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UV/O<sub>3</sub> 조사 시간에 따른 Sol-gel 공정 기반 CuO 박막 트랜지스터의 전기적 특성 변화
이소정,장봉호,김태균,이원용,장재원,Lee, Sojeong,Jang, Bongho,Kim, Taegyun,Lee, Won-Yong,Jang, Jaewon 한국전기전자학회 2018 전기전자학회논문지 Vol.22 No.1
Sol-gel 공법을 이용하여, p-형 CuO 박막 트랜지스터를 제작하였다. 제작된 CuO 박막 트랜지스터는 copper (II) acetate monohydrate 를 전구체로 사용하였다. $500^{\circ}C$ 열처리 후에 형성된 전구체는 p-형 CuO 박막이 됨을 확인하였다. 또한 전구체를 형성하기 전 기판표면의 $UV/O_3$ 조사량에 따른 CuO 박막 트랜지스터의 전기적 특성변화에 대하여 연구하였으며, 600 초동안 $UV/O_3$를 조사한 경우 제작된 CuO 박막 트랜지스터는 $5{\times}10^{-3}\;cm^2/V{\cdot}s$ 의 이동도와 약 $10^2$의 온/오프 전류비를 보여주었다. In this research, sol-gel processed CuO p-type thin film transistors were fabricated with copper (II) acetate monohydrate precursors. After $500^{\circ}C$ annealing process, the deposited thin films were fully converted into CuO. We investigated $UV/O_3$ process time effect on electrical characteristics of sol-gel processed CuO thin film transistors. After 600 sec $UV/O_3$ process, the fabricated CuO thin film transistor delivered field effect mobility in saturation regime of $5{\times}10^{-3}\;cm^2/V{\cdot}s$ and on/off current ratio of ${\sim}10^2$.
UV/O₃ 조사 시간에 따른 Sol-gel 공정 기반 CuO 박막 트랜지스터의 전기적 특성 변화
이소정(Sojeong Lee),장봉호(Bongho Jang),김태균(Taegyun Kim),이원용(Won-Yong Lee),장재원(Jaewon Jang) 한국전기전자학회 2018 전기전자학회논문지 Vol.22 No.1
Sol-gel 공법을 이용하여, p-형 CuO 박막 트랜지스터를 제작하였다. 제작된 CuO 박막 트랜지스터는 copper (II) acetate monohydrate를 전구체로 사용하였다. 500 ℃열처리 후에 형성된 전구체는 p-형 CuO 박막이 됨을 확인하였다. 또한 전구체를 형성하기 전 기판표면의 UV/O₃ 조사량에 따른 CuO 박막 트랜지스터의 전기적 특성변화에 대하여 연구하였으며, 600 초동안 UV/O₃를 조사한 경우 제작된 CuO 박막 트랜지스터는 5 × 10<SUP>-3</SUP> ㎠/V·s 의 이동도와 약 10²의 온/오프 전류비를 보여주었다. In this research, sol-gel processed CuO p-type thin film transistors were fabricated with copper (II) acetate monohydrate precursors. After 500 ℃annealing process, the deposited thin films were fully converted into CuO. We investigated UV/O₃ process time effect on electrical characteristics of sol-gel processed CuO thin film transistors. After 600 sec UV/O₃ process, the fabricated CuO thin film transistor delivered field effect mobility in saturation regime of 5 × 10<SUP>-3</SUP> ㎠/V·s and on/off current ratio of ~10².
다공성 구리 코팅된 매니폴드 마이크로갭에서의 흐름 비등 열전달 향상
김기완(Kiwan Kim),공대영(Daeyoung Kong),장봉호(Bongho Jang),권혁준(Hyuk-Jun Kwon),이형순(Hyoungsoon Lee) 대한기계학회 2021 대한기계학회 춘추학술대회 Vol.2021 No.11
The thermal management device using flow boiling in the micro-gap is efficient because of its simple manufacturing process, high heat transfer performance. The heat transfer coefficient and critical heat flux can be greatly improved if the flow boiling heat transfer is performed using the micro-scale porous structure on the surface of the gap. This study analyzed the flow boiling heat transfer and pressure drop characteristics in the manifold structure which can supply a fluid to the micro-gap coated by copper inverse opal. An inverse opal structure with a pore size of 4.8μm was electrodeposited on the surface of the micro-gap at a height of 10μm, and a flow rate of 100 to 300 ml/min was supplied through the manifold. Water was used as the working fluid, and the temperature of the heater surface was measured with an IR camera and the temperature of the entire area was averaged.
김윤서(Yunseo Kim),공대영(Daeyoung Kong),이정배(Jungbae Lee),장봉호(Bongho Jang),권혁준(hyuk-jun Kwon),인정빈(Jung Bin In),이형순(Hyoungsoon lee) 대한기계학회 2021 대한기계학회 춘추학술대회 Vol.2021 No.5
초 미세 공정 기술의 발전에 따라 반도체 소자는 초 소형화 및 고집적화 되어왔다. 뿐만 아니라, 고전자이동도 트랜지스터(HEMT) 등의 새로운 소자기술의 등장으로 반도체의 성능은 더욱 개선되고 있다. 이에 따라, 단위 면적당 발열량이 급격히 증가하는 추세이며 전통적인 방열 기술은 냉각 성능과 전력 효율상의 한계에 도달하였다. 기기의 과열은 정보처리 속도를 감소시키며, 소자가 오작동하고 재료가 열화 되는 등 신뢰성과 내구성의 심각한 문제를 야기한다. 그러므로, 반도체소자의 미세화와 고성능화가 양립하기 위해서는, 매우 작은 면적에서 발생하는 열을 효과적으로 분산시킴과 동시에 낮은 열저항으로 이를 제거할 수 있는 냉각기술의 개발을 필요로 한다. (1) 다이아몬드는 뛰어난 기계적 및 화학적 특성뿐만 아니라 매우 높은 열전도도를 가지기 때문에 극소면적에서 발생하는 열을 분산시키는 히트 스프레더(Heat Spreader)로서 활용되기에 매우 적합한 재료이다. 또한, 다공성으로 개질 하여 2 상 유동냉각의 계면으로 사용할 경우, 높은 열전달 표면적을 제공함과 동시에 활발한 핵형성으로 증발 잠열(Latent Heat)에 의한 열교환을 촉진할 수 있다. 본 연구는 다공성 다이아몬드 표면의 비등 열전달 성능 향상에 관한 연구로서, 소수성을 가지는 다결정 다이아몬드 표면을 다공성 마이크로 핀 형상으로 개질 하여 더 큰 표면적과 함께 높은 젖음 특성을 활용하였다. 수성 다이아몬드 현탁액에 의해 시드(Seed)처리된 실리콘 웨이퍼 기판 위에 화학 증착 기상법(Chemical Vapor deposition)을 이용하여 다결정 다이아몬드층을 제작한 뒤에, 열산화를 통해 필름을 핀 형상으로 식각(Etching)하였다. (3) 열 산화 시간을 조절하여 핀의 형상을 조절하였고, 이에 따른 열전달 특성 변화를 관찰하였다. 작동 유체로는 탈 이온수(DI water)가 사용되었으며 IR 카메라를 사용하여 각 열 유속에서 표면온도의 변화를 측정함으로써 열성능을 평가하였다.