고상 에피택시에 의한 초박막 $CoSi_2$ 형성과 $Si/epi-CoSi_2/Si$(111)의 이중헤테로 에피택셜 성장

최치규,강민성,문종,현동걸,김건호,이정용,Choi, Chi-Kyu,Kang, Min-Sung,Moon, Jong,Hyun, Dong-Geul,Kim, Kun-Ho,Lee, Jeong-Yong 한국재료학회 1998 한국재료학회지 Vol.8 No.2

초고진공에서 in situ 고상 에피택셜 방법으로 Si(111)기판 위에 에피택셜 $CoSi_2$ 초박막과 $Si/epi-CoSi_2/Si$(111) 의 이중 이종에피택셜 구조를 성장 시켰다. 2-MeV $^4He^{++}$ 이온 후방산란 분광기와 X-선 회절분석기 및 고분해능 투과전자 현미경을 이용하여 성장된 $CoSi_2$와 $Si/epi-CoSi_2/Si$(111)의 상, 조성, 결정성 그리고 계면의 미세구조를 조사하였다. 실온에서 증착된 Co 박막은 texture 구조를 갖는 Stransky-Krastanov 성장 모드를 나타내었다. 실온에서 Si(111)-$7\times{7}$ 기판 위에 Co를 $50\AA$ 증착한 후 $700^{\circ}C$로 10분간 in situ 열처리했을 때 초박막 A-type $CoSi_2$상이 성장되었고, 정합상관계는 $CoSi_2$[110]//Si[110] and $CoSi_2$(002)//Si(002)였으며, 편의각은 없었다. A-type $CoSi_2$/Si(111)계면은 평활하고 coherent 하였다. 양질의 epi-Si/epi-$CoSi_2$(A-type)/Si(111)구조는 Co/Si(111)계를 $700^{\circ}C$로 10분간 in situ로 열처리한 후 기판을 $500^{\circ}C$로 유지하면서 Si을 증착하였을 때 형성되었다. Epitaxial ultrathin films of $CoSi_2$ and double heteroepitaxial structure of Si/$CoSi_2$/Si(lll) were prepared on Si(111)-$7\times{7}$ substrate by in situ solid-phase epitaxy in a ultrahigh vacuum(LHV). The phase, chemical composition, crystallinity, and the microsructure of the Si/$CoSi_2$/Si(lll) interface were investigated by 2-MeV $^4He^{++}$ ion backscattering spectrometry, X-ray diffraction, and high-resolution transmission electron microscopy. The growth mode of the Co film was the Stransky-Krastanov type with texture when the substrate temperature was room temperature. A-type $CoSi_2$ ultrathin film was grown by deposition of about 50A Co on Si(ll1)-$7\times{7}$ substrate followed by in situ annealing at $700^{\circ}C$ for 10 min. The matching face relationships were $CoSi_2$[110]//Si[110] and $CoSi_2$(002)//Si(002) with no misorientation angle. The A-type $CoSi_2$/Si(lll) interface was abrupt and coherent. The best epi-Si/epi-$CoSi_2$2(A-type)/Si(lll) structure was obtained by deposition of Si film on the CoSii at $500^{\circ}C$ followed by in situ annealing at $700^{\circ}C$ for 10 min in UHV.

PVD 방법에 의한 TiN barrier metal 형성과 공정개발

최치규(Chi-Kyu Choi),강민성(Min-Seoung Kang),박형호(Hyung-Ho Park),염병렬(Byung-Ryul Ryum),서경수(Kyung-Soo Suh),이종덕(Jong Duk Lee),김건호(Kun-Ho Kim),이정용(Jeong-Yong Lee) 한국진공학회(ASCT) 1997 Applied Science and Convergence Technology Vol.6 No.3

