http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
LPCVD 방법에 의한 저온 SiO₂ 박막의 증착방법과 DRAM 커패시터에서의 그 신뢰성 연구
안성준(Ahn Seong-Joon),박철근(Park Chul-Geun),안승준(Ahn Seung-Joon) 한국산학기술학회 2006 한국산학기술학회논문지 Vol.7 No.3
60-70 ㎚급의 design rule을 가진 고집적 반도체 소자를 제작하려면, 트랜지스터 형성 이후의 공정에서 thermal budget을 줄이기 위하여 공정의 온도를 낮추는 것이 중요하다. 본 연구에서는 고온의 습식 산화막을 대체할 수 있는 저온의 LPCVD (Low-Pressure Chemical Vapor Deposition) SiO₂(LTO Low-Temperature Oxide) 박막 증착공정을 제시하였으며, ONO (Oxide/Nitride/Oxide) 구조의 커패시터를 형성하여 증착된 LTO 박막의 전기적인 신뢰성을 평가하였다. LTO 박막은 5 MV/㎝ 이하의 전기장 영역에서는 고온의 습식 산화막과 크게 차이가 없는 누설전류 특성을 보였으나, 더 높은 전기장의 영역에서는 훨씬 더 우수함을 보여주었다. The low-temperature processing is very important for fabrication of the very large scale (60~70 ㎚) semiconductor devices since the submicron transistors are sensitive to the thermal budget. Hence, in this work, we propose a noble low-temperature LPCVD (Low-Pressure Chemical Vapor Deposition) process for the SiO₂ film and evaluate the electrical reliability of the LTO (Low-Temperature Oxide) by making the capacitors with ONO (Oxide/Nitride/Oxide) structure. The leak current of the LTO was similar to that of the high-temperature wet oxide until the electric field was lower than 5 MV/㎝. However, when the electric field was higher, the L TO showed much better characteristics.
되먹임 회로로 제어하는 Michelson 레이저 간섭계를 이용한 Nano-scale 미세변위 측정
안성준(Ahn Seong-Joon),오태식(Oh, Tae-Sik),안승준(Ahn Seung-Joon) 한국산학기술학회 2007 한국산학기술학회논문지 Vol.8 No.5
되먹임 회로로 제어하는 새로운 Michelson형 레이저 간섭계를 제작하여 특성을 평가하였다. 새로운 Michelson형 레이저 간섭계는 압전 특성이 잘 알려진 PZT에 인가된 되먹임 회로의 인가전압을 직접적으로 측정함으로써 미세변위를 측정할 수 있는 간편한 측정 장치이다. 본 연구에서 제작한 Michelson형 레이저 간섭계의 신뢰성과 정밀도를 평가하기 위하여 실리콘 membrane의 단차를 측정한 결과 SEM으로 관찰한 값과 잘 일치함을 알 수 있었다. A novel Michelson interferometer controlled with a feedback circuit(MIFC) has been developed and its performance has been evaluated. This new interferometer can measure the displacement of the sample by directly reading the feedback bias applied to the PZT whose piezoelectric characteristic is known. The experimental result showed that the step height the silicon membrane measured by using MIFC was actually same with the value measured by SEM, which confirms that MICS is an easy and accurate method for the nano-scale displacement measurement.
차세대 고집적 MOS 소자를 위한 ALD ZrO₂ 박막의 특성 연구
안성준(Ahn Seong-Joon),안승준(Ahn Seung-Joon) 한국산학기술학회 2008 한국산학기술학회논문지 Vol.9 No.1
소자가 점점 고집적화 됨에 따라, MOS 소자 제조에 있어서 SiO₂의 두께가 -1㎚로 낮아질 경우 발생하는 터널링전류와 문턱전압 천이를 방지할 수 있는 새로운 게이트용 유전물질을 개발하여 소자의 크기를 줄이는데 주력 하고 있다. 본 실험에서는 원자층증착(ALD: atomic layer deposition) 방법으로 증착된 ZrO₂ 박막의 물리적, 전기적 특성에 대하여 연구하였다 ALD ZrO₂ 박막을 증착한 후 Ar 가스 분위기에서 800℃, 1 시간동안 열처리한 다음 XRD, TEM, 그리고 C-V plots을 이용하여 Pt/ZrO₂/Si 소자의 형태, 결정화 동역학, 그리고 경계층 특성을 평가한 결과 열처리에 의해 소자의 특성이 크게 향상됨을 알 수 있었다. As the packing density of IC devices gets ever higher. the thickness of the gate SiO₂ layer of the MOS devices is now required to be reduced down to 1 run. For such a thin SiO₂ layer, the MOS device cannot operate properly because of tunneling current and threshold voltage shift. Hence there has been much effort to develop new dielectric materials which have higher dielectric constants than SiO₂ and is free from such undesirable effects. In this work, the physical and electrical characteristics of ALD ZrO₂ film have been studied. After deposition of a thin ALD ZrO₂ film, it went through thermal treatment in the presence of argon gas at Soot for 1 hr. The characteristics of morphology, crystallization kinetics, and interfacial layer of Pt/ZrO₂/Si samples have been investigated by using the analyzing instruments like XRD, TEM and C-V plots. It has been found that the characteristics of the Pt/ZrO₂/lSi device was enhanced by the thermal treatment.
