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초등학교 과학 관련 교재에 나타난 성역할 고정관념 분석
최용남,노태희 한국초등과학교육학회 1997 초등과학교육 Vol.16 No.1
The illustrations in elementary science-related textbooks developed under the 5th- and 6th-versions of science curriculum were analyzed for gender-role stereotyping. The frequencies of men and women who appeared on text illustrations were counted, and the types of roles assigned to males and females were investigated. The results were as follows. i. The relative frequencies of boys and girls were reasonably balanced on the illustrations of learning-related activities, but boys were more frequently represented than girls on the illustrations of other activities. 2. Male adults were more frequently represented than female adults. 3. Both boys and girls were generally depicted in the processes of activities on the illustrations. In some occasions that one was active and another was passive, however there were more illustrations that depicted boys active and girls passive. 4. Male adults were rarely represented in doing houseworks, but 21.5% female adults were illustrated in doing houseworks. Science-related roles were also assigned to males more often than females.
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중학교 과학수업에서 입자수준의애니메이션을 이용한 컴퓨터 보조수업의효과
최용남,김창민,노태희,차정호 한국과학교육학회 1998 한국과학교육학회지 Vol.18 No.2
본 연구에서는 입자수준의 애니메이션을 이용한 컴퓨터 보조수업 프로그램을 개발 · 적용하여 학습자의 개념 이해도, 과학 수업에 대한 태도, 학습동기에 미치는 효과를 분석하였다. 본 연구는 서울 시내 여자 중학교 2학년 2개 학급을 대상으로 '분자와 운동' 단원에 대하여 5차시 동안 실시되었다. 수업 처치 전에 GALT와 사전 학습동기 검사를 실시하고, 중간고사 과학 과목 성적을 조사하였다. GALT 점수는 구획변인으로 사용하였으며, 사전 학습동기 검사와 중간고사 과학 과목 성적을 공변인으로 사용하였다. 수업 처치 후, 개념 검사, 과학 수업에 대한 태도 검사, 사후 학습동기 검사를 실시하였고, 처치 집단에 대하여 컴퓨터 보조수업에 대한 인식을 조사하였다. 연구 결과, 컴퓨터 보조수업 집단 학생들이 전통적 학습 집단에 비하여 분자의 운동성에 대한 오개념이 적었으나, 개념 이해도 측면에서 두 집단간에 유의미한 차이는 없었다. 그러나, 컴퓨터 보조수업이 과학 수업에 대한 태도와 학습동기에는 효과적이었다(p< .01). 학생들은 컴퓨터 보조수업에 대하여 전반적으로 긍정적으로 인식하였으나, 몇몇 학생들은 어수선한 수업 분위기를 지적하였으며, 화면에 제시된 일부 내용은 어려웠다고 답하였다.
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비유물의 체계성과 표현 방식이 개념 회상 및 응용에 미치는 효과
최용남,노태희,권혁순 한국과학교육학회 1998 한국과학교육학회지 Vol.18 No.1
본 연구에서는 제한물질을 포함하고 있는 화학양론에 관한 개념 회상 및 응용에 미치는 비유물의 체계성과 표현 방식의 효과를 조사하였다. 체계성은 인과 구조를 어느 정도 명확하게 포함하느냐에 따라 구분하였고 표현 방식은 언어 형태와 언어와 그림 양 형태로 구성하였다. 137명의 중학생들에게 네 가지 유형의 비유물을 무선 배치하고 이를 학습하도록 하였다. 처치 이전에 Group Assessment of Logical Thinking 검사를 실시하고 그 점수를 공변인으로 사용하였다. 처치 이후에 연구자가 제작한 개념 검사를 바로 실시하고 4주 후에 파지 검사를 실시하였다. ANCOVA분석 결과 체계성은 표현 방식에 관계없이 학습 직후 개념 응용에 긍정적인 영향을 미쳤다. 그러나 파지 검사의 개념 응용 문제에서는 체계성에 따른 주효과는 없고 표현 방식과의 상호작용 효과가 있었다. 이러한 결과는 언어와 그림 양 형태로 제작한 체계적인 비유물이 개념 응용에 가장 효과적임을 나타낸다. 이에 대한교육학적 함의를 논의하였다. This study investigated the effect of systematicity and presentation type of an analog upon students' concept recall and application regarding stoichiometry that included limiting reagent. Systematicity was manipulated by varing the degree of explicit causal structure, and presentation type was in either verbal format or verbal /figurative format. The four types of the analog developed were studied by randomly assigned junior high school students (N=137). Prior to the treatment, the Group Assessment of Logical Thinking was administered and its score was used as a covariate. After the treatment, a research-made conception test was administered immediately and four weeks later. The ANCOVA results indicated that systematicity had a positive effect on immediate application regardless of presentation type. In the application problem of retention test, however, systematicity had no main effect but interaction with presentation type. These suggested that the systematic analog in verbal /figurative format most positively influence concept application. Educational implications are discussed.
