한용운의 정교분리론에 대하여

서경수(Kyung Soo Suh) 동국대학교 불교문화연구원 1985 佛敎學報 Vol.- No.22

MeV Si 자기 이온주입된 단결정 Silicon내의 결함 거동

조남훈,장기완,서경수,이정용,노재상,Cho, Nam-Hoon,Jang, Ki-Wan,Suh, Kyung-Soo,Lee, Jeoung-Yong,Ro, Jae-Sang 한국재료학회 1996 한국재료학회지 Vol.6 No.7

본 연구에서는 MeV Si 자기 이온주업을 실시하여 주업원자와 모재 원자와의 화학적 영향이 배제된 결함 형성 거동을 관찰하였다. 자기 이온주업을 위하여 Tandem Accelerator가 사용되었고 1~3 MeV의 에너지 범위의 이온주입이 실시되었다. MeV 이온주입된 시편의 격자결함은 표면으로부터 고립된 $R_p$ 근처에 집중된 것이 관찰되었다. 주입에너지 변화에 따른 격자결함 생성 거동을 관찰하기 위하여 조사량을 $1{\times}10^{15}/cm^2$으로 고정하고 주입에너지를 1~3 MeV로 증가하였다. RBS 분석 결과 격자결함의 형성층 깊이는 에너지 증가에 따라 증가하였고 표면층에는 에너지 증가시 더욱 좋은 결정성을 유지하였다. 또한 주입에너지가 일정한 경우 조사량 증가시 $R_p$ 부근에 집중된 결함층의 농도는 증가하였으나 표면부근의 결함농도는 임계조사량 이상에서 포화되는 것이 관찰되었다. XTEM 분석 결과는 RBS의 결과와 잘 일치하였다. XTEM 관찰 결과 이온주업 상태의 결함층은 dark band의 형태로 관찰되었고 열처리시 이차결함은 이곳으로부터 생성되었다. 2MeV $Si^+$ 자기 이온주입시 이차결함이 형성되는 임계조사량은 $3{\times}10^{14}{\sim}5{\times}10^{14}/cm^2$ 사이로 관찰되었다. 열처리시 dark band의 하단부의 위치는 변화하지 않고 상단부만이 제거되었다. 실험을 통하여 얻은 결과들은 Monte-Carlo technique을 이용한 TRIM-code를 사용하여 해석하였다. SIMS 분석을 통하여 이차결함은 모재내에 존재하는 oxygen 불순물을 gettering함을 관찰하였다. In this study MeV Si self ion implantations were done to reveal the intrinsic behavior of defect formation by excluding the possibility of chemical interactions between substrate atoms and dopant ones. Self implantations were conducted using Tandem Accelerator with energy ranges from 1 to 3 MeV. Defect formation by high energy ion implantation has a significant characteristics in that the lattice damage is concentrated near Rp and isolated from the surface. In order to investigate the energy dependence on defect formation, implantation energies were varied from 1 to 3 MeV under a constant dose of $1{\times}10^{15}/cm^2$. RBS channe!ed spectra showed that the depth at which as-implanted damaged layer formed increases as energy increases and that near surface region maintains better crystallinity as energy increases. Cross sectional TEM results agree well with RBS ones. In a TEM image as-implanted damaged layer appears as a dark band, where secondary defects are formed upon annealing. In the case of 2 MeV $Si^+$ self implantation a critical dose for the secondary defect formation was found to be between $3{\times}10^{14}/cm^24$ and $5{\times}10^{14}/cm^2$. Upon annealing the upper layer of the dark band was removed while the bottom part of the dark band did not move. The observed defect behavior by TEM was interpreted by Monte Carlo computer simulations using TRIM-code. SIMS analyses indicated that the secondary defect formed after annealing gettered oxygen impurities existed in silicon.

