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SCHOTTKY PROPERTIES OF ION BEAM DEPOSITED W-Si-N REFRACTORY CONTACTS ON GaAs
Park, C. S.,Lee, J. S.,Yang, J. W.,Shim, K. H.,Lee, J. H.,Choe, Y. K.,Kang, J. Y.,Ma, D. S.,Lee, J. Y. 대한전자공학회 1989 ICVC : International Conference on VLSI and CAD Vol.1 No.1
We first tried low energy ion beam assisted deposition (IBAD) of refractory W-Si-N films onto GaAs for application to gate electrode of metal-semiconductor field effect transistors (MESFET). This ion beam technique provides lower process pressure, and less ion damage to substrates and films than conventional reactive sputter-deposition. The Schottky diode characteristics of W-Si-N contacts on GaAs and their thermal stability were investigated after annealing at 700-900℃ for 30 min. The Schottky barrier heights of W/, WN_(0 27)/, and WSi_(0 3)N_(0 4)/GaAs diodes annealed at 850 were 0.71, 0.84, and 0.76 eV respectively, which are comparable to those of the best results obtained by the conventional sputtering.
수소화 처리된 InAs/GaAs 양자점 적외선 수광소자의 전기적 특성
남형도,송진동,최원준,조운조,이정일,최정우,양해석,Nam H.D.,Song J.D.,Choi W.J.,Cho W.J.,Lee J.I.,Choe J.W.,Yang H.S. 한국진공학회 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.2
InGaAs/GaAs 양자 우물 내에 삽입된 InAs 양자점으로 구성된 5층의 흡수층과 $Al_{0.3}Ga_{0.7}As/GaAs$ SL (superlattice) 암전류 장벽층을 갖는 QDIP (quantum dot infrared photodetector) 구조에 대한 수소 RF 플라즈마에 의한 수소화 처리가 QDIP의 전기적. 광학적 특성에 미치는 영향에 대해 연구하였다. RF 플라즈마 수소화 처리는 양자점의 밴드구조에 영향을 미치지 않았으며 $Al_{0.3}Ga_{0.7}As/GaAs$ SL 암전류 장벽층 내의 결함 제거 및 QDIP 구조 내 결함 생성을 동시에 유도함으로써 QDIP의 전기적 특성 향상은 수소 플라즈마 처리시간의 함수임을 알았다. 20 W의 수소 RF 플라즈마를 사용했을 때, 10분간의 플라즈마 조사가 가장 좋은 전기적 특성을 제공하여 높은 암전류 때문에 원시료에서는 측정 할 수 없었던 광전류 신호를 측정 할 수 있었다. In this paper, we investigated the effect of hydrogen-plasma (H-plasma) treatment on the electrical and optical properties of a quantum dot infrared photodetector (QDIP) with a 5-stacked InAs dots in an InGaAs/GaAs well structure and $Al_{0.3}Ga_{0.7}As/GaAs$ SL (superlattice) current blocking layer. It has been observed that H-plasma treatment didn't affect the band structure of QDIP. It has been also observed that the H-plasma treatment on the QDIP not only enhance the electrical property of QDIP by curing the defect channels in $Al_{0.3}Ga_{0.7}As/GaAs$ SL but also introduce defects in QDIP structure. The H-plasma treatment for 10 min with 20 W of RF power provided the lowest dark current, which made it possible to measure the photo-current (PC) of QDIP whose PC was not detectable without the H-plasma treatment due to the high dark current.
1kw급 연료전지용 FB 컨버터 병렬 소자수에 따른 출력 특성 분석
최중묵(Choi J.M),이영진(Lee Y.J),한동화(Han D.H),권완성(Kwon W.S),정병환(Jung B.H),신우석(Shin W.S),최규하(Choe G.H) 전력전자학회 2009 전력전자학술대회 논문집 Vol.2009 No.1
본 논문은 연료전지의 전력변환시스템에서 고주파 절연방식 중 많이 사용 되고 있는 Full-Bridge컨버터의 실제 모델의. 전류의 부담을 줄이는 방법으로 사용하는 MOSFET을 병렬연결하는 방법을 수식적으로 분석하였다. 또한 실제 1㎾급 컨버터에서 스위치 개수를 변경한 데이터를 바탕으로 전체PCS의 효율을 개선하는 방법을 제안한다.
