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다결정실리콘의 경사식각에 관한 연구 - 제 1 부 : 실험적 고찰
이정규,서동량,변재동,Lee, Jung-Kyu,Suh, Dong-Ryang,Byun, Jae-Dong 대한전자공학회 1989 전자공학회논문지 Vol. No.
다결정 실리콘에 인을 이온주입하고 $CF_4$와 $O_2$의 혼합가스 또는 $SF_6$ 가스를 사용하는 프라즈마 식각 방법에 의해 다결정 실리콘의 경사식각을 수행하였다. 또한 식각면의 경사를 제어하기 위하여 위 두가지 프라즈마를 이용한 2-단계식각 방법이 시도되었다. 식각된 경사 각도는 이온주입에 의해 격자 구조가 파괴된 표면층과 이온주입의 영향을 받지 않은 하지층과의 식각속도 비에 의해 결정되며 그 식각속도 비는 이온주입량, 이온주입 에너지, 식각조건 등에 영향을 받는다. 본 실험에서 얻은 가장 작은 경사각도는 약$10^{\circ}$였으며, 2-단계식각 방법을 이용하여 경사각도를 약 $10^{\circ}$와 $55^{\circ}$ 사이에서 제어할 수 있었다. Tapered etching of polysilicon films has been achieved by implanting phosphorus ions into the polysilicon film and using plasma etch in either $CF_4-O_2\;or\;SF_6$. A two-step plasma etching method is also proposed to control the taper angle of the etched edge without changing the implantion conditions. The taper angle is determined by the ratio of the etch rate of the undamaged region to that of the damaged top region of the polysilicon layer. The ratio is found to be dependent on the implantion dose, the implantion energy and the anisotropy of etching. The minimum angle in our experiments is about $10^{\circ}$. When the two-step etching method is employed, the taper angles can be controlled from the minimum angle up to about $55^{\circ}$.
고분해능 투과전자현미경을 이용한 $A^{2+}$(Mg$_{1/3}$Nb$_{2/3}$)O$_3$,(A$^{2+}$=Sr$^{2+}$ and $Ca^{2+}$) 세라믹스의 구조연구
류현,남산,변재동,이확주,박현민,Ryu, Hyun,Nahm, Sahn,Byun, Jae-Dong,Lee, Hwack-Joo,Park, Hyun-Min 한국세라믹학회 1999 한국세라믹학회지 Vol.36 No.7
The crystal structure of A2+(Mg1/3Nb2/3)O3,(A2+=Sr2+ and Ca2+)ceramics was studied usig X-ray diffraction (XRD) and high resolution transmission electrion microscopy(HRTEM). Ba(Mg1/3Nb2/3)O3 (SMN) has the 1:2 ordered monoclinic structure which has the anti-phase tilt of octahedra. The type of tilting in SMN was considered to be a$^{\circ}$a$^{\circ}$c- or aac$^{\circ}$ Ca(Mg1/3Nb2/3)O3 (CMN) also has the 1:2 ordered monoclinic structure which was distorted by the anti-phase tilt or in-phsae tilt of octahedra. A unit cell containing both the in-phase tilt axis and anti-phase tilt axis was not observed in the CMN. Therefore CMN has the mixed phase consisting of the 1:2 ordered monoclinic phase with anti-phase tilt of octahedra and the one with in -phase tilt of ocatahedra,. The anti-parallel shift of cation was also observed in the CMN.
InBO<sub>3</sub>:Tb 형광체의 발광 특성
이제혁,이태희,서광석,류선윤,변재동,Lee Je-Hyuk,Lee Tae-Hee,Suh Kwang-S.,Ryu Sun-Yoon,Byun Jae-Dong 한국전기전자재료학회 2006 전기전자재료학회논문지 Vol.19 No.8
Emission characteristics of terbium-activated $InBO_3$ under cathode-ray(c.r.) and vacuum ultra violet(v.u.v.) irradiation have been investigated as a functions of norminal compositions and firing conditions. From the x-ray analysis, it was found that some of the synthesized samples contained excess $In_2O_3$ and the amount of the excess $In_2O_3$ varied with the norminal composition and heat treatment conditions. The samples with remanent excess $In_2O_3$ showed lower luminescence intensities than the ones free of excess $In_2O_3$. The phosphors of norminal composition of $InBO_3+10mol%B_2O_3:2mol%Tb$ synthesized at $1250^{\circ}C$ showed excellent CL and PL properties.
SrTiO$_3$:Pr$^{3+}$,Ga$^{3+}$ Phosphor의 발광특성에 관한 연구
이미애,남산,김명호,서경수,변재동,Lee, Mi-Ae,Nahm, Sahn,Kim, Myong-Ho,Suh, Kyung-Soo,Byun, Jae-Dong 한국세라믹학회 1998 한국세라믹학회지 Vol.35 No.7
The effect of {{{{ {Ga }^{3+ } }} addition on the photoluminescence and cathodoluminescence of {{{{ {SrTiO}_{3 } }}:{{{{ { Pr}^{3+ } }} was stu-died by performing the excitation emission and decay time measurements. Addition of {{{{ {Ga }^{3+ } }} in {{{{ {SrTiO}_{3 } }}:{{{{ { Pr}^{3+ } }} resulted in a considerable enhancement of {{{{ { Pr}^{3+ } }} emission intensity. From the analysis of the experimental results the following mechanism is proposed. Excitation in the {{{{ {SrTiO}_{3 } }} host lattice leads to the formation of electrons in the conduction band and holes in the valence band. The electrons in the conduction band re-combine radiatively with the holes trapped at {{{{ { Ga}^{3+ } }} and the energy is transferred to {{{{ { Pr}^{3+ } }} ion which give its own characteristic red emission.