SrTiO$_3$:Pr$^{3+}$,Ga$^{3+}$ Phosphor의 발광특성에 관한 연구

이미애,남산,김명호,서경수,변재동,Lee, Mi-Ae,Nahm, Sahn,Kim, Myong-Ho,Suh, Kyung-Soo,Byun, Jae-Dong 한국세라믹학회 1998 한국세라믹학회지 Vol.35 No.7

The effect of {{{{ {Ga }^{3+ } }} addition on the photoluminescence and cathodoluminescence of {{{{ {SrTiO}_{3 } }}:{{{{ { Pr}^{3+ } }} was stu-died by performing the excitation emission and decay time measurements. Addition of {{{{ {Ga }^{3+ } }} in {{{{ {SrTiO}_{3 } }}:{{{{ { Pr}^{3+ } }} resulted in a considerable enhancement of {{{{ { Pr}^{3+ } }} emission intensity. From the analysis of the experimental results the following mechanism is proposed. Excitation in the {{{{ {SrTiO}_{3 } }} host lattice leads to the formation of electrons in the conduction band and holes in the valence band. The electrons in the conduction band re-combine radiatively with the holes trapped at {{{{ { Ga}^{3+ } }} and the energy is transferred to {{{{ { Pr}^{3+ } }} ion which give its own characteristic red emission.

적색안료인 α-Fe₂O₃와 투명 유전체의 반응

김봉철,한용수,송윤호,서경수,이진호,이남양,박이순,이병교,Kim, Bong-Chul,Han, Yong-Soo,Song, Yoon-Ho,Suh, Kyung-Soo,Lee, Jin-Ho,Lee, Nam-Yang,Park, Lee-Soon,Lee, Byung-Kyo 한국세라믹학회 2002 한국세라믹학회지 Vol.39 No.3

적색 칼라 필터 재료인 ${\alpha}-Fe_2O_3$가 고온 제조 공정을 거치는 동안 화학적인 안정성에 관해서 연구한 것이다. PDP(Plasma Display Panel)에 있어서 통상적으로 칼라 필터 층의 위에 사용되고 있는 투명 유전체의 경우는 광의 투과도를 높이기 위하여 ZnO를 첨가한다. ZnO가 포함되어 있는 유전체의 경우는 500$^{\circ}$C 이상에서 ${\alpha}-Fe_2O_3$의 열적 안정성을 감소시켜 칼라 필터로서의 기능을 완전히 상실하게 되어 투명하게 된다. 반면에 ZnO가 포함되지 않는 투명 유전체의 경우는 ${\alpha}-Fe_2O_3$가 적색의 색상을 유지하면서 칼라필터로서의 기능을 유지하고 있었다. ${\alpha}-Fe_2O_3$가 칼라 필터로 기능을 유지하기 위해서는 ${\alpha}-Fe_2O_3$와 접촉하는 투명 유전체는 ZnO가 포함되지 않는 투명 유전체를 사용하여 1차 보호막을 형성한 후 그 위에 ZnO가 포함된 투명 유전체층을 형성하면 적색 칼라 필터가 색상을 유지하게 된다. We searched thermal stability of ${\alpha}-Fe_2O_3$ using red color filter for display. In the PDP(Plasma Display Panel), the color filter layer is lied normally between front glass and transparent dielectric materials, so it might be needed to study the reaction of ${\alpha}-Fe_2O_3$ and transparent dielectric materials. The transparent dielectric materials containing ZnO has good transparency. Red colorlayer of ${\alpha}-Fe_2O_3$ contacted with dielectric material layer containing ZnO is changed to colorlessness over 500$^{\circ}$C because ZnO defuse ${\alpha}-Fe_2O_3$, the dielectric materials without ZnO, however, maintain red color at the same condition. We suggest that a layer contacting with ${\alpha}-Fe_2O_3$ red color layer has to lie with transparent dielectric materials without ZnO, then the materials containing ZnO is coated over to get color of ${\alpha}-Fe_2O_3$ for red color filter