Ar과 N₂-가스가 혼합된 분위기에서 반응성 스퍼터링 방법에 의하여 TiN 박막을 증착하였다. N₂ 가스의 농도는 화학양론적으로 TiN이 형성되는 조건에 맞도록 조절하였으며, 기판의 온도는 실온에서 부터 700℃의 범위내로 유지하였다. (111) texture 구조를 가지면서 화학양론적으로 Ti_(0.5)N_(0.5)인 박막은 기판의 온도가 600℃ 이상에서 형성되었고, 기판의 온도가 600℃ 이하에서는 형성된 박막은 N-과다형이었다. XRD, XPS 및 RBS 분석 결과 TiN 박막의 조성비는 기판의 온도에 다소 의존하였으나 약 5% 이내에 불과하였다. TiN 박막의 면저항은 기판온도의 증가에 따라 감소하였고, 기판온도가 600℃에서 증착된 TiN 박막의 면저항은 14.5Ω/□ 였고, Ar-가스 분위기에서 700℃로 30초간 열처리한 후는 8.9Ω/□이었다. 따라서 반응성 스퍼터링방법에 의하여 형성되는 양질의 TiN 박막은 기판온도가 600℃이상이 최적조건임을 알았다. Titanium nitride (TiN) films were prepared by reactive sputter deposition in mixed gas of Ar +N₂. The volume percentage of N₂ in the working gas was chosen so as to grow stoichiometric TiN films and the substrate temperature during film growth was set from room temperature to 700℃. Stoichiometric Ti_(0.5)N_(0.5) films with (111) texture were grown at temperatures over 600℃, while films prepared at temperatures below 600℃ showed N-rich TiN. The composition x and y in the Ti_xN_y films determined by XPS and RBS varied within 5% with the substrate temperature. The sheet resistance of the TiN films decreases as the substrate temperature increased. TiN film prepared at 600℃ showed 14.5 Ω/□, and it decreased to 8.9 Ω/□ after the sample was annealed at 700℃, 30 sec in Ar-gas ambient by RTA. By far, high quality stoichiometric TiN films by reactive sputtering in the mixed gas ambient could be prepared at substrate temperature over 600℃.

동시증착에 의한 Si(111) - 7×7 기판 위에 TiSi₂ 에피택셜 성장

최치규(Chi Kyu Choi),류재연(Jai Yon Ryu),오상식(Sang Shik Oh),염병렬(Byung Ryul Ryum),박형호(Hyung Ho Park),조경의(Kyoung Ik Cho),이정용(Jeong Yong Lee),김건호(Kun Ho Kim) 한국진공학회(ASCT) 1994 Applied Science and Convergence Technology Vol.3 No.4

초고진공에서 기판 Si(111)-7×7 위에 Ti : Si = 1 : 1 또는 1:2 의 조성비로 Ti와 Si을 동시 증착한 후 in situ 열처리하여 TiSi₂ 박막을 에피택셜 성장시켰다. XRD와 XPS 분석결과 동시증착된 혼합 층에서 C49-TiSi₂ 박막의 성장은 핵형성에 의함을 확인하였으며, 양질의 C49-TiSi₂ 박막은 Ti를 증착한 후 Ti와 Si를 동시 증착한 (Ti+2Si)/(Ti)/Si(111)-7×7 구조의 시료를 초고진공에서 500℃에서 열처리하여 얻을 수 있었다. 형성된 C49-TiSi₂/Si(111)의 계면은 깨끝하였고, HRTEM 분석 결과 C49-TiSi₂/Si(111)의 계면은 약 10℃의 편의를 가지면서 TiSi₂[211]││Si[110], TiSi₂(031)││Si(111)의 정합성을 가졌으며, 시료의 전 영역에 에피택셜 성장되었다. TiSi₂ film was grown epitaxially on the Si(111) substrate by means of the coevaporation of Ti and Si (Ti : Si= 1 : 1 to 1 : 2) on Si(111)-7×7 surface followed by in situ annealing in ultrahigh vacuum. X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy showed that silicide formation was initiated by the nucleation of C49-TiSi₂ crystallites in the deposited layer. High-quality epitaxial C49-TiSi₂ layer was obtained by in situ annealing (Ti+2Si)/Ti/Si(111)-7×7 sample at 500℃ for 10 min in UHV. TiSi₂/Si(111) interface was clear and the orientation relationship between the C49-TiSi₂ and the Si(111) substrate deduced from the HRTEM lattice image was TiSi₂[211]││Si[110], TiSi₂(031)/Si(111) with a misorientation angle of 10˚. The whole area of the sample was covered with the epitaxial C49 structure.

