TDMAT와 TDMAT/$NH_3$ 로 형성한 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) Titanium Nitride 박막의 특성

백수현,김장수,박상욱,원석준,장영학,오재응,이현덕,이상인,최진석,Baek, Su-Hyeon,Kim, Jang-Su,Park, Sang-Uk,Won, Seok-Jun,Jang, Yeong-Hak,O, Jae-Eung,Lee, Hyeon-Deok,Lee, Sang-In,Choe, Jin-Seok 한국재료학회 1995 한국재료학회지 Vol.5 No.7

MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Dposition) TiN 박막을 다양한 온도와 압력에서 tetrakis-dimethyl-amino-titanium(TDMAT (Ti[N($CH_3$)$_2$]$_4$))의 자체 열분해와 NH$_3$와의 반응을 사용하여 형성하였다. 비저항은 박막내의 불순물 함량에 의존하였는데 특히 XPS curve fitting 결과 주요 불순물인 탄소와 산소 같은 불순물들이 박막내에서 다양한 침입형화합물을 만들어 박막의 물리적, 전기적 특성에 영향을 준다는 것을 알았다. Metal-organic source만을 사용하여 TiN을 형성할 경우 지름이 0.5$\mu\textrm{m}$이고 aspect ratio가 3:1인 구멍에서 step coverage가 매우 우수하였으나 NH$_3$를 흘림에 따라 step coverage가 감소하는 것이 SEM으로 확인되었는데 이는 각각의 활성화에너지와 관련된 것으로 보인다. Thin films of titanium nitride are formed using the tetrakis-dimethyl-amino-titanium (TDMAT(Ti[N($CH_3$)$_2$]$_4$)) under various conditions. The formation of TiN films has been obtained from the thermal decomposition of the Ti-precursor and the gas phase reaction between TDMAT and ammonia(NH$_3$). The resistivity of the MOCVD film can be attributed to their impurity. Especially the curve fitting graph of XPS data is revealed that main impurities in the films as carbon and oxygen make various interstitial compounds which has influenced physical and electrical properties of the film. In the contact hole with the aspect ratio of 3:1 and the diameter of 0.5${\mu}{\textrm}{m}$, the SEM morphology shows that the step coverage is more decreased in the films formed y flowing ammonia additionally than the films formed by pyrolysis of TDMAT and the phenomenon is probably related with the activation energy.

PZT박막 Capacitor에 관한 기초연구(I)

황유상,백수현,하용해,최진석,조현춘,마재평,Hwang, Yu-Sang,Baek, Su-Hyeon,Ha, Yong-Hae,Choe, Jin-Seok,Jo, Hyeon-Chun,Ma, Jae-Pyeong 한국재료학회 1993 한국재료학회지 Vol.3 No.1

Abstract The PZT thin film was deposited by usin. RF magnetron sputtering with PZT(52/48) target. The formation of perovskite structure PZT thin film started at 55$0^{\circ}C$ on Si substrate. The AES results showed an oxide layer formed at the between Si and PZT film during the annealing. And, Ti$O_2$ layer appeared at the between TiN and PZT film for the annealing. But, the perovskite phase PZT film was formed after the annealing on the Si$O_2$/Si substarte. The ratio in PZT film was constant across the asdeposited PZT film, but, Pb have diffused into the Si substrate and Si have out-diffused into PZT layer during the post annealing at 75$0^{\circ}C$. The dielectric constants of PZT film indicated about 1300( thickness: 1500$\AA$, at 10KHz) but, the cracks were appeared to surface for annealing. RF magnetrom sputtering으로 52/48 PZT target을 사용하여 PZT thin film을 증착시킨후, furnace annealing을 실시하여 Si 기판에서는 55$0^{\circ}C$에서부터 안정상인 peroskite구조가 형성되었다. Si기판위에서는 후속열처리시 계면에 상당한 산화막층이 형성되었으며 TiN 기판위에서는 후속열처리시 TiN층은 사라지고 Ti$O_2$층이 형성되었다. Si$O_2$기판에서는 후속열처리후에도 안정한 PZT film을 형성시킬 수 있었다. As-depo.시에는 PZT film의 조성비가 균일하게 유지되었으나 75$0^{\circ}C$후속열 처리시에는 상당량의 Pb가 Si기판으로 diffusion하였으며 Si도 