핵연료 가공에 있어서 비파괴 검사기술의 응용

양명승(Myung Seung Yang),서경수(Kyung Soo Suh) 한국비파괴검사학회 1985 한국비파괴검사학회지 Vol.4 No.2

고상 에피택셜 성장에 의한 PtSi 박막의 형성

최치규(Chi Kyu Choi),강민성(Min Seoung Kang),이개명(Kae Myoung Lee),김상기(Sang Gi Kim),서경수(Kyung Soo Suh),이정용(Jeong Yong Lee),김건호(Kun Ho Kim) 한국진공학회(ASCT) 1995 Applied Science and Convergence Technology Vol.4 No.3

초고진공에서 Si(100)-2×1 기판 위에 Rt를 약 100Å의 두께로 증착한 후 in-situ로 열처리하는 고상에피택셜 성장법으로 PtSi 박막을 형성시켰다. XRD와 XPS 분석 결과 200℃로 열처리한 시료에서는 Pt₃Si, Pt₂Si와 PtSi의 상이 섞여 있었으나 500℃로 열처리한 시료에서는 PtSi의 단일상만 확인되었으며, 형성된 PtSi박막은 주상구조와 판상구조의 이중구조를 나타내었다. 기판 온도를 500℃로 유지하면서 Rt를 증착한 후 750℃에서 열처리한 경우에는 판상구조를 갖는 양질의 PtSi 박막이 에피택셜 성장되었다. HRTEM 분석 결과 에피택셜 성장된 PtSi와 기판 Si(100)의 계면은 RSi[110]//Si[110], RtSi(110)//Si(100)의 정합성을 가졌다. 판상구조를 갖는 PtSi 상의 에피택셜 방향은 기판과 열처리 온도에는 의존하나 열처리 시간에는 무관한 것으로 나타냈다. Solid-phase epitaxial growth of the thin PtSi films were obtained by deposition of a thin Pt(100Å) film on a Si(100)-2×1 substrate in ultra-high vacuum followed by in-situ annealing. X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy showed that Pt₃Si, Pt₂Si and PtSi phases coexisted in the samples annealed at 200℃. However, at 500℃, only the PtSi phase was formed as a bilayered film with a columnar and planar structure. For the Pt(100Å)/Si(100)-2×1 sample which was prepared by deposition of Pt at 500℃ followed by in situ annealing at 750℃ for 10 min, on the other hand, high-quality epitxial PtSi with planar structure was gown. The orientation relationship between the epitaxail PtSi film and the Si(100) substrate from thee HRTEM lattice image is PtSi[110]//Si[110], PtSi(110)//Si(100) without a misorientation angle. It was found out that the epitaxial orientation of the PtSi phase with a planar stucture were mainly depending on the substrate and annealing temperature, not on me annealing time.

PVD 방법에 의한 TiN barrier metal 형성과 공정개발

최치규(Chi-Kyu Choi),강민성(Min-Seoung Kang),박형호(Hyung-Ho Park),염병렬(Byung-Ryul Ryum),서경수(Kyung-Soo Suh),이종덕(Jong Duk Lee),김건호(Kun-Ho Kim),이정용(Jeong-Yong Lee) 한국진공학회(ASCT) 1997 Applied Science and Convergence Technology Vol.6 No.3