고상 에피택셜 성장에 의한 PtSi 박막의 형성

최치규(Chi Kyu Choi),강민성(Min Seoung Kang),이개명(Kae Myoung Lee),김상기(Sang Gi Kim),서경수(Kyung Soo Suh),이정용(Jeong Yong Lee),김건호(Kun Ho Kim) 한국진공학회(ASCT) 1995 Applied Science and Convergence Technology Vol.4 No.3

초고진공에서 Si(100)-2×1 기판 위에 Rt를 약 100Å의 두께로 증착한 후 in-situ로 열처리하는 고상에피택셜 성장법으로 PtSi 박막을 형성시켰다. XRD와 XPS 분석 결과 200℃로 열처리한 시료에서는 Pt₃Si, Pt₂Si와 PtSi의 상이 섞여 있었으나 500℃로 열처리한 시료에서는 PtSi의 단일상만 확인되었으며, 형성된 PtSi박막은 주상구조와 판상구조의 이중구조를 나타내었다. 기판 온도를 500℃로 유지하면서 Rt를 증착한 후 750℃에서 열처리한 경우에는 판상구조를 갖는 양질의 PtSi 박막이 에피택셜 성장되었다. HRTEM 분석 결과 에피택셜 성장된 PtSi와 기판 Si(100)의 계면은 RSi[110]//Si[110], RtSi(110)//Si(100)의 정합성을 가졌다. 판상구조를 갖는 PtSi 상의 에피택셜 방향은 기판과 열처리 온도에는 의존하나 열처리 시간에는 무관한 것으로 나타냈다. Solid-phase epitaxial growth of the thin PtSi films were obtained by deposition of a thin Pt(100Å) film on a Si(100)-2×1 substrate in ultra-high vacuum followed by in-situ annealing. X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy showed that Pt₃Si, Pt₂Si and PtSi phases coexisted in the samples annealed at 200℃. However, at 500℃, only the PtSi phase was formed as a bilayered film with a columnar and planar structure. For the Pt(100Å)/Si(100)-2×1 sample which was prepared by deposition of Pt at 500℃ followed by in situ annealing at 750℃ for 10 min, on the other hand, high-quality epitxial PtSi with planar structure was gown. The orientation relationship between the epitaxail PtSi film and the Si(100) substrate from thee HRTEM lattice image is PtSi[110]//Si[110], PtSi(110)//Si(100) without a misorientation angle. It was found out that the epitaxial orientation of the PtSi phase with a planar stucture were mainly depending on the substrate and annealing temperature, not on me annealing time.

P2P 환경에서의 프록시 캐싱 기법

이치훈 ( Chi Hun Lee ),최치규 ( Chi Kyu Choi ),최황규 ( Hwang Kyu Choi ) 한국정보처리학회 2005 한국정보처리학회 학술대회논문집 Vol.12 No.1

본 논문은 P2P 네트워크 환경에서 VOD 시스템의 새로운 프록시 캐싱 기법을 제안한다. P2P 환경에서 비디오 스트림을 그룹에 포함된 다수의 클라이언트에 저장하고, 이러한 클라이언트의 그룹을 Proxy로 활용하는 P2Proxy 기법을 제안한다. 우선 P2Proxy의 그룹에 포함된 클라이언트들과 서버간의 스트림이 전송되는 과정을 보였으며, 둘째 각 그룹의 생성과정과 서멸 과정에 대해 설명한다. 또한 클라이언트의 캐싱 정보를 공유하기 위한 디렉토리 구조를 기술하고 각 클라이언트의 참여 과정과 이탈과정을 보였다. 또 디렉토리 정보를 이용해 그룹에 참여한 다른 클라이언트의 정보를 계산하는 과정을 보였으며 이를 활용하여 재생과 전송 중에 메시지의 교환을 최소로 하도록 하였다. 제안된 P2Proxy 기법은 기존의 P2VoD 기법에 비하여 서버에 대한 부하의 요구량이 훨씬 작은 결과를 보였다.

