mu}{\Omega}-cm$. The deposition rate of MOCVD Cu using $H_2$or H(hfac) addition was significantly enhanced especially at the low temperature region (180~$190^{\circ}C$). Furthermore, thinner Cu films (~$500{\AA}$) provided low resistivity (3.6~$2.86{\mu}{\Omega}-cm$). From surface reflectance measurement, very thin films deposited by using different gas system revealed good surface morphology comparable with sputtered Cu film ($300^{\circ}C$, vacuum-anneal). Hence, Cu film using (hfac)Cu(1,5-DMCOD) as a precursor is expected as a good seed layer in the electrochemical deposition process for Cu metallization.

      • KCI등재후보

        호소형 및 하천형 댐 호의 육수학적 특성과 조류발생과의 상관관계

        김종민 ( Kim Jong Min ),허성남 ( Heo Seong Nam ),노혜란 ( Noh Hye Lan ),양희정 ( Yang Hui Jeong ),한명수 ( Han Myeong Su ) 한국하천호수학회 2003 생태와 환경 Vol.36 No.2

        This paper aimed to analyze the relationship between algal bloom patterns and hydrological, limnological data which were collected from major reservoirs in Korea for 8 years (1990~1997). Water temperature of river-type reservoirs showed wider seasonal fluctuations than that of lake-type. pH of lake-type reservoirs was low in winter season but high in summer season. In contrast, river-type reservoirs showed high pH in spring and autumn seasons as well, and very low in summer season. COD of lake-type reservoirs and Paldang reservoir was lower (2~3 mg/L) than that of Geumgang and Nagdonggang reservoirs (6~9 mg/L). Dissolved oxygen (DO) of river-type reservoirs was higher than that of lake-type reservoirs. Seasonal fluctuation pattern of Do saturation in river-type reservoirs was high (80~100%) and remained relatively constant whereas lake-type reservoirs showed the highest level (93%) in late spring or early summer, which gradually decreased entering winter season (46~66%). And monthly variation of DO saturation showed inverse proportion to water volume in lake-type reservoirs. Nutrients concentration in river-type lake is higher than lake-type. Seasonal fluctuation of nutrients (T-N, T-P) in lake-type reservoirs was relatively small than that of river-type reservoirs. Annual mean N/P mass ratio of lake-type reservoirs was higher than that of river-type. Transparency tended to related with the suspended solid concentration in river-type reservoirs. Algal bloom of lake-type and river-type reservoirs occurred at any time except rainfall and winter periods. And it dominated in summer and early autumn, respectively. Algal bloom of river-type reservoirs was higher than that of lake-type. Relationship between rainfall and chlorophyll-α in lake-type reservoirs was relatively high, however river-type reservoirs showed insignificant.

      연관 검색어 추천

      이 검색어로 많이 본 자료

      활용도 높은 자료

      해외이동버튼