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안성덕,강승열,조성행,Ahn, S.D.,Kang, S.Y.,Cho, S.H. 한국전자통신연구원 2015 전자통신동향분석 Vol.30 No.6
최근 디스플레이 산업은 Liquid Crystal Display(LCD)산업의 성숙 및 동북아 선도업체를 중심으로 과점화 양상에 따라, 국가 간 주도권 경쟁을 위한 경쟁 치열해지고 있으며, 디스플레이 시장정체 극복 및 경쟁국 간의 기술시장의 우위를 선점하기 위하여 차세대 디스플레이 개발을 추진하고 있다. 차세대 디스플레이는 기능이 다양화 된 디스플레이, Active Matrix Organic Light Emitting Diode(AMOLED), 플렉서블 디스플레이, 투명 디스플레이와 같은 새로운 디스플레이 및 자동차 교육, 광고 의료 분야와 융합되는 신시장 창출형 융합 디스플레이로 발전하고 있다. 본고에서는 차세대 디스플레이의 최근 기술동향 및 디스플레이 국제 표준 기술동향 및 이슈를 살펴보고자 한다.
ECR 산소 플라즈마에 의한 $SiO_2$ 박막의 성장 거동 및 전기적 특성
안성덕,이원종 한국세라믹학회 1995 한국세라믹학회지 Vol.32 No.3
Silicon oxide films were grown on single-crystal silicon substrates at low temperatures (25~205$^{\circ}C$) in a low pressure electron cyclotron resonance (ECR) oxygen plasma. The growth rate of the silicon oxide film increased as the temperature increased or the pressure decreased. Also, the thickness of the silicon oxide film increased at negative bias voltage, but not changed at positive bias voltage. The growth law of the silicon oxide film was approximated to the parabolic form. Capacitance-voltage (C-V) and current density-electric field (J-E) characteristics were studied using Al/SiO2/p-Si MOS structures. For a 10.2 nm thick silicon oxide film, the leakage current density at the electric field of 1 MVcm-1 was less than 1.0$\times$10-8Acm-2 and the breakdown field was higher than 10 MVcm-1. The flat band voltage of Al/SiO2/p-Si MOS capacitor was varied in the range of -2~-3 V and the effective dielectric constant was 3.85. These results indicate that high quality oxide films with properties that are similar to those of thermal oxide film can be fastly grown at low temperature using the ECR oxygen plasma.
안성덕,김동원,천성순,강상원 한국결정성장학회 1997 韓國結晶成長學會誌 Vol.7 No.2
Ionized Cluster Beam Deposition(ICBD)방법을 이용하여 Si(100)기판과 TiN(60 nm)/Si(100)기판위에 Al 박막을 증착하였다. 증착된 Al 박막의 증착특성은 $\alpha$-step, four-point-probe, XRD, SEM, AES 측정장치를 가지고 조사해 보았다. 도가니 온도가 증가함에 따라 Al 박막의 증착속도는 증가하였고 비저항 값은 감소하였다. 도가니 온도가 $1800^{\circ}C$인 경우 가속전압이 증가함에 따라 연속적이며 평평한 박막이 형성되고 비저항이 감소되었다. 최소의 비저항 값은 Si 기판에서는 가속전압이 4 kV일 때 3.4 $\mu \Omega \textrm {cm}$, TiN 기판에서는 가속전압이 2kV일 때 3.6 $\mu \Omega \textrm {cm}$. AES 분석결과 형성된 박막내에서는 불순물이 존재하지 않는 것을 알 수 있었다. 따라서 Al 박막의 비저항은 박막충의 미세구조에 의해 영향을 받는다. Aluminum (Al) thin films were deposited on the Si(100) and TiN(60 nm)/Si (100) substrate by the ionized cluster beam deposition (ICBD) method. The characteristics of thin films were examined by the $\alpha$-step, four-point-probe, Scanning Electron Spectroscopy (SEM), Auger Electron Spectroscopy (AES). The growth rate of the Al thin film increased and the resistivity decreased as the crucible temperature increased. At the crucible temperature $1800^{\circ}C$, the microstructure of Al thin film deposited was smooth and continuous the resistivity decreased as the acceleration voltage increased. Also, the minimum resistivity in Si(100) substrate and TiN(60 nm)/Si(100) substrate were 3.4 $\mu \Omega \textrm {cm}$, 3.6 $\mu \Omega \textrm {cm}$ at the acceleration voltage 4 kV and 2 kV respectively. From the AES spectrumt 14 wasn't detected any impurities In the Al thin film. Therefore the resistivity of Al thin film was affected by the microstructure of film.
2LM-7 Stretchable Display 기술동향 및 이슈
안성덕 한국공업화학회 2017 한국공업화학회 연구논문 초록집 Vol.2017 No.1
스트레쳐블 디스플레이는 유연하여 휘거나, 접거나, 신축이 가능하며 전자기기의 응용뿐만 아니라 다양한 산업과의 융합을 통해 신시장 창출이 가능한 궁극의 차세대 디스플레이 핵심 기술이다. 웨어러블, IoT 등 고성장 신규 스마트 디바이스 시장에 대한 기대감 고조됨에 따라, 스마트 디바이스에 가장 적합한 스트레쳐블 디스플레이 수요도 급격히 증가할 전된다. 또한 스트레쳐블 디스플레이는 언제어디서나 정보 소통을 가능하게 하여 초연결(Hyperconnection) 시대에 부합한다. 디스플레이의 관점에서 본다면 기존의 평판 디스플레이에 유연성과 경박화를 실현한 플랙시블 디스플레이가 등장했으며, 향후 bendable한 형태로부터 점차 foldable, deformable한 형태까지 디자인을 더욱 자유롭게 구현할 수 있는 방향으로 진화할 것으로 전망된다. 이와 같이 foldable, deformable한 디스플레이에 구현하기 위해서는 부분적으로 스트레처블 기능을 가져야 한다. 본 발표에서는 스트레처블 디스플레이의 기술 개발 동향 및 응용에 대하여 논의하고자 한다.
비정질 합금 Fe_77Si_10B_13의 Mo¨ssbaner연구
鄭鎭德,安成淸 陸軍士官學校 1982 한국군사학논집 Vol.23 No.-
The thermal study on amorphous Fe_77Si_10B_13 in ribbon from obtained by single roll rapid quenching method has been performed over a large temperature range from 77 to 700K using Fe^57 Mőssbauer spectroscopy. Well-defined hyperfine field distribution P(H) has been analyzed at various temperatures. The temperature dependence of the mean field, average isomer shift and quadrupole spliting was considered. On returning to room temperature after each measurement at various temperature, the annealing effect has been also observed.