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신현철,남일구,양준모,민병욱,이규호,윤치원,송진호,Hyunchol Shin,Ilku Nam,Jun-Mo Yang,Byung-Wook Min,Kyuho Lee,Chiweon Yoon,Jean Ho Song 반도체공학회 2024 반도체공학회 논문지 Vol.2 No.3
반도체는 전자 기기 및 시스템을 구성하는 핵심 기술로서, 반도체 기술 발전 방향을 예측 및 제시하는 것이 필요하다. 본 연구에서는 무어 법칙에 따른 반도체 소자의 지속적인 집적화 기술, 시스템 응용에 따른 프로세서 기술, 인공지능/기계학습(AI/ML) 지원 프로세서 기술, 외부시스템 연결 기술로서의 광통신 및 무선통신 기술을 중심으로 각 분야의 핵심적인 기술 개발 이슈, 발전 동향, 그리고, 앞으로의 발전 로드맵에 대한 기초적인 연구결과를 제시하였다. Semiconductors are considered as one of the essential technologies in modern electronic devices and systems. Thus, it is required to predict and propose the semiconductor technology development roadmap. This study describes the key semiconductor technology issues, research and development trends, and their future roadmap, in the four areas such as the semiconductor device More-Moore integration technology, system-specific application processor technology, artificial intelligence/machine learning (AI/ML) processor technology, and outside system connectivity via optical and wireless communication.
지상파 및 케이블 디지털 TV 튜너를 위한 RF 프런트 엔드
최치훈,임동구,남일구,Choi, Chihoon,Im, Donggu,Nam, Ilku 대한전자공학회 2012 전자공학회논문지 Vol.50 No.8
본 논문에서는 지상파 및 케이블 디지털 TV를 위한 더블 컨버전 (double-conversion) zero-IF 튜너에 적합한 저잡음 고선형 광대역 RF 프런트 엔드를 제안한다. 저잡음 증폭기는 전류 증폭 기반의 잡음 제거 기법을 적용하여 저잡음과 고선형성 특성을 갖는다. 상향 변환 믹서와 SAW 필터 버퍼는 3차 intermodulation 제거 기법을 적용하여 고선형성 특성을 갖는다. 제안한 RF 프런트 엔드는 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 사용하여 설계하였고, 전원 전압 1.8 V에서 60 mA의 전류를 소모하면서 48 MHz에서 862Hz의 디지털 TV 밴드에서 30 dB의 전압 이득, 4.2 dB의 single side-band 잡음 지수, 40 dBm의 IIP2, -4.5 dBm의 IIP3의 성능을 보인다. This paper presents an integrated low noise and highly linear wideband RF front-end for a digital terrestrial and cable TV tuner, which are used as a part of double-conversion TV tuner. The low noise amplifier (LNA) has a low noise figure and high linearity by adopting a noise canceling technique based on current amplification. The up-conversion mixer and SAW buffer have high linearity by employing a third order intermodulation cancellation technique. The proposed RF front-end is designed in a $0.18{\mu}m$ CMOS and draws 60 mA from a 1.8 V supply voltage. The RF front-end shows a voltage gain of 30 dB, an average single side-band noise figure of 4.2 dB, an IIP2 of 40 dBm, and an IIP3 of -4.5 dBm for the entire band from 48 MHz to 862Hz.