SrWO$_4$가 첨가된 (Sr$_{1-x}$Bax)(Mg$_{1/3}$Nb$_{2/3}$)O$_3$의 마이크로파 유전특성
허훈,박찬식,김경용,변재동,Heo, Hoon,Park, Chan-Sik,Kim, Kyoung-Young,Byun, Jae-Dong 한국세라믹학회 1999 한국세라믹학회지 Vol.36 No.3
SrWO4가 첨가된 (Sr1-xBax)(Mg1/3Nb2/3)O3의 마이크로파 유전특성에 관하여 조사하였다. 관찰된 조성영역에서 Sr(Mg1/3Nb2/3)O3과 Ba(Mg1/3Nb2/3)O3은 (Sr1-xBax)(Mg1/3Nb2/3)O3고용체를 형성하고 SrWO4의 첨가는 고용체의 소결성을 향상시켜 소결온도 155$0^{\circ}C$에서 상대밀도 97% 이상을 얻었다. 소결한 시편의 EDS분석결과, SrWO4의 첨가량이 많은 시편에서 2차상이 존재하는 것을 알수 있었다. 순수한 Sr(Mg1/3Nb2/3)O3에 SrWO4를 0.01 mole첨가하여 1550~1$600^{\circ}C$에서 소결한 시편의 유전특성은 $\varepsilon$r 30, Q$\times$fo$\geq$55000,$ au$f -23 ppm/$^{\circ}C$이었다. 0.01 mole SrWO4가 첨가된 (Sr1-xBax)(Mg1/3Nb2/3)O3 고용체의 유전율과 온도계숙가 x에 따라 점차적으로 계속 증가하였고 Q$\times$fo는 x$\leq$0.25에서 x에 따라 감소하고 x$\geq$0.3에서 다시 증가하였다. (Sr0.65Ba0.35)(Mg1/3Nb2/3)O3+0.01SrWO4의 조성을 갖는 시편에서 $\varepsilon$r 34.4, Q$\times$fo$\geq$55000,$\tau$f 0 ppm/$^{\circ}C$이었다.
$La(Mg_{1/2}Ti_{1/2})O_3$ 세라믹스의 구조 및 고주파 유전 특성 연구
여재현,백종후,남산,이확주,박현민,변재동,Yeo, Jae-Hyun,Baek, Jong-Hu,Nham, Sahn,Lee, Hwack-Joo,Park, Hyun-Min,Byun, Jae-Dong 한국재료학회 1999 한국재료학회지 Vol.9 No.9
$La(Mg_{1/2}Ti_{1/2})O_3$ 세라믹스의 구조 및 고주파 유전특성에 관한 연구를 하였다. $La(Mg_{1/2}Ti_{1/2})O_3$ 는 B site 양이온이 1:1 규칙화된 단사정 구조를 가지고 있었고 격자상수는 $a = 5.5467(3) {\AA}, b = 5.5616(3) {\AA}, c = 7.8426(5) {\AA} 그리고 \beta = 89.9589 (2)^{\circ}$ 로 밝혀졌고. $P2_1/n$의 공간군을 가지고 있었다. $La(Mg_{1/2}Ti_{1/2})O_3$ 내부에는 산소팔면체의 동상 및 역상 기울림이 존재하고 $a^_a^_c^_$ 기울림 구조를 가지고 있음을 알수 있었다. 또한 A site 양이온의 역 평행이동도 발견되었다. $1600^{\circ}C$ 이상에서 소결된 시료는 모두 95% 이상의 상대이론 밀도를 가지고 있었고 유전상수는 대략 28 정도였다. $1630^{\circ}C$ 에서 5시간 소결된 시료에서 최고높은 $Q\timesf_0$값, 63,000을 얻었다. LMT의 공진주파수 온도 계수는 $>-77 ppm/^{\circ}C ~ -79 ppm/^{\circ}C$였다. The crystal structure and the microwave dielectric properties of $La(Mg_{1/2}Ti_{1/2})O_3$ ceramics have been investigated. $La(Mg_{1/2}Ti_{1/2})O_3$ has the 1:1 ordered monoclinic structure with the lattice parameters of $a = 5.5467(3){\AA}, b = 5.5616(3){\AA}, c = 7.8426(5) {\AA} and \beta = 89.9589 (2)^{\circ}$ The spacegroup of LMT is $P2_1/n$. Monoclinic LMT has the inphase and anti-phase tilting of octahedra with the $a^_a^_c^_$ tilting system. Anti-parallel shift of A-site cations was also found in LMT. The relative density of the specimens sintered above $1600^{\circ}C$ was ranged between 95 % and 96 % of the theoretical density and the dielectric constant of specimens was about 28. The highest $Q\timesf$ achieved in this investigation was 63,100 for the specimen sintered at $1630^{\circ}C$ for 5 hr. Temperature coefficient of resonance frequency ranged from $>-74 ppm/^{\circ}C ~ -79 ppm/^{\circ}C$.