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셀 간 상호작용을 이용한 XOR 게이트 기반의 양자점 셀룰러 오토마타 T 플립플롭
유찬영,전준철 국제문화기술진흥원 2021 The Journal of the Convergence on Culture Technolo Vol.7 No.1
양자점 셀룰라 오토마타(Quantum-Dot Cellular Automata)는 기존의 CMOS 회로의 물리적 크기 한계를 극 복하여 효율적인 회로 설계가 가능할 뿐만 아니라 에너지 효율이 우수한 특징 때문에 많은 연구 단체에서 주목받고 있는 차세대 나노 회로 설계기술이다. 본 논문에서는 QCA를 이용하여 기존 디지털 회로 중 하나인 T 플립플롭 회 로를 제안한다. 기존에 제안되었던 T 플립플롭들은 다수결게이트를 기반으로 설계되었기 때문에 회로가 복잡하며 지 연시간이 길다. 따라서 다수결게이트를 최소화시키며, 셀 간 상호작용을 이용한 XOR 게이트 기반의 T 플립플롭을 설계함으로써 회로의 복잡도를 줄이고, 지연시간을 최소화한다. 제안하는 회로는 QCADesigner를 사용하여 시뮬레이 션을 진행하며, 기존에 제안된 회로들과 성능을 비교 및 분석한다. Quantum-Dot Cellular Automata is a next-generation nanocircular design technology that is drawing attention from many research organizations not only because it is possible to design efficient circuits by overcoming the physical size limitations of existing CMOS circuits, but also because of its energy-efficient features. In this paper, one of the existing digital circuits, T flip-flop circuit, is proposed using QCA. The previously proposed T flip-flops are designed based on the majority gate, so the circuits are complex and have long delays. Therefore, the design of the XOR gate-based T flip-flop using cell interaction reduces circuit complexity and minimizes latency. The proposed circuit is simulated using QCADesigner, and the performance is compared and analyzed with the existing proposed circuits.
근골격계질환자 다수 발생 10개업종 발생특성 분석 및 예방사업 제안
유찬영,정병철,김증호,김현호,김영미,박수욱,박정선,홍용수 대한인간공학회 2009 대한인간공학회 학술대회논문집 Vol.2009 No.11
노동부 산업재해통계에 따르면 작업관련성 근골격계질환은 1999년까지 300여명 수준에서 완만하게 상승하였으나 2000년 이후 크게 증가하기 시작하였다. 본 연구는 크게 증가하고 있는 근골격계질환의 발생추이 및 근골격계질환자가 집중적으로 발생되고 있는 다발 10개업종 중 2008년도 발생한 4,349명(전체질환자의 64.9% 점유)에 대하여 업종별, 규모별 질환자의 발생특성을 분석하고자 한다. 발생특성은 다발 10개업종별 현황을 토대로 업종별 질환유형, 업종 및 규모, 근속기간에 따른 재해강도, 발생시간대 특성 등을 상세하게 분석함으로써 동 질환 예방을 위한 정책 및 사업수행시 기초자료를 제공하고자 한다. 또한 다발업종 중심의 예방사업 위험군 설정, 업종별 예방관리 프로그램 현장적용 방안, 유해요인조사 실효성 제고 등 근골격계질환 예방사업 전개방안을 제안하여 체계적이고 효율성 있는 사업추진에 활용할 수 있을것으로 기대한다
Haar Cascade와 DNN 기반의 실시간 얼굴 표정 및 음성 감정 분석기 구현
유찬영(Chan-Young Yu),서덕규(Duck-Kyu Seo),정유철(Yuchul Jung) 한국컴퓨터정보학회 2021 한국컴퓨터정보학회 학술발표논문집 Vol.29 No.1
본 논문에서는 인간의 표정과 목소리를 기반으로 한 감정 분석기를 제안한다. 제안하는 분석기들은 수많은 인간의 표정 중 뚜렷한 특징을 가진 표정 7가지를 별도의 클래스로 구성하며, DNN 모델을 수정하여 사용하였다. 또한, 음성 데이터는 학습 데이터 증식을 위한 Data Augmentation을 하였으며, 학습 도중 과적합을 방지하기 위해 콜백 함수를 사용하여 가장 최적의 성능에 도달했을 때, Early-stop 되도록 설정했다. 제안하는 표정 감정 분석 모델의 학습 결과는 val loss값이 0.94, val accuracy 값은 0.66이고, 음성 감정 분석모델의 학습 결과는 val loss 결과값이 0.89, val accuracy 값은 0.65로, OpenCV 라이브러리를 사용한 모델 테스트는 안정적인 결과를 도출하였다.
할로겐 플라즈마에 의한 Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub> 식각 데미지 연구
장윤창,유찬영,유상원,권지원,김곤호,Jang, Yun Chang,Yoo, Chan Young,Ryu, Sangwon,Kwon, Ji Won,Kim, Gon Ho 한국반도체디스플레이기술학회 2019 반도체디스플레이기술학회지 Vol.18 No.4
Effect of Ge2Sb2Te5 (GST) chalcogen composition on plasma induced damage was investigated by using Ar ions and F radicals. Experiments were carried out with three different modes; the physical etching, the chemical etching, and the ion-enhanced chemical etching mode. For the physical etching by Ar ions, the sputtering yield was obtained according to ion bombarding energy and there was no change in GST composition ratio. In the plasma mode, the lowest etch rate was measured at the same applied power and there was also no plasma induced damage. In the ion-enhanced chemical etching conditions irradiated with high energy ions and F halogen radicals, the GST composition ratio was changed according to the density of F radicals, resulting in higher roughness of the etched surface. The change of GST composition ratio in halogen plasma is caused by the volatility difference of GST-halogen compounds with high energy ions over than the activation energy of surface reactions.
할로겐 플라즈마에 의한 Ge2Sb2Te5 식각 데미지 연구
장윤창,유찬영,유상원,권지원,김곤호 한국반도체디스플레이기술학회 2019 반도체디스플레이기술학회지 Vol.18 No.4
Effect of Ge2Sb2Te5 (GST) chalcogen composition on plasma induced damage was investigated by using Ar ions and F radicals. Experiments were carried out with three different modes; the physical etching, the chemical etching, and the ion-enhanced chemical etching mode. For the physical etching by Ar ions, the sputtering yield was obtained according to ion bombarding energy and there was no change in GST composition ratio. In the plasma mode, the lowest etch rate was measured at the same applied power and there was also no plasma induced damage. In the ion-enhanced chemical etching conditions irradiated with high energy ions and F halogen radicals, the GST composition ratio was changed according to the density of F radicals, resulting in higher roughness of the etched surface. The change of GST composition ratio in halogen plasma is caused by the volatility difference of GST-halogen compounds with high energy ions over than the activation energy of surface reactions.