편광산란분광법을 이용한 표면의 입자 크기 측정

조형준,최치규,김두철,유영훈,Cho, Hyoung-Jun,Choi, Chi-Kyu,Kim, Doo-Chol,Yu, Young-Hun 한국광학회 2005 한국광학회지 Vol.16 No.6

편광 광산란 분광법을 이용하여 광 확산물질의 표면 정보만을 선택적으로 얻었으며, Mie 산란 이론으로 표면의 산란체 크기 정보를 얻었다. 그 결과 편광 광산란 분광법이 광 확산 물체의 표면 정보만을 측정하는데 적절한 방법임을 확인하였고, 이 연구 결과는 세포와 같은 광 확산 물체를 측정하는데 이용될 수 있다. We used the polarized light scattering spectroscopy(PLSS) to get selectively the particle size information on a surface in optically diffuse material, and we analyzed the experimental results by Mie scattering theory. We found that the PLSS was the proper method fer getting the surface information in optically diffuse material. This method is able to be used in biotechlology area for diagnostics.

VOD 시스템을 위한 P2P 프록시 기반의 효율적인 패칭 기법1

권춘자 ( Chun-ja Kwon ),최치규 ( Chi-kyu Choi ),최황규 ( Hwang-kyu Choi ) 한국정보처리학회 2004 한국정보처리학회 학술대회논문집 Vol.11 No.2

본 논문은 프록시의 prefix 패칭 기법을 적용하는 서버-프록시-클라이언트로 이루어진 VOD 시스템 상에서 서버에 대한 부하의 집중을 줄이기 위하여 클라이언트 시스템의 버퍼링과 재전송을 이용하는 P2P 프록시 패칭 기법을 제안한다. 제안된 기법은 패칭 윈도우의 크기를 벗어나는 요청에 대하여 VOD 서버가 새로운 정규 채널을 생성하는 대신 이전의 패칭 그룹에 속한 클라이언트로부터 정규 스트림을 전송받음으로써 서버로 집중되는 부하를 줄인다. 또한 프록시 서버를 기반으로 한 LAN 환경내에서 클라이언트들의 상태 정보로 활용하기 위해 패칭 그룹에 대한 인덱스를 구성하였다. 시뮬레이션을 통해 prefix 크기와 비디오의 접근 패턴, 그리고 평균 요청 간격에 따른 서버의 대역폭 요구량을 측정한 결과 제안된 기법이 기존의 패칭 기법보다 서버의 대역폭 요구량이 현저히 감소함을 보인다.

VOD 시스템 상에서 P2P 프록시 기반의 패칭기법

권춘자(Kwon Chun Ja),최치규(Choi Chi Kyu),최황규(Choi Hwang Kyu) 강원대학교 산업기술연구소 2004 産業技術硏究 Vol.24 No.1

The main bottleneck for a VOD system is bandwidth of storage or network I/O due to the high bandwidth requirements and long-lived nature of digital video. Patching is one of the most efficient techniques to overcome the bottleneck of the VOD system through the use of multicast scheme. In this paper, we propose a new patching scheme, P2P proxy patching, for improving the typical patching technique by jointly using the proxy prefix caching scheme and the P2P proxy. In our proposed scheme, each client play a role in a proxy for multicasting a regular stream to other clients that request the same stream. Due the use of the P2P proxy and the prefix caching, the server bandwidth is required significantly less than that of the typical patching technique. In the performance study, we show that our patching scheme can reduce the server bandwidth requirements compared with the existing patching techniques.

SOD 구조 형성에 따른 다이아몬드 박막 형성

고정대,이유성,강민성,이광만,이개명,김덕수,최치규,Ko, Jeong-Dae,Lee, You-Seong,Kang, Min-Sung,Lee, Kwang-Man,Lee, Kae-Myoung,Kim, Duk-Soo,Choi, Chi-Kyu 한국재료학회 1998 한국재료학회지 Vol.8 No.11

