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Ti(C, N) 피막의 내마모 특성에 대한 조성의 영향
고경현,안재환,배종수,정형식,Go, Gyeong-Hyeon,An, Jae-Hwan,Bae, Jong-Su,Jeong, Hyeong-Sik 한국재료학회 1995 한국재료학회지 Vol.5 No.8
반응 가스 분압의 조절에 의한 HCD식 이온 도금 법으로 다양한 조성의 Ti(C, N) 경질 피막을 ASP30 공구강에 도금하였고 이 피막의 내마모성에 대한 조성의 영향을 경도, 밀착력 및 마모기구의 변화 등의 관점에서 고찰하였다. 경도는 질소나 탄소와 같은 비금속 성분량의 증가에 비례하지만 탄소함유량의 중가는 밀착력을 오히려 감소시켰다. 이 경향은 피막 밀도가 비교적 작은 정략적비 이하인 구간([C+N]/Ti<1)에서 보다 그 이상인 조성에서 영향이 뚜렷하였다. 따라서 피막의 내마모 특성은 높은 경도를 유지할 수 있는 ([C+N]/Ti>1)인 구역 내에서 밀착력 저하에 의한 adhesive 형태로의 마모 기구 변이를 억제할 수 있는 저 탄소 조성을 가질 때 최대로 된다. Hard Ti(C, N) layers of various compositions were coated on ASP30 tool steel employing a reactive HCD ion plating technique. The effect of film composition on the wear characteristics were investigated in lights of hardness, adhesion and wear mechanism. With an increase in the amount of nonmetallic component(N, C), the hardness of films increased, but the increase in carbon content resulted in poor adhesion. Within the concentration range of ([C+N]/Ti<1), these trends became mute clear than in the concentration below stoichiometry. Therefore, the wear resistance could be maximized when the film is deposited with the concentration of ([C+N]/Ti<1) for high microhardness and, at the same time, with the low carbon contents not to wear out in adhesive mode.
Au/Nb/WNx(Si)/GaAs Schottky 접합의 열안정성
정진영,고경현,안재환,김형준,Jeong, Jin-Yeong,Go, Gyeong-Hyeon,An, Jae-Hwan,Kim, Hyeong-Jun 한국재료학회 1996 한국재료학회지 Vol.6 No.1
Microwave용 GaAs MESFET 소자에 적용가능한 Schottky 접합구조로서 Au/Nb/WNx(Si) 다층박막의 특성을 평가하였다. WNx 증착시 co-sputtering에 의하여 첨가된 실리콘은 열처리 과정 동안 GaAs/Schottky 계면으로 확산되며 이 과정은 sputtering damage의 회복이 활성화되는 $700^{\circ}C$이상에서 활발해진다. 계면으로 축적된 실리콘은 Ga와 As의 유효한 확산 경로를 차단함으로서 Ga의 확산으로 인한 GsAs 내의 carrier 농도 증가를 최소화 할 수 있어서 WNx와 같은 Schottky 접합재료의 열적 안정특성의 향상을 기대할 수 있다. Au/Nb의 층을 적층시 Nb는 탈탈륨 등의 고융점 금속과 같이 sacrificial 형태의 확산방지막으로 작용하여 열적으로 안정하며 microwave용 소자에서 요구되는 낮은 비저항치(-10-5$\Omega$-cm)를 유지할 수 있다.
VCR 헤드 제조시 $SiO_2$박막과 유리의 계면 결함
윤능구,황재웅,고경현,안재환,제해준,홍국선,Yun, Neung-Gu,Hwang, Jae-Ung,Go, Gyeong-Hyeon,An, Jae-Hwan,Je, Hae-Jun,Hong, Guk-Seon 한국재료학회 1994 한국재료학회지 Vol.4 No.1
Mn-Zn ferrite를 가공하여 VCR헤드의 제조과정에서 비자성체 gap용 $SiO_{2}$증착층과 유리와의 접합시 유리내에 기포 형태의 결함이 발생하는 경우가 있다. 기판의 조도나 $SiO_{2}$의 증착속도의 영향을 분석한 결과, 기포의 생성원인이 $SiO_{2}$ 증착층과 접합유리의 융착시 계면에 존재하는 요철의 불완전한 충진에 의한 것으로 나타났다. 따라서 이러한 기포생성을 억제시키는 위해서는 기판을 최대한 경면 연마시켜 표면조도를 작게하고 $SiO_{2}$증착속도를 조절함으로써 $SiO_{2}$증착층의 표면조도를 작게하여 유리 융착시 계변의 요철 크기를 작게해야 한다. 기판을 0.05$\mu\textrm{m}$알루미나 분말로 경면연마시키고, 10% Osub 2/분압을 갖는 Ar plasma상태하로 조절된 증착속도로 즈악된 $SiO_{2}$증착층과 접합유리의 융착시 기포가 전혀 발생치 않았다. The bonding behavior of $SiO_{2}$ thin film and glass during VCR head fabrication was investigated, varying the surface roughness of substrate and the sputtering parameter. Insufficient fillings of grooves In the $SiO_{2}$ film with glass was postulated to give rise to the generation of bubble in the glass. The surface roughness of $SiO_{2}$ film was found to depend on that of substrate. The lower the deposition rate, the smoother the surface of film. The bubble free glass after bonding could be obtained using substrate polished with 0.05$\mu\textrm{m}$ $Al_2O_3$ powder under the sputtering condition of 10% oxygen pressure.