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이수경,문준희,황숙현,김금채,이동윤,김도현,전민현,Lee, S.K.,Moon, J.H.,Hwang, S.H.,Kim, G.C.,Lee, D.Y.,Kim, D.H.,Jeon, M.H. 한국진공학회 2008 Applied Science and Convergence Technology Vol.17 No.1
본 연구에서는 염료감응 태양전지의 상대전극으로써 다중벽 탄소나노튜브를 사용하여 전기화학적 특성에 미치는 열처리 효과에 대해 연구하였다. 다중벽 탄소나노튜브는 실리콘 기판위에 철 촉매를 사용하여 열화학 기상증착법으로 합성하였다. 직경이 다른 다중벽 탄소나노튜브를 각각 성장하여 두 개의 샘플을 준비하였고 질소 분위기의 RTA(rapid thermal annealing) system에서 $900^{\circ}C$ 온도로 1분간 열처리 하였다. 다중벽 탄소나노튜브의 구조적, 전기적, 전기화학적 특성은 FE-SEM, Raman spectroscopy, 2-point probe station, electrochemical impedance spectroscopy (EIS)을 이용하여 측정하였다. 라만 스펙트럼 분석에서 열처리 한 다중벽 탄소나노튜브의 I(D)/I(G) ratio는 상당히 감소한 것을 확인하였으며, 다중벽 탄소나 노튜브 표면과 전해질과의 산화 환원 반응 특성에서는 열처리 전보다 열처리 후의 전해질과의 산화 환원 반응 특성이 향상된 것을 알 수 있었다. 표면에서의 반응 저항 또한 열처리 후의 다중벽 탄소나노튜브가 더 낮은 값을 나타내었다. 그 결과, 열처리 후의 다중벽 탄소나노튜브를 상대전극으로 사용하였을 때의 전기화학적 특성이 더 좋은 것을 확인하였다. We have studied the effect of heat treatment of multi-walled carbon nanotubes (MWNTs) as a counter electrode on the electro-chemical properties of dye-snsitized solar cells. MWNTs on the p-type Si substrate were synthesized by thermal chemical vapor deposition (CVD) using Fe catalysts. We prepared the two types of MWNTs samples with the different diameters. The rapid thermal annealing (RTA) treatment for the MWNTs was carried out at the growth temperature ($900^{\circ}C$) for 1 minute with $N_2$ gas atmosphere. The structural, electrical and electrochemical properties of MWNTs were investigated by field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM), Raman spectroscopy, 2-point probe station and electrochemical impedance spectroscopy (EIS). The I(D)/I(G) ratio of heat-treated MWNTs in Raman spectra was considerably decreased. It was also found that the heat-treated MWNTs showed better redox reaction of iodide at the interface between MWNTs surface and electrolyte than that of as-grown MWNTs. The redox resistance value of heat-treated electrodes was measured to be much lower than that of as-grown electrode at the interface. As a result, the counter electrode using the heat-treated MWNTs showed better electrochemical properties.
비구면 유리 렌즈 성형용 초경합금(WC) 표면에 이온 빔 보조 마그네트론 스퍼터가 적용된 이리듐-레늄 코팅 박막 특성에 관한 연구
정경서(K. S. Jung),김미선(M. S. Kim),이상원(S. W. Lee),최상경(S. K. Choi),이수경(S. K. Lee) 한국소성가공학회 2012 한국소성가공학회 학술대회 논문집 Vol.2012 No.10
Iridium-Rhenium(Ir-Re) thin films were deposited onto the tungsten carbide(WC) molding core by ion beam assist sputtering system. The Ir-Re films were prepared by compound-target sputtering with iridium, rhenium and chromium as the sources. Argon were inlet into the chamber to be the plasma and reactive gases. The Ir-Re thin films were prepared with targets having atomic percent of 7:3 and the Ir-Re thin films were formed with about 200 ㎚ thickness. The Ir-Re thin films on tungsten carbide molding core were analyzed by scanning electron microscope(SEM) and surface roughness. Also, adhesion strength and coefficient friction of Ir-Re thin film were examined. The Ir-Re coating technique has been intensive efforts in the field of coating process because the coating technique and process have been their feature, like hardness, high elasticity, abrasion resistance and mechanical stability and also have been applied widely the industrial and biomedical areas. In this report, tungsten carbide(WC) molding core was manufactures using high performance precision machining and the efforts of Ir-Re coating on the surface roughness.
