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VoSN 기반의 관광가이드 및공연안내 시스템 구축 기술
이재형,조성호 한양대학교 우리춤연구소 2013 우리춤과 과학기술 Vol.9 No.3
관광 및 공연 등의 문화 사업은 서로 연계되어 발전해 왔고 최근 들어서 국내 K-POP등의 전 세계적인 인기로 인하여 수많은 외국인들의 국내 유입이 증가하고 있다. 그러나 이러한 관광객 수요의 증가를 지속적으로 유지하기 위해서는 기존의 각종 센서, RFID, 블루투스, 무선랜 및 네트워크 기술을 융합한 유비쿼터스 기술만으로는 다양한 언어, 빈번히 변화하는 공연 및 전시내용을 관광객들에게 인터렉티브하게 전달하기는 어려운 문제가 있다. 따라서 이러한 문제를 해결하기 위해 단말기 하나만으로 전국을 어디를 가든 실시간으로 관광지의 정보를 전달하고, 도우미에게 질의하며 개인 보안등의 서비스를 실시간으로 제공하는 단말기를 제공함으로써 관광가이드 없이도 여행을 할 수 있는 대규모센서 네트워크 기반기술이 필요한 실정이다. 따라서 본 논문에는 이러한 기능을 제공하기 위해 센서네트워크에서 음성 및 데이터를 동시에 지원하는 TDMA MAC, 센서네트워크와 VoIP기술을 연동하는 프로토콜 변환기술, 호처리를 위한 호처리 기술을 이용한 Voice over Sensor Network(VoSN) 기술을 개발하고 이를 이용한 VoSN기반의 관광가이드 및 공연안내 시스템 구축 기술을 제안하였다. Cultural Industries of tourism and performances etc have been developed in conjunction with each other. In recent years, millions foreigners visit Korea due to worldwide K-POP popular every year. But in order to keep the increment of tourists in future, not is able to only using existing sensors, RFID, Bluetooth, WLAN and convergence ubiquitous network technologies because those technologies not are suitable to interactive information transfer for tourists. So It is required that Large-scale sensor networks based technologies supporting various language and interactive information transfer. These technologies will offer tourists to realtime information like frequently changed performance and exhibition with only one terminal device that has various function for multi language, interactive query and personal security. Tourists are able to travel without tourist guides by using this technologies. In this paper, we propose the VoSN technology based on voice and data protocol conversion between sensor network, the message structure and VoIP, TDMA/TDD based on IEEE802.15.4 PHY and call handling procedure design technology.
CdZnS/CdTe 이종접합의 커패시턴스-전압 특성에 관한 연구
이재형,Lee, Jae-Hyeong 한국정보통신학회 2011 한국정보통신학회논문지 Vol.15 No.6
본 연구에서는 CdZnS와 CdTe로 구성되는 이종접합 소자를 제작하고 커패시턴스-전압 특성을 조사하였다. CdS/CdTe 접합의 경우, 역방향 바이어스가 증가함에 따라 공핍층의 폭이 커져 커패시턴스 값이 약간 감소하였으나 CdZnS/CdTe 접합에서는 CdTe 박막 내에서의 공핍층 폭이 바이어스에 크게 영향을 받지 않아 커패시턴스 값이 역방향 바이어스에 따라 거의 변화가 없었다. 바이어스 전압을 인가하지 않은 상태에서의 공핍층 폭은 높은 CdZnS 박막의 비저항 및 낮은 캐리어 농도로 인해 CdS/CdTe 접합보다 CdZnS/CdTe 접합에서 보다 큰 값을 나타내었다. CdZnS/CdTe 태양전지의 개방전압은 Zn의 비율이 커짐에 따라 CdZnS 박막과 CdTe 박막의 전자 친화력 차이의 감소로 인하여 크게 증가하였으나, Zn 비율이 0.35 이상인 경우 오히려 감소함을 알 수 있었다. 또한 CdZnS 박막의 높은 비저항이 태양전지의 직렬저항을 상승시켜 전지의 변환 효율은 오히려 감소함을 알 수 있었다. In this work, we fabricated the CdZnS/CdTe heterojunction and investigated the C-V characteristics to determine the depletion width and the charge density distribution. A parallel experiment on CdS/CdTe heterojunction was also carried out for comparison. The depletion region width, for CdZnS/CdTe heterojunction, was nearly constant, regardless of bias voltage. However, the depletion region was wider than that of CdS/CdTe heterojunction due to high resistivity of CdZnS film. The interface charge density of CdZnS/CdTe heterojunction was increased linearly with the bias voltage and showed lower values than those for CdS/CdTe junction. The open circuit voltage of CdZnS/CdTe heterojunction solar cells increased with zinc mole ratio due to reducing of the electron affinity difference between CdZnS and CdTe films. However, the increase of series resistance due to the high resistivity of Cd1-xZnxS films results in reducing conversion efficiency.