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직접 광여기 Photo-CVD에 의한 이산화실리콘 박막의 증착 특성
김윤태,김치훈,정기로,강봉구,김보우,마동성,Kim, Youn-Tae,Kim, Chi-Hoon,Jung, Ki-Ro,Kang, Bong-Ku,Kim, Bo-Woo,Ma, Dong-Sung 대한전자공학회 1989 전자공학회논문지 Vol. No.
실리콘계 절연박막 형성을 위한 저온공정을 개발하기 위하여 photo-CVD장치를 제작하여 $SiO_2$ 박막을 $50{\sim}250^{\circ}C$ 범위에서 증착시켰다. 이때 $SiH_4/N_2O$ 혼합가스는 수은증감반응법을 사용하지 않고 저압수은램프의 직접 광여기에 의해 분해시켰다. AES와 ESCA 분석결과 Si와 O의 화학량론적 구성이 거의 모든 공정조건에서 1:2로 나타났고, Si와 O원자의 결합상태가 $SiO_2$의 형태로 이루어져 있음을 보여주었다. 그리고 박막의 굴절율은 $1.39{\sim}1.44$의 범위로 나타나, 저온증착에 의해 밀도가 비교적 낮은 박막이 형성됨을 보였다. We developed a photo-CVD equipment for the deposition of silicon based insulating materials. Silicon dioxide thin films were deposited at various process conditions especially low temperature range $50-250^{\circ}C$. Low pressure mercury lamp was used in the direct excitation of $SiH_4/N_2O$ mixture gas without mercury sensitization. AES and ESCA analysis showed that oxygen to silicon atomic ratio and binding state of Si-O bond was nearly 2.0 and $SiO_2$ type, respectively. The refractive indices were measured to be 1.39-1.44, indicating that films were in relatively low density.
김윤태,심재현,정재학,안재찬,Kim, Yun-Tae,Shim, Jae-Hyun,Chung, Jae-Hak,Ahn, Jae-Chan 한국방재학회 2004 한국방재학회논문집 Vol.4 No.3
최근 도시지역의 수해요인은 내수침수불량에 기인하기 때문에 유수지 및 배수펌프장을 신설하여 유수지로 유입되는 유출량을 하천으로 강제배수하게 된다. 그러나 하수관거의 용량이 부족하여 유수지로 미처 유입되기 전에 하수관거의 역류로 침수피해가 자주 발생하고 있다. 따라서 본 연구에서는 도시 내배수 체계의 조사방법을 제시, 하수관거의 위험도를 평가하고 개선할 수 있는 방안을 제시하였다. 또한 배수펌프의 가동대수를 단순한 수위기준에서 변화시켜 실무에서 전문가가 아니더라도 사용할 수 있는 전산모형 8개를 개발하여 제시하였고, 지속기간, 설계빈도, 시간분포 등을 변화시켜 유수지 수위의 적정 조절여부를 검토하였다. 그리고 강제적인 배수에 의해 하류부의 수위영향이 예견되기 때문에 해당 유역의 수위를 안전하게 유지하면서도 하류부에 수위영향을 최소화할 수 있는 방안에 대해서도 검토하였다. 연구결과 Fuzzy 모형이 기존의 운영방법보다 더 효과적으로 유수지의 수위를 저하시킬 수 있었으며, 하류부 수위는 약 8cm 정도 감소시킬 수 있었다. Urban flood damage has been caused by drainage deficiency. One of the methods to solve this problem is to construct detention basin and Pumping station and to pump out the water to the river. However, because of rapid urbanization, the capacity of drainage pipelines is sometimes not sufficient enough during the rainy season. Therefore, even though we have enough pumping stations, the inflow of surface water never reaches to the detention area, causing floods in urban area. This research is to find improvement of urban drainage system, estimating drainage pipeline risk. Also, eight models for a computer program were developed for practical use. The models were verified changing precipitation duration, intensity, design period, time distribution model, and etc. This verification was processed focusing that the model can regulate the water level in the detention basin and minimize the effect downstream. As a result Fuzzy models were found to be efficient to lower the water level in detention basin, and decreased about 8 cm in water level of downstream.
김윤태,박성호,배남진,김보우,마동성,Kim, Youn-Tae,Park, Sung-Ho,Bae, Nam-Jin,Kim, Bo-Woo,Ma, Dong-Sung 대한전자공학회 1988 전자공학회논문지 Vol. No.
독립적인 nitridation step이 포함된 급속 열처리 공정을 이용하여 125-180A 두께의 이중 절연박막을 단결정 실리콘 상에 형성하였다. HCl 가스의 첨가량과 공정시간의 변화에 따른 박막 특성의 변화를 고찰하였고, 이에 따른 박막의 전기적 특성을 관찰하였다. HCl 가스의 첨가에 의해 초기의 산화막 두께의 성장은 현저하게 나타났으나, nitridation 후의 박막두께의 변화는 10A 이하로 매우 저조하였다. 이중 절연박막의 항복전압은 HCl 가스의 첨가량에 비례하여 점차 증가하였고, 절연강도는 furnace나 독립적인 nitridation step이 포함되지 않은 급속 열처리 공정으로 형성한 같은 두께의 박막에 비해 높은 것으로 분석되었다. The dual dielectric films have been grown on single-crystalline silicon substrates with the thickness ranging from 125A to 180A at various gas and temperature conditions by using rapid thermal process that included independent nitridation step. The film characteristics and their dependence on the contents of the hydrochloric gas and the processing time have been studied. By the addition of the hydrochloric gas, the initial oxide thickness was significantly changed, but after sequential nitridation processes the thickness of the films was nevertheless a little bit varied within 10A. All the samples of the dual dielectric films show the increased breakdown voltages in proportion to the additive contents of the hydrochloric gas and also show the higher breakdown strengths than the thermal oxide and nitrided oxide films grown by the conventional furnance process or the rapid thermal nitridation process that was composed of the dependent nitridation cycles.