Monte Carlo 수치해석법을 이용한 PMMA resist에서의 저 에너지 전자빔 투과 깊이에 관한 연구
안승준(Ahn Seung-Joon),안성준(Ahn Seong-Joon),김호섭(Kim, Ho-Seob) 한국산학기술학회 2007 한국산학기술학회논문지 Vol.8 No.4
반도체 소자 제작에 있어서 회로의 pattern 형성에 이용하는 차세대 lithography 공정 기술을 위해서 전자빔 lithography 공정 기술 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 Gauss 해석법과 Monte Carlo의 수치해석법을 사용하여 두께 100 ㎚의 PMMA -(poly-methyl-methacrlatc) resist에 전자 1×10⁴개를 입사시키고, 입사 전자빔 에너지에 따른 PMMA 내에서의 투과 깊이를 비교하였다. 전자빔 에너지의 크기는 100eV, 300eV, 500eV, 700eV, 그리고 1000eV에 대하여 simulation을 실시하였다. There has been steady effort for the development of the electron-beam lithography technologies for the circuit patterning of the future semiconductor devices. In this study, we have performed a Monte-Carlo simulation where 1×10⁴ electrons with various kinetic energies (100eV, 300eV, 500eV, 700eV, and 1000eV) were shot into polymethyl methacrylate(PMMA) resist of 100-㎚ thickness. The penetration depth of each electron beam in the resist layer were analyzed using Gaussian analysis method.
매개변수 불확실성을 가지는 특이시스템의 강인 관측기 기반 $H_\infty$ 제어기 설계방법
김종해,안성준,안승준,오도창,지경구,Kim Jong-Hae,Ahn Seong-Joon,Ahn Seung-Joon,Oh Do-Chang,Chi Kyeong-Koo 대한전기학회 2005 전기학회논문지 D Vol.54 No.1
This paper considers a robust observer-based H/sub ∞/ controller design method for singular systems with parameter uncertainties using an LMI condition. The sufficient condition for the existence of controller and the controller design method are presented by a perfect LMI condition in terms of all variables using singular value decomposition, Schur complement, and change of variables. Therefore, one of the main advantages is that a robust observer-based H/sub ∞/ controller can be established by solving one LMI condition compared with existing results. Numerical example is given to illustrate the effectiveness of the proposed controller design method.
박윤창(Park, Youn-Chang),안성준(Ahn Seong-Joon),강문호(Kang, Moon-Ho),권영철(Kwon, Young-Chul),안승준(Ahn Seung-Joon) 한국산학기술학회 2009 한국산학기술학회논문지 Vol.10 No.11
고속 삼차원 형상측정에서는 충분한 위상이송 스텝 수를 적용할 시간을 확보할 수 없기 때문에, 스텝 수를 축소하게 되면서 위상측정에서의 잡음이 증가되게 된다. 본 논문에서는, 다파장 PMP법에 있어서 두 파장의 비례관 계를 이용하여 측정된 위상에 포함되어 있는 위상오차를 예측하고, 이를 보정하는 방법을 제안하였으며, 제안된 보정 방법의 효용성을 확인하기 위한 실험이 진행되었다. 위상천이법에서 통상적으로 사용되는 스텝 수에 비해 월등히 많 은 스텝의 위상 이송으로 측정하였으며, 또한 동일한 대상물을 고속 삼차원측정에서 적용되는 3-3 step의 위상 이송 으로 측정하여, 두 경우에서의 측정결과를 비교하여 고속측정에서의 측정잡음을 산출하였다. 그리고, 본 논문에서 제안하고 있는 보정 방법을 측정된 맥놀이 위상과 절대위상에 적용한 결과, 각각에 있어서 90% 와 17.2%의 잡음감소가 이루어지는 것으로 확인되었다. In this paper, a prediction and compensation method for the error in the phase measured by using the proportionality between two wavelengths in the TW-PMP (Two-wavelength Phase Measuring Profilometry) is proposed and experimental results are shown to verify the usefulness of the proposed method. For sample object, firstly, a phase-shifting with a quite large number of steps is adopted in measurement, compared with the conventional phase-shifting method, secondly, a 3-3 step phase-shifting method is used to measure the same object which is applied to high-speed 3D shape measurement, and then, measured results from these two phase-shifting methods are compared to calculate measurement noises. From the experimental results applying the proposed compensation method to the measured beat phase and absolute phase, it has proven that noises are decreased by 90% and 17.2% for each case.