Ar과 N₂-가스가 혼합된 분위기에서 반응성 스퍼터링 방법에 의하여 TiN 박막을 증착하였다. N₂ 가스의 농도는 화학양론적으로 TiN이 형성되는 조건에 맞도록 조절하였으며, 기판의 온도는 실온에서 부터 700℃의 범위내로 유지하였다. (111) texture 구조를 가지면서 화학양론적으로 Ti_(0.5)N_(0.5)인 박막은 기판의 온도가 600℃ 이상에서 형성되었고, 기판의 온도가 600℃ 이하에서는 형성된 박막은 N-과다형이었다. XRD, XPS 및 RBS 분석 결과 TiN 박막의 조성비는 기판의 온도에 다소 의존하였으나 약 5% 이내에 불과하였다. TiN 박막의 면저항은 기판온도의 증가에 따라 감소하였고, 기판온도가 600℃에서 증착된 TiN 박막의 면저항은 14.5Ω/□ 였고, Ar-가스 분위기에서 700℃로 30초간 열처리한 후는 8.9Ω/□이었다. 따라서 반응성 스퍼터링방법에 의하여 형성되는 양질의 TiN 박막은 기판온도가 600℃이상이 최적조건임을 알았다. Titanium nitride (TiN) films were prepared by reactive sputter deposition in mixed gas of Ar +N₂. The volume percentage of N₂ in the working gas was chosen so as to grow stoichiometric TiN films and the substrate temperature during film growth was set from room temperature to 700℃. Stoichiometric Ti_(0.5)N_(0.5) films with (111) texture were grown at temperatures over 600℃, while films prepared at temperatures below 600℃ showed N-rich TiN. The composition x and y in the Ti_xN_y films determined by XPS and RBS varied within 5% with the substrate temperature. The sheet resistance of the TiN films decreases as the substrate temperature increased. TiN film prepared at 600℃ showed 14.5 Ω/□, and it decreased to 8.9 Ω/□ after the sample was annealed at 700℃, 30 sec in Ar-gas ambient by RTA. By far, high quality stoichiometric TiN films by reactive sputtering in the mixed gas ambient could be prepared at substrate temperature over 600℃.

TiN/TiSi₂-bilayer 형성과 전기적 특성

서경수,황찬용,이광만,최치규,강민성 濟州大學校 基礎科學硏究所 1997 基礎科學硏究 Vol.10 No.2

TiN/TiSi₂-bilayers were formed by reactive sputter deposition in mixed gas of Ar+N₂ on the TiSi₂/Si(100) substrate, which TiSi₂ film was grown by means of the Ti sputtering, and the coevaporation of Ti and Si(Ti : Si = 1 : 2) on the Si(100)-2 ×1 substrate followed by in-situ annealing in ultrahigh vacuum. Stoichiometric Ti??N?? films with (111) texture determined XRD, RBS and XPS were grown at substrate temperature over 600℃, while films prepared at substrate temperature below 600℃ showed N-rich TiN, and the high quality TiSi₂ film was obtaind from the Ti/Si(100) and (Ti+2Si)/Si(100) samples annealed at 700℃. It is capping effect that the TiSi₂ film in the TiN/TiSi₂/Si(100) structure does not occure the agglomeration phenomena. The sheet resistance of the TiN/TiSi₂-bilayer prepared at 700℃ showed 0.39Ω/㎝².

SrTiO3:Pr3+ , Ga3+ Phosphor 의 발광특성에 관한 연구

서경수,김명호,변재동,이미애,남산 고려대학교 공학기술연구소 1999 공학논문집 Vol.37 No.1

The effect of Ga^(3+) addition on the photoluminescence and cathodoluminescence of SrTiO₃:Pr^(3+) was studied by performing the excitation, emission and decay time measurements. Addition of Ga^(3+) in SrTiO₃:Pr^(3+) resulted in a considerable enhancement of Pr^(3+) emission intensity. From the analysis of the experimental results, the following mechanism is proposed. Excitation into the SrTiO₃ host lattice leads to the formation of electrons in the conduction band and holes in the valence band. The electrons in the conduction band recombine radiatively with the holes trapped at Ga^(3+) and the energy is transferred to Pr^(3+) ion which give its own characteristic red emission.

U3 O8 를 첨가한 UO2 의 산화소결에 관한 연구

서경수,조성석,이규암 대한금속재료학회(대한금속학회) 1987 대한금속·재료학회지 Vol.25 No.9

A low temperature sintering at 1000-1300℃ in CO₂atmosphere was adopted to control the density and microstructures of UO₂pellets for nuclear power plant applications. Effects of 4% to 12% U₃O_8 pellets, obtained by oxidation treatment of UO₂, sintering time and sintering temperature were investigated. As the amount of U₃O_8 increased, the sintered density and the number of large grains decreased, while quantity of pores increased. Increase either of sintering temperature above 1100℃ or of sintering time resulted in lower sintered density and reduction of the number of large pores.