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추혜용(Hye Yong Chu),이정익(Jeong-Ik Lee),이종희(Jonghee Lee),한준한(Jun-Han Han),조두희(Doo-Hee Cho),신진욱(Jin-Wook Shin),유병곤(Byung Gon Yu) 대한전자공학회 2010 대한전자공학회 학술대회 Vol.2010 No.6
White organic light emitting diode for lighting application has been studied based on phosphorescence and/or blue fluorescence materials. We have successfully achieved highly efficient white phosphorescent OLED with 46 lm/W using all phosphorescent materials. We also developed hybrid white OLED with combining blue fluorescence materials and green/red phosphorescence materials. When we introduced external light extraction film, the power efficacies reached up to 74 and 43 lm/W. We have also fabricated transparent white OLEDs with cooperating a transparent cathode, and then 24 lm/W of power efficacy has been achieved together with 60% of transparency and over 80 color rendering index (CRI).
Sol-Gel 법에 의한 PLZT 강유전체 박막의 제조
황호병,유병곤 대전대학교 기초과학연구소 1998 自然科學 Vol.9 No.1
다층기판 Pt/Ti/SiO₂/Si를 제작하고 그 위에 (Pb??La??)(Zr ??Ti??)O₃인 acetate system 용액을 사용하여 Sol-Gel 법으로 PLZT박막을 제조하였다. XRD 분석에 의하면 Ar 이나 공기 분위기에서 열처리 할 경우 550℃∼750℃ 범위의 온도에서 결정화가 이루어짐을 알 수 있다. 그러나 공기 분위기 하에서 열처리한 경우 550℃에서 결정화가 완전히 끝나지 않고 진행 중이라는 것을 알 수 있으며, (110) peaks가 550℃에서 보다 650℃에서 더 크게 자랐으나 750℃에서 더 이상 자라지 않은 것으로 보아 최적합 결정화 온도는 650이하라고 생각한다. Ar 분위기에서 열처리한 샘플의 경우 (110) peaks가 550℃에 거의 성장이 완료되고 650℃에 포화되었다가 750℃에서는 퇴보되었다. 이것으로부터 Ar 분위기 하에서는 결정화 온도가 공기 분위기의 경우보다도 대략 50℃ 정도 낮을 것이라고 생각 할 수 있다. SEM 사진으로부터 공기 분위기 하에서 650℃를 유지하며 1시간 동안 열처리한 샘플의 경우 직경이 약 0.015 ㎛ 인 페로브스카이트 구조의 상을 갖는 rosette 구조가 비교적 고르게 분포되어 있으며 750℃를 유지하며 1시간 동안 열처리하였을 경우에는 이것의 크기가 0.028 ㎛ 로 성장하였음을 알 수 있다. 그리고 Ar 분위기에서 650℃를 유지하며 1시간 동안 열처리한 샘플의 표면의 상태나 rosette의 크기는 공기 분위기 750℃에서 1시간 동안 열처리한 샘플과 똑같았다. 이것은 XRD 분석의 결과와도 서로 부합하는 것이다. We have fabricated PLZT thin films on the multi-layered substrates, Pt/Ti/SiO₂/Si, using Sol-Gel technique with the solution of (Pb??La??)(Zr??Ti??)O₃acetate system. According to XRD analysis, the spin-coated solution has been crystallized at the temperature range of 550℃∼750℃ in air or Ar atmosphere. However, the crystallization was still progressing at the temperature of 550℃ in air and the optimum temperature for crystallization seems to be around 650℃ according to the grown patterns of (110) peaks in the samples which has been annealed at the temperatures of 550℃, 650℃, and 750℃. The crystallization temperature in Ar atmosphere seems to be about 50℃ lower than that in air since the growth of the (110)peaks is nearly ended at the annealing temperature of 550℃, saturated at 650℃, and degraded at 750℃. SEM images show that the heat-treated sample at 650℃ for 1 hour in air has the rosette structure of perovskite phases with the size of about 0.015 ㎛n in diameter and the size of the rosette structure has grown to 0.028 ㎛ when the sample was annealed at 750℃ for 1 hour in air. the surface morphology and rosette size of the heat-treated sample at 750℃ for 1 hour in air. This observation is consistent with the results of the XRD analysis above.