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파워 클램프용 래치-업 면역 특성을 갖는 SCR 기반 ESD 보호회로
최용남,한정우,남종호,곽재창,구용서,Choi, Yong-Nam,Han, Jung-Woo,Nam, Jong-Ho,Kwak, Jae-Chang,Koo, Yong-Seo 한국전기전자학회 2014 전기전자학회논문지 Vol.18 No.1
In this paper, SCR(Silicon Controlled Rectifier)-based ESD(Electrostatic Discharge) protection circuit for power clamp is proposed. In order to improve latch-up immunity caused by low holding voltage of the conventional SCR, it is modified by inserting n+ floating region and n-well, and extending p+ cathode region in the p-well. The resulting ESD capability of our proposed ESD protection circuit reveals a high latch-up immunity due to the high holding voltage. It is verified that electrical characteristics of proposed ESD protection circuit by Synopsys TCAD simulation tool. According to the simulation results, the holding voltage is increased from 4.61 V to 8.75 V while trigger voltage is increased form 27.3 V to 32.71 V, respectively. Compared with the conventional SCR, the proposed ESD protection circuit has the high holding voltage with the same triggering voltage characteristic. 본 논문에서는 파워 클램프에 적용하기 위한 SCR 기반의 ESD 보호회로를 제안하였다. 기존 SCR 구조의 낮은 홀딩 전압에 의한 래치-업 문제를 개선하기 위해 n+ 플로팅 영역을 삽입하고 추가적인 n-웰과 p-웰까지 확장된 p+ 캐소드 영역을 통해 높은 홀딩 전압을 가질 수 있도록 고안되었다. 제안된 ESD 보호회로는 높은 홀딩 전압을 통해 정상 동작 상태에서의 래치-업 면역 특성을 확보하였으며, 우수한 ESD 보호 능력을 가진다. 제안된 ESD 보호회로는 Synopsys사의 TCAD 시뮬레이션을 통해 전기적 특성을 검증하였다. 시뮬레이션 결과, 트리거 전압은 약 27.3 V에서 최대 32.71 V 사이에서 변화하는 반면, 홀딩 전압은 4.61 V에서 최대 8.75 V까지 상승하는 것을 확인하였다. 따라서 제안된 ESD 보호회로는 트리거 전압은 기존 SCR과 비슷한 수준을 유지하면서 높은 홀딩 전압을 갖는다.
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최용남,최복길,이규대 공주대학교 생산기술연구소 2001 論文集 Vol.9 No.-
Thin films of vanadium oxide(VO_(x)) have been deposited by r.f. magnetron sputtering from V_(2)O_(5) target in gas mixture of argon and oxygen. The oxygen/(oxygen+argon) partial pressure ratio is changed from 0% to 8%. Crystal structure, chemical composition and electrical properties of films sputter-deposited under different oxygen gas pressures have been characterized through XRD, AES, RBS and electrical conductivity measurements. All the films prepared below 8% O_(2) are amorphous, and those prepared without oxygen are gray indicating the presence of V_(2)O_(4) phase in the films. In order to measure the current-voltage characteristics and temperature dependence of conductance, devices of A1/VO_(x)/A1 sandwich structure have been fabricated. I-V characteristics are distinguished between linear and nonlinear region. In the low field region the conduction is due to Schottky emission, while at high field it changes to Fowler-Nordheim tunneling type conduction. The conductivity measurements have shown an Arrhenius dependence of the conductivity on the temperature.
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