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체내 심전도 데이터의 신경학적 분석 및 다형성 판별을 통한 심실세동 예측에 관한 연구 및 시뮬레이터 구현
신광수(K. S. Shin),김진권(J. K. Kim),박현철(H. C. Park),이충근(C. K. Lee),이명호(M. H. Lee) 대한전기학회 2008 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2008 No.10
본 고에서는 체내 심실신호를 통하여 신경학적 분석 및 다형성의 측면에서 심실세동이 일어나는 것을 예측하는 분석 알고리즘을 설계하였다. 신경학적 측면에서는 시계열 신호의 Peak to Peak Interval을 예측법과 0.15㎐를 기준으로 HRV 신호의 AR Burg 모델링을 통하여 고주파성과 저주파성을 나누어 교감신경과 부교감 신경의 활동성 통한 신경학적 예측법을 제시하였으며 또한 체내 심실신호의 비선형적 특성을 고려한 Fractal Dimension을 생성시킴으로서 주기성의 특성과 다형성 통한 예측법을 제시하였다. 체내 심전도를 기반으로 Simulation 하였으며 각 분석별 조합을 통하여 최적의 예측 구조를 찾고자 하였다. 의학적 의미가 있는 민감도와 특이도를 판별하였으며 예측을 위한 수행시간을 실험하였다. 이를 통하여 자율신경 활성도와 다형성 판별을 조합한 방법이 심실세동 예측을 위한 민감도의 측면에서 가장 우수함을 나타내었고 시뮬레이션을 위한 시뮬레이터(Simulator) UI(User Interface)를 제시하였다.
부정맥 환자의 진단 및 치료를 위한 ICD 알고리즘 및 시뮬레이터 구현
신광수(K. S. Shin),김진권(J. K. Kim),신항식(H. S. Shin),이충근(C. K. Lee),이명호(M. H. Lee) 대한전기학회 2008 정보 및 제어 심포지엄 논문집 Vol.2008 No.1
현대인의 생활 습관 및 고령화 사회의 도래에 따라 심장질환자의 수는 기하급수적으로 늘어가고 있으며 특히 부정맥 환자는 그 중에서 가장 큰 분포를 차지하고 있다. 따라서 심장질환의 검출 및 치료를 위한 기기의 개발 및 발전이 시급하다고 볼 수 있다. 그 중 본 고 에서는 인체 이식형/삽입형 Pacemaker ICD(Implantable Cardioverter Defibrillator)의 알고리즘을 소개하고자 한다. 본 고의 전체적인 구조는 ICD 기술의 필요성을 제시하고 본론에서는 부정맥 (Arrhythmia 소개 및 구현 대상, ICD 알고리즘 관련 국내외 현황, 빈맥의 검출 및 치료, 서맥의 검출 및 치료, 시뮬레이터 구현의 내용을 담았다. 또한 알고리즘의 모률 단위 구성도와 시뮬레이터(Simulator) UI(User Interface)를 제시하였다.
표면 조성분석의 정량화를 위한 Pt - Co 합금박막 표준시료의 개발 및 공동분석
김경중(K. J. Kim),문대원(D. W. Moon),한명섭(M. S. Han),강희재(H. J. Kang),김준곤(J. K. Kim),한승희(S. H. Han),이중환(J. H. Lee),윤선진(S. J. Yun),신광수(K. S. Shin),김차연(C. Y. Kim),김태형(T. H. Kim),이동석(D. S. Lee),김영남(Y. N. Kim),최홍 한국진공학회(ASCT) 1998 Applied Science and Convergence Technology Vol.7 No.3
Si 기판 위에 3종의 Pt-Co 합금박막 (Pt66-Co34, Pt40-Co60, Pt18-Co82)과 순수한 Pt, Co 박막 시료를 제작하여 표면 조성분석의 정량화 및 표준화를 위한 표준시료로 제안하였다. in-situ X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) 분석에 의해 증착된 이원 합금박막의 조성이 정확히 조절되었으며, 합금박막의 실제 조성은 유도결합플라즈마-원자방출분광법 (inductively coupled plasma-atomic emission spectroscopy: ICP-AES)과 러더퍼드 후방산란분광법 (Rutherford back-scattering spectrometry: RBS)에 의해 결정되었다. in-situ XPS 결과와 ICP에 의한 조성을 비교한 결과 매질 효과를 고려하면 비교적 정확한 조성을 구할 수 있음이 확인되었다. 이 시료를 이용한 XPS와 Auger electron spectroscopy(AES)에 의한 국내 공동분석 결과는 약 4% 내외의 큰 편차를 보이고 있지만, 평균 조성 값은 약 1%의 오차 범위 내에서 두 방법에 의한 결과가 서로 잘 일치하였다. 