김금채,이지수,이수경,김도현,이성희,문주호,전민현,Kim, G.C.,Lee, J.S.,Lee, S.K.,Kim, D.H.,Lee, S.H.,Moon, J.H.,Jeon, M.H. The Korean Vacuum Society 2008 Applied Science and Convergence Technology Vol.17 No.1
유리기판 위에 약 500 nm 의 두께로 성장된 ZnO층의 구조적, 광학적, 전기적 성질에 미치는 갈륨도핑의 영향에 대하여 연구 하였다. 다결정 ZnO 와 GZO 층은 상온에서 radio frequency magnetron sputtering 법을 사용하여 성장되었다. 투과전자현미경 (TEM)과 x-ray 회절분석 (XRD)에 의하면, 갈륨이 도핑된 ZnO 박막의 결정성은 ZnO에 비하여 향상되었고 (002)방향을 따라 우선성장 되었음이 발견되었다. GZO 박막의 투과도는 가시광 영역에서 ZnO 박막에 비해 약 10% 정도 향상된 것으로 나타났다. PL 분석에 따르면, NBE emission 세기와 DL emission 세기의 비는 GZO 와 ZnO의 경우 각각 2.65:1 과 1.27:1로 나타났다. GZO와 ZnO의 비저항은 각각 1.27과 1.61 $\Omega{\cdot}cm$로서 GZO의 전기전도도가 높았다. GZO 와 ZnO의 캐리어농도는 각각 $10^{18}$ and $10^{20}cm^2$/Vs으로 측정되었다. 본 실험결과 따르면, Ga 도핑으로 인해 ZnO 박막의 전기적, 광학적, 구조적 특성이 향상되었음을 알 수 있었다. We present the effect of Ga-doping on the electrical, structural and optical properties of ZnO layers with a thickness of ${\sim}500nm$ deposited on glass substrates. Polycrystalline ZnO and Ga-doped ZnO (GZO) layers were deposited by radio frequency (rf) magnetron sputtering at room temperature. Based on the X-ray diffraction (XRD) and transmission electron microscopy (TEM) data, the crystalline quality of Ga-doped ZnO film was improved and GZO film has a preferred orientation along with the (002) crystal direction. The transmittance of the GZO film was enhanced by 10% in the visible region from that of the ZnO film. From photoluminescence (PL) data, the ratio of intensity of near band edge (NBE) emission to deep level (DL) emission was as high as 2.65:1 and 1.27:1 in the GZO and ZnO films, respectively. The res istivities of GZO and ZnO films were measured to be 1.27 and 1.61 $\Omega{\cdot}cm$, respectively. The carrier concentrations of ZnO and GZO film were approximately 1018 and 1020 $cm^2$/Vs, respectively. Based on our experimental results, the Ga-doping improves the electrical, structural and optical properties of ZnO film with potential application.
E-marketplace에서의 공급자 선정을 위한 의사 결정 지원 시스템
이동주(DongJoo Lee),이상희(SangHee Lee),이수경(S.K. Lee),이태희(T.H. Lee),김미숙(M.S Kim),송미화(M.H. Song),이상구(S.G. Lee) 한국정보과학회 2004 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.31 No.2Ⅱ
의사 결정 지원 시스템에 대한 연구는 오래 전부터 진행되어 왔다. 의사 결정 지원 시스템은 많은 분야에 적용될 수 있고, 적용되는 환경에 따라서 다양한 특정을 가진다. 본 논문에서는 e-marketplace에서 공급지 선정을 위한 의사 결정 지원 시스템 구현을 위한 환경 및 시스템의 특정에 대해서 알아보고, e-marketplace에서의 공급지 선정을 위한 정책 기반 모델을 제시하고, 이를 구현함으로써 의사 결정 지원 시스템이 e-marketplace에서 어떻게 구현될 수 있는지를 보인다.
G.C. Kim(김금채),S.K. Lee(이수경),J.S. Lee(이지수),D.H. Kim(김도현),S.H. Lee(이성희),J.H.Moon(문주호),M.H. Jeon(전민현) 한국진공학회(ASCT) 2008 Applied Science and Convergence Technology Vol.17 No.1
유리기판 위에 약 500 ㎚의 두께로 성장된 ZnO층의 구조적, 광학적, 전기적 성질에 미치는 갈륨도핑의 영향에 대하여 연구하였다. 다결정 ZnO 와 GZO 층은 상온에서 radio frequency magnetron sputtering 법을 사용하여 성장되었다. 투과전자 현미경 (TEM)과 x-ray 회절분석 (XRD)에 의하면, 갈륨이 도핑된 ZnO 박막의 결정성은 ZnO에 비하여 향상되었고 (002)방향을 따라 우선성장 되었음이 발견되었다. GZO 박막의 투과도는 가시광 영역에서 ZnO 박막에 비해 약 10% 정도 향상된 것으로 나타났다. PL 분석에 따르면, NBE emission 세기와 DL emission 세기의 비는 GZO 와 ZnO의 경우 각각 2.65:1 과 1.27:1로 나타났다. GZO와 ZnO의 비저항은 각각 1.27과 1.61 Ωㆍ㎝ 로서 GZO의 전기전도도가 높았다. GZO 와 ZnO의 캐리어농도는 각각 10¹? and 10²? ㎠/Vs으로 측정되었다. 본 실험결과 따르면, Ga 도핑으로 인해 ZnO 박막의 전기적, 광학적, 구조적 특성이 향상되었음을 알 수 있었다. We present the effect of Ga-doping on the electrical, structural and optical properties of ZnO layers with a thickness of ~500 ㎚ deposited on glass substrates. Polycrystalline ZnO and Ga-doped ZnO (GZO) layers were deposited by radio frequency (rf) magnetron sputtering at room temperature. Based on the X-ray diffraction (XRD) and transmission electron microscopy (TEM) data, the crystalline quality of Ga-doped ZnO film was improved and GZO film has a preferred orientation along with the (002) crystal direction. The transmittance of the GZO film was enhanced by 10% in the visible region from that of the ZnO film. From photoluminescence (PL) data, the ratio of intensity of near band edge (NBE) emission to deep level (DL) emission was as high as 2.65:1 and 1.27:1 in the GZO and ZnO films, respectively. The res istivities of GZO and ZnO films were measured to be 1.27 and 1.61 Ωㆍ㎝, respectively. The carrier concentrations of ZnO and GZO film were approximately 1018 and 1020 ㎠/Vs, respectively. Based on our experimental results, the Ga-doping improves the electrical, structural and optical properties of ZnO film with potential application.