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Study on solution-processable yellow host materials for OLED lighting
백용구,남현국,장승희,박상미,윤재홍,이대희,류염나 한국공업화학회 2014 한국공업화학회 연구논문 초록집 Vol.2014 No.1
We developed highly efficient solution processable four yellow host materials (YH52, YH54, YH56, and YH65) for OLED Lighting. For developed four yellow hosts, we characterized physical properties of HOMO, LUMO, energy gap, m.p., and Tg, respectively. The Tg values of YH54, YH56, and YH65 were more than 145°C. The device performances of the organic light-emitting diodes(OLEDs) with four yellow host materials (YH52, YH54, YH56, and YH65) as a yellow host layer were investigated. Lifetime of yellow devices were estimated at an initial luminance of 1,000cd/㎡.
열처리 조건이 실리콘 기판위의 $Ta_2O_5$ 박막에 미치는 영향
박성욱,백용구 대한전자공학회 1992 전자공학회지 Vol.19 No.5
Ta₂O/Si 계면에서 SiO₂층이 dry O₂ 및 N₂분위기에서 열처리에 의해 형성되며 열처리 온도가 증가할수록 이층의 두께가 증가한다. Dry O₂ 및 N₂에서 열처리 할 때 얇은 Ta₂O 박막(40nm 이하)의 누설전류는 열처리 온도가 증가함에 따라 감소한다. 유전상수 vs 열처리 온도 관계에서 750℃또는 800℃에서 Ta₂O 박막의 결정화에 따른 최대값을 보여주며, 이러한 결정화에 의한 유전상수 증가 효과는 두꺼운 Ta₂O 박막에서 현저히 나타난다. 그러나 고온에서 열처리하면 계면에서 SiO₂층의 형성과 성장 때문에 유전상수는 감소한다. Al/Ta₂O/Si MIS capacitor의 stress에 따른 flat band voltage와 gate voltage instability는 열처리에 의해서 형성된 계면 SiO₂성장으로 설명할 수 있다. 열처리 조건의 함수로서 Ta₂O박막의 전기적 특성은 Ta₂O박막형성 방법에 관계없이 Ta₂O 박막 두께에 강하게 의존한다.
이봉섭,고신위,박종억,백용구,양재웅,백경갑,주성후,Lee, Bong-Sub,Gao, Xin-Wei,Park, Jong-Yek,Baek, Yong-Gu,Yang, Jae-Woong,Paek, Kyeong-Kap,Ju, Sung-Hoo 한국전기전자재료학회 2008 전기전자재료학회논문지 Vol.21 No.6
In this paper, the hole injection layer(HIL) materials have been synthesized and analyzed. Their HOMO levels are $4.93{\sim}5.22\;eV$, and their energy band gaps are $2.74{\sim}3.19\;eV$. Their glass transition temperatures($T_g$) are all above $114^{\circ}C$, which implies that they are highly thermal-stable. The green OLED devices with a structure of ITO(150 nm)/NEW_HIL(50 nm)/NPB(30 nm)/$Alq_3$(50 nm)/Al:Li(100 nm) were fabricated and tested, incorporating these newly synthesized HIL materials. According to the test results of OLED devices, the I-V-L performances of these devices increase in the following sequence: ELM307 > ELM200 > ELM321 > ELM327 > ELM325. In addition, the OLED device with ELM307 as a HIL has the highest brightness and efficiency at the same driving voltage. These experimental results have shown that ELM307 can be used as one of the most promising candidates for HIL materials.