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Hydride Vapor Phase Epitaxy 법으로 성장된 Free-Standing GaN 기판의 특성에 관한 연구
김화목,최준성,오재응,유태경,Kim, Hwa-Mok,Choe, Jun-Seong,O, Jae-Eung,Yu, Tae-Gyeong 대한전자공학회 2000 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.37 No.3
Seed crystal 로 bare (0001) 사파이어 기판을 사용하여 hydride vapor Phase epitaxy (HVPE)법을 이용하여 free-standing GaN 단결정기판을 성장시켰다. 일정한 두께의 GaN막을 성장한 후 사파이어 기판을 mechanical polishing 작업으로 제거하여 두께 200 ㎛, 10×10 ㎛ 크기의 free-standing GaN 기판을 얻을 수 있었으며, 성장 전 GaCl 전처리를 수행함으로써 crack이 없는 기판을 제작할 수 있었다. 이렇게 제작된 free-standing GaN 기판의 특성을 SiO/sub 2/ patterned sapphire위에 LEO (Lateral Epitaxial Overgrowth) 방법으로 성장된GaN박막과 double crystal x-ray diffraction (DC-XRD), cathode-luminescence (CL) 및 photoluminescence (PL) 방법으로 특성을 비교하였다. Free-standing GaN single crystal substrates have been obtained by growing thick GaN epitaxial layers on (0001) sapphire substrates using hydride vapor phase epitaxy (HVPE) method. After growing the GaN thick film of 200 ${\mu}{\textrm}{m}$, a free-standing GaN with a size of 10 mm $\times$10 mm were obtained by mechanical polishing process to remove sapphire substrate. Crack-free GaN substrates have been obtained by GaCl pre-treatment prior to the growth of GaN epitaxial layers. Properties of free-standing GaN substrates have been compared with those of lateral epitaxial overgrowth (LEO) GaN films by double-crystal x-ray diffraction (DC-XRD), cathodoluminescence (CL) and photoluminescence (PL) measurements.
승화법에 의한 6H-SiC 단결정 성장 : (I) 성장결함생성기구
김화목,강승민,주경,심광보,오근호,Kim, Hwa-Mok,Kang, Seung-Min,Joo, Kyoung,Shim, Kwang-Bo,Auh, Keun-Ho 한국결정성장학회 1997 한국결정성장학회지 Vol.7 No.2
승화법에 의한 단결정 성장장치를 자체 제작하여 직경 약 30 mm, 길이 약 10 mm의 6H-Sic 단결정을 성장하였다. 최적의 성장조건은 원료온도 $2150~2250^{\circ}C$, 기판온도 $1950~2050^{\circ}C$, 원료부와 기판과의 온도차 약 $200^{\circ}C$, 성장압력 50~200 torr이었고, 성장속도는 300~700 $\mu\textrm{m}$/hr이었다. 성장된 결정의 표면을 광학현미경으로 관찰하여 성장결함 생성기구를 현상학적으로 고찰하였고, 특히 표면에서 관찰되는 micropipes의 생성원인을 규명하였다. The 6H-SiC single crystals were grown using a self-designed crystal grower by the sublimation method. The grown crystals were typically 30 mm in diameter and 10 mm in length. Optimum growth conditions were established as follows : the temperature of the raw material was $2150~2250^{\circ}C$, the temperature of the substrate was $1950~2050^{\circ}C$, the temperature difference between the raw material and substrate was about $200^{\circ}C$, growth pressure was 50~200 torr and growth rate was 300~700 $\mu\textrm{m}$/hr. Optical microscopy was used for observing the surface of the 6H-SiC single crystal grown and the phenomenological approach was performed on the formation mechanism of the defects in the 6H-SiC crystal. Especially, the micropipes in the as-grown surface were examined to determine the formation mechanisms of the micropipes.
증례 : 소화기 ; 바터 팽대부에 동시에 병발한 선암과 신경내분비형 소세포암 1예
김현석 ( Hyun Sock Kim ),김홍주 ( Hong Joo Kim ),김화목 ( Hwa Mok Kim ),김창준 ( Chang Joon Kim ),손진희 ( Jin Hee Sohn ),채승완 ( Seoung Wan Chae ) 대한내과학회 2009 대한내과학회지 Vol.76 No.1
바터팽대부암 중 가장 흔한 것은 선암이다. 하지만 이외에도 선종, 낭선종, 신경내분비종양 등이 발생할 수 있으며, 이에 대한 보고는 국내외를 통해서 매우 드문 것으로 알려져 있다. 본 사례는 선암과 소세포암이 같이 발병한 드문 경우로서, 치료와 예후에 있어서 소세포암이 불량한 예후를 보여 수술 후 적극적인 항암화학치료가 권장되었다. Small cell carcinoma in the ampulla of Vater is rare, and the concurrent occurrence of adenocarcinoma and small cell carcinoma is extremely rare. We report the case of a double primary tumor, adenocarcinoma and small cell carcinoma, in the ampulla of Vater. (Korean J Med 76:70-73, 2009)