전압 더블러를 사용한 연료전지용 Half-Bridge 컨버터 PCS 설계
최중묵(Choi J.M),한동화(Han D.H),이영진(Lee Y.J),정병환(Jung B.H),신우석(Shin W.S),최규하(Choe G.H) 전력전자학회 2009 전력전자학술대회 논문집 Vol.2009 No.1
본 논문에서는 현재 연료전지의 전력변환시스템에서 고주파 절연방식 중 널리 사용되어지고 있는 Full-Bridge Type PCS를 시뮬레이션(Psim Ver 6.0)을 통하여 구현하고 이를 대체할 수 있는 Half-Bridge Type PCS를 제안하고 시뮬레이션을 통하여 이를 비교 분석한다.
InAs/GaSb 응력초격자를 이용한 적외선검출소자의 제작 및 특성 연구
김준오,신현욱,최정우,이상준,김창수,노삼규,Kim, J.O.,Shin, H.W.,Choe, J.W.,Lee, S.J.,Kim, C.S.,Noh, S.K. 한국진공학회 2009 Applied Science and Convergence Technology Vol.18 No.2
150 주기의 InAs/GaSb (8/8-ML) 제2형 응력초격자 (SLS)를 활성층에 탑재한 초격자 적외선검출소자 (SLIP) 구조를 MBE 방법으로 성장하고, 직경 $200{\mu}m$의 개구면을 가지는 SLIP 개별소자를 시험 제작하였다 고분해능 투과전자현미경 (TEM) 이미지의 휘도분포와 X선회절 (XRD) 곡선의 위성피크의 분석 결과는 SLS 활성층은 균일한 층두께와 주기적 응력변형을 유지하는 급격한 계면의 초격자임을 입증하였다. 흑체복사 적외선 광원을 이용하여 측정한 입사파장 및 인가전압에 따른 반응도 (R)와 검출률 ($D^*$)로부터, 차단파장은 ${\sim}5{\mu}m$이고 최대 R과 $D^*$ ($\lambda=3.25{\mu}m$)는 각각 ${\sim}10^3mA/W$ (-0.6 V/13 K)와 ${\sim}10^9cm.Hz^{1/2}/W$ (0 V/13 K)임을 보였다. 반응도의 온도의존성으로부터 분석한 활성화에너지 275 meV는 광반응 과정에 개입되어 있는 가전대 및 전도대 부준위 사이의 에너지 간격 (HH1-C)과 잘 일치하였다. The superlattice infrared photodetector (SLIP) with an active layer of 8/8-ML InAs/GaSb type-II strained-layer superlattice (SLS) of 150 periods was grown by MBE technique, and the proto-type discrete device was defined with an aperture of $200-{\mu}m$ diameter. The contrast profile of the transmission electron microscope (TEM) image and the satellite peak in the x-ray diffraction (XRD) rocking curve show that the SLS active layer keeps abrupt interfaces with a uniform thickness and a periodic strain. The wavelength and the bias-voltage dependences of responsivity (R) and detectivity ($D^*$) measured by a blackbody radiation source give that the cutoff wavelength is ${\sim}5{\mu}m$, and the maximum Rand $D^*$ ($\lambda=3.25{\mu}m$) are ${\sim}10^3mA/W$ (-0.6 V/13 K) and ${\sim}10^9cm.Hz^{1/2}/W$ (0 V/13 K), respectively. The activation energy of 275 meV analyzed from the temperature dependent responsivity is in good agreement with the energy difference between two SLS subblevels of conduction and valence bands (HH1-C) involving in the photoresponse process.
최중묵(Choi J.M),이영진(Lee Y.J),한동화(Han D.H),권완성(Kwon W.S),최수경(Choi S K),정병환(Jung B.H),신우석(Shin W.S),최규하(Choe G.H) 전력전자학회 2009 전력전자학술대회 논문집 Vol.2009 No.2
본 논문은 연료전지용 전력변환 시스템 중 저주파(60㎐) 변압기를 사용하는 방식 인 Boost PCS를 대상으로 이전 연구에 진행되었던 최적설계를 바탕으로 제작된 PCS의 손실을 분석하고 컨버터부 인버터부 변압기부의 전력에 따른 효율을 분석하여 가정용 연료전지 PCS의 설계에서의 최적화 지침을 제공하고자 한다.