이온빔 스퍼터링에 의해 Pt 조성이 증가된 표면층이 형성되어 정확한 조성분석을 위해서는 선택스퍼터링에 의한 표면 변형을 정량적으로 이해하여야 함을 알았다. Pure Pt, Co and their alloy thin films with three different compositions (Pt66-Co34, Pt40-Co60 and Pt18-Co82) were deposited on Si(100) wafers and proposed as a set of certified reference materials (CRM) for the quantification and standardization of surface compositional analysis. The compositions of the binary alloy thin films were controlled by in-situ XPS analyses and the certified compositions of the films have been determined by ICP-AES and RBS analyses after thin film growth. Through comparison of the compositions determined by in-situ XPS with those by ICP, relatively accurate compositions could be obtained with a matrix effect correction. Standard deviations of XPS and AES round robin tests with the Pt-Co alloy thin films were large up to about 4%. On the other hand, the average compositions of the Pt-Co alloy thin films by two methods were in a good agreement within 1 %. The formation of a Pt rich surface layer by ion beam sputtering indicates that the surface modification by preferential sputtering must be understood for a better compositional analysis.
리모트 수소 플라즈마를 이용한 Si 표면 위의 Fe 불순물 제거
이종무,박웅,전부용,전형탁,안태항,백종태,신광수,이도형,Lee, C.,Park, W.,Jeon, B.Y.,Jeon, H.T.,Ahn, T.H.,Back, J.T.,Shin, K.S.,Lee, D.H. 한국재료학회 1998 한국재료학회지 Vol.8 No.8
리모트 수소 플라즈마에 의한 Si 웨이퍼 표면 위의 Fe 불순물의 제거효과를 조사하였다. 세정시간 10분 이하와 rf-power 100W이하의 범위에서 최적 공정조건은 각각 1분과 100W이였으며, 플라즈마 노출시간이 짧을수록, rf-power가 증가할수록 Fe제거 효과가 더 향상되는 것으로 나타났다. 또한, 고압보다는 저압 하에서 Fe 제거효과가 더 우수하였는데, 저압 하에서는 $\textrm{H}_2$ 유량이 20sccm, 고압 하에서는 60sccm일 때 Fe 제거효과가 가장 우수하였다. 플라즈마 세정 직후의 열처리는 금속오염의 제거효과를 향상시켰으며, $600^{\circ}C$에서 최상의 효과를 얻을 수 있었다. AFM 분석결과에 의하면 표면 거칠기는 플라즈마 세정에 의하여 30-50% 향상되었는데, 이것은 Fe 오염물과 더불어 Si 표면의 particle이 제거된 데 기인하는 것으로 생각된다. 또한 본 논문에서는 수소 플라즈마에 의한 Si 웨이퍼 표면의 Fe 제거기구에 관해서도 자세히 고찰하였다. Effects of remote hydrogen plasma cleaning process parameters on the removal of Fe impurities on Si surfaces and the Fe removal mechanism were investigated. Fe removal efficiency is enhanced with decreasing the plasma exposure time and increasing the rf-power. The optimum plasma exposure time and rf-power are 1 min and 100W. respectively, in the range below 10 min and 100W. Fe removal efficiency is better under lower pressures than higher pressures, and the optimum $\textrm{H}_2$ flow rate was found to be 20 and 60sccm, respectively, under a low and a high pressure. The post-RHP(remote hydrogen plasma) annealing enhanced metallic contaminants removal efficiency, and the highest efficiency was achieved at $600^{\circ}C$. According to the AFM analysis results Si surface roughness was improved by 30-50%, which seems to be due to the removal of particles by the plasma cleaning. Also. Fe impurities removal mechanisms by remote hydrogen plasma are discussed.