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공간 데이터 웨어하우스 구축기에서 사실테이블 사전 계산 기법
최유신 ( Yu-shin Choi ),유병섭 ( Byeong-seob You ),박순영 ( Soon-young Park ),배해영 ( Hae-young Bae ) 한국정보처리학회 2004 한국정보처리학회 학술대회논문집 Vol.11 No.2
공간 데이터 웨어하우스에서 구축기는 의사결정을 위한 기반 데이터의 구축을 담당한다. 일반적으로 공간 데이터 웨어하우스의 데이터 적재는 잦은 갱신으로 인한 서버의 부하를 줄이기 위하여 구축기에 적재할 데이터를 임시 저장하고 일정주기마다 적재하는 방법을 이용한다. 이때 구축기의 정보는 차원 테이블에 대한 갱신정보와 사실 테이블의 일부 갱신정보만을 유지하므로 여러 차원 테이블로 구성된 사실 테이블의 갱신은 공간 데이터 웨어하우스 서버에서 수행해야 한다. 사실 테이블의 갱신연산은 연관된 차원 테이블들에 의해 처리되므로 높은 처리 비용이 필요하다. 따라서 사실테이블의 처리로 인해 적재시간이 증가하며, 이는 사용자의 의사결정 응답시간을 증가시킨다. 본 논문에서는 공간 데이터 웨어하우스의 구축기에서 사실테이블의 사전 계산 기법을 제안한다. 이기법은 차원 테이블 및 사실 테이블에 대한 메타정보와 추가적으로 기록되어야할 데이터 정보를 구축기에 유지한다. 구축기는 이 정보를 이용하여 삽입 연산시 사실 테이블에 적재할 갱신 정보를 사전에 계산하고, 이를 적재주기에 함께 적재한다. 따라서 사실 테이블의 갱신을 데이터 적재 이전에 구축기에서 계산하므로 공간 데이터 웨어하우스 서버에서 발생하는 높은 처리 비용을 감소시킬 수 있다. 공간 데이터 웨어하우스 사용자의 의사결정 응답시간을 감소시킨다.
수소화된 비정질 규소와 다결정 규소 박막의 반송자 이동도
최유신,정세민,안두수,이준신 成均館大學校 科學技術硏究所 1997 論文集 Vol.48 No.1
열처리는 규소 박막의 구조적, 광학적 성질뿐만 아니라 반송자 이동도 특성을 변화시킨다. 반송자 이동도는 주파수 응답 또는 시간 응답을 통해 소자의 동작에 영향을 끼친다. 본 논문은 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H)의 이동도 변화를 열처리 온도의 함수로써 살펴보았다. 이동도 측정에서 사용된 방법들에 대한 장단점들에 대해 검토하였다. 홀 효과와 Haynes-Shockley 방법은 a-Si:H 박막의 이동도 결정에 대한 오류를 나타내었다. TOF법은 a-Si:H에는 적용 가능하지만 높은 암전류때문에 다결정 실리콘(poly -Si)에는 적용할 수가 없다. 전도를 제한하는 공간전하, 박막 트랜지스터, 과도 전류 관찰방법등은 a-Si:H와 poly-Si의 이동도를 결정할 수 있었다. 규소 박막의 전계효과 이동도는 700℃이상의 고온처리와 RF 플라즈마 재수소화후에 20∼67㎠로 상승된 값을 얻었다. 우리는 박막 트랜지스터(TFT)와 과도 전류 관찰방법은 박막 실리콘 분석에 적당하다는 결론을 얻었다. The carrier mobility influences the device behavior through its frequency response or time response. This paper summarizes the mobility changes of the a-Si:H as a function of anneal temperature. The anneal treatment changes the carrier mobilities of thin film Si as well as optical and structural properties. The advantages and disadvantages were discussed for the employed methods in mobility measurement. Hall effect and Haynes-Shockley (HS) method exhibited some errors for a-Si:H mobility determination. A time of flight (TOF) method was attractive for the a-Si:H but not applicable for the poly-Si films because of high dark current. Space charge limited conduction (SCLC), thin film transistor (TFT), and transient current observation methods were able to determine the mobilities of a-Si:H and poly-Si films. A very high field effect mobility of 20-67㎠/V.s was observed after the high temperature anneal above 700℃, and grain boundary passivation using a RF plasma rehydrogenation. We learned that thin film transistor and transient current observation methods are suitable for the analysis of thin film Si.
최유신,박재승 대한건축학회 1999 대한건축학회논문집 Vol.15 No.5
This study addresses social space in the health care facilities for the elderly with dementia It is difficult to find consistent rule of fixing layout patterns of social space, through only a plan analysis of existing facilities. Thus, the purpose of thus study is to get consistent rule to fix layout patterns of social space in the wards and to get evaluation index of forecasting spatial behavior of movable patient with dementia in the new planning, by clearing mutual relationship between physical environment of social space and spatial behavior of movable patient with dementia
치매병원 병동부 공용생활공간의 유형 및 특성분석에 관한 연구
최유신,박재승 대한건축학회 1999 대한건축학회논문집 Vol.15 No.8
The purpose of this study is to provide data and suitable guidelines for the planning of the social space in the domestic facilities. For this purpose, the type of layout patterns of social space which are constructed in domestic and foreign and the architectural characteristics of each type have been studied, architectural characteristics include location, scale and form of the social space and distance from each ward to social space
A-Si:H/Cd 계면층을 이용한 a-Si:H의 결정화 연구
김도영,최유신,임동건,이준신,김홍우,이수홍 성균관대학교 1997 학술회의지원논문목록집 Vol.1997 No.-
We studied the crystallization of a-SiH thin film. Multi crystallized Si fillms are preferred in many applications such as FPD, solar cells, RAM, and integrated circuits. Because most of these applications require a low temperature process, we investigated a crystallization of a-SiH using a Cd layer. A metal Cd shows an eutectic point at a temperature of 321°C. THis paper present Cd layer assisted crystallization of a-SiH film for the various grain growth parameters such as anneal temperature. Cd layer thickness and anneal time.