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안병목,정원채 경기대학교 부설 산업기술종합 연구소 1998 산업기술종합연구소 논문집 Vol.16 No.-
본 연구에서는 마스크의 폭을 각각 0.3㎛, 0.1㎛으로 설정하여 boron이 도핑된 실리콘 기판 위에 arsenic을 주입 시켰을 때, 열처리 전과 각각 inert, dry, wet 분위기에서 열처리 하나 후의 도핑 농도 프로파일과 수직 깊이와 측면으로의 퍼짐을 시뮬레이션하여 2 차원적으로 관찰하였다. 마스크 폭을 축소시킴으로 인해 이온의 입사 방향으로 더 깊이 침투됨이 관찰되었으며, 더욱이 측면으로도 퍼짐이 관찰되었다. 열처리 전과 열처리 후의 비교에서도 농도프로파일이 보다 더 기판 내에서 넓게 분포됨이 관찰되었다. In this study, two dimensional doping concentration distributions from different mask dimensions under inert gas annealing, dry-, and wet-oxidation conditions were calculated and simulated with microtec simulater. In this case we designed mask width, 0.3㎛, and 0.1㎛, respectively and examined the concentration profiles of arsenic implantation in boron doped silicon substrate. Also we could find the distribution of profiles before and after heat treatments in the substrate.
여러 가지 장벽 높이에 대한 쇼트키 다이오드의 전압-전류 특성에 관한 연구
안병목,정원채 경기대학교부설 산업기술종합연구소 1999 산업기술종합연구소 논문집 Vol.17 No.-
본 논문에서는 MICROTE〔4,5〕시뮬레이터를 이용하여 쇼트키 다이오드를 형성하고 금속 및 실리사이드-반도체 쇼트키 접촉에서 턴 온 전압과 항복 전압을 관찰하였다. 또한 여러 가지 쇼트키 장벽 높이를 가지는 금속 및 실리사이드를 사용하여 동일한 디바이스에서 이들 금속 및 실리사이드-반도체 접촉에 전압을 인가했을 때, 순 방향에서 턴 온 전압과 역 방향에서의 항복 전압을 확인하였다. 사용된 금속은 Au(0.8V), Mo(0.68V), Pt(0.9V), Ti(0.5V) 이고 실리사이드로는 MoSi2 (0.55V), TiSi2(0.6V), PtSi(0.84) 이며 반도체는 실리콘 n+/n 구조가 형성되었다. 쇼트키 다이오드는 대 전력용보다는 높은 속도의 스위칭 디바이스에 주로 응용되고 있으며 장벽의 높이가 높을수록 뚜렷한 정류 특성을 나타내어 순 방향 바이어스에서 빠른 턴 온 특성이 예상되는데 시뮬레이션 결과 또한 자라 일치하였다. 그리고 다이오드의 I-V 특성을 관찰하기 위해 역 방향 바이어스에서의 항복 전압을 관찰하였는데 쇼트키 장벽이 높을수록 낮은 항복 전압이 나타났다. 또한 디바이스 공정에서 epitaxial과 열처리 공정 후의 2차원적인 농도 분포를 나타내었다. In this study, the schottky diode was constructed, and turn-on and breakdown voltages at metal- and silicide-semiconductor contacts were calculated and simulated with microtec simulator. In this case we chose metals Au(0.8V), Mo(0.68V), Pt(0.9V), and Ti(0.5V) respectively, and silicides MoSi2 (0.55V), TiSi2(0.6V), and PtSi(0.84) respectively and semiconductor structure n/n+ was constructed for schottky contact. Schottky diodes are applicable for high speed devices, so we examined the I-V characteristics of schottky diode in both forward and reverse biases. Also we could find that as barrier-heights are high, turn-on voltage is low, and breakdown voltage is low, too. In addition, we could find two dimensional distribution of profiles before and after heat treatments in the epitaxial layer and the substrate.
지역난방-신재생에너지 하이브리드 열공급을 위한 스마트 플랫폼 구축
문현식(Hyun Sik Mun),안병목(Byeong Mok Ahn),윤민철(Min Churl Yoon),박진오(Jin O Park),윤석만(Seok Mann Yoon) 대한설비공학회 2021 대한설비공학회 학술발표대회논문집 Vol.2021 No.6
Recently, as the importance of energy efficiency has increased and the form of energy supply has diversified, the concept of heat trading that can efficiently manage energy sources is becoming more important. In this study, a smart platform demonstration complex that implements hybrid heat supply of district heating with renewable energy was built, and a system capable of bi-directional energy trade between prosumers and consumers connected through an energy network was developed. A renewable energy facility in the demonstration complex will be built, and the facility will replace some of the heat supply from district heating. In addition, a monitoring system platform for the demonstration facilities was designed as the basis. The smart platform enables funcitions such as data analysis, reports, and demand forecasting, and based on this, virtual data is used into the platform to implement heat trade between prosumers.