High quality diamond films of the silicon on diamond (SOD) structure are deposited using CO and $H_2$ gas mixture in microwave plasma chemical vapor deposition (CVD), a SOD structure is fabricated using low pressure CVD polysilicon on diamond/ Si(100) substrate. The crystalline structure of the diamond films which composed of { 111} and {100} planes. were changed from octahedral one to cubo-octahedron one as the CO/$H_2$ ratios are increased. The high quality diamond films without amorphous carbon and non-diamond elements were deposited at the CO/$H_2$ flow rate of 0.18. and the main phase of the diamond films shows (111) plane. The diamond/Si(lOO) structure shows that the interface is flat without voids. The measured dielectric constant. leakage current and breakdown field were $5.31\times10^{-9}A/cm^2$ and $9\times{10^7}{\Omega}cm$ respectively. CO와 $H_2$의 탄소원을 사용한 마이크로파 플라즈마 화학기상증착 방법으로 SOD 구조에 적용될 양질의 다이아몬드 박막을 형성하였고, SOD 구조를 형성하기 위해 diamond/Si(100) 구조 위에 poly-Si 박막을 저압화학기상 증착법으로 제작하였다. CO/$H_2$탄소원의 유량비 증가에 따라 다이아몬드의 결정은 octahedron 구조에서 cubo-octahedron 구조로 바뀌었으며, 결정면은 {111}과 {100}으로 혼합되어 형성되었다. 비정질 carbon과 non-diamond성분이 없는 양질의 다이아몬드 박막은 CO/$H_2$의 유량비가 0.18일 때 형성되었으며, 주 결정상은 (111) 면이었다. diamond/Si(100) 계면은 void가 없는 평활한 계면을 이루었으며, 다이아몬드 박막의 유전상수, 누설전류와 비저항은 각각 $5.31\times10^{-9}A/cm^2$ 그리고 $9\times{10^7}{\Omega}cm$이었다.

Growth of Ti on Si(111) - 7×7 Surface and the Formation of Epitaxial C54 TiSi₂ on Si(111) Substrate

김건호(Kun Ho Kim),김인호(In Ho Kim),이정주(Jeoung Ju Lee),서동주(Dong Ju Seo),최치규(Chi Kyu Choi),홍성락(Sung Rak Hong),양수정(Soo Jeong Yang),박형호(Hyung Ho Park),이중환(Joong Hwan Lee),백문철(Mun Cheol Paek),권오준(Oh Joon Kwon) 한국진공학회(ASCT) 1992 Applied Science and Convergence Technology Vol.1 No.1

고에너지 반사 전자회절기(RHEED) 및 투과전자현미경(HRTEM)을 이용하여 Si(111)-7×7 면에서의 Ti박막의 성장 mode와 Si(111) 면에서의 C54 TiSi₂의 정합성장을 조사하였다. 초고진공에서 Si(111)-7×7 표면에 상온에서 Ti를 증착하면 Ti/Si 계면에서 비정질의 Ti-Si 중간막이 먼저 형성되고 그 위에 Ti 박막은 다결정으로 성장하였다. 160 ML의 Ti를 증착한 시료를 초고진공 내에서 750℃로 10분 열처리하면 C54 TiSi₂가 정합성장하였으며 이는 HRTEM 격자상 및 TED pattern으로 확인할 수 있었다. TiSi₂/Si(111) 시료를 다시 900℃로 가열하면 TiSi₂ 위에 단결정 Si층이 [111] 방향으로 성장하였다. The growth of Ti on Si(111)-7×7 and the formation of epitaxial C54 TiSi₂ were investigated by using reflection high energy electron diffraction(RHEED) and high resolution transmission electron microscopy(HRTEM). Polycrystalline Ti layer is grown on the amorphous Ti-Si interlayer which is formed at the Ti/Si interface by Ti deposition on Si(111)-7×7 at room temperature (RT). HRTEM lattice image and transmission electron diffraction (TED) showed that epitaxial C54 TiSi₂ grown on Si substrate with 160 ML of Ti on Si(111)-7×7 surface at RT, followed by annealing at 750℃ for 10 min in UHV. Thin single crystal Si overlayer with [111] direction is grown on TiSi₂ surface when TiSi₂/Si(111) is annealed at ~900℃ in UHV, which was confirmed by Si(111)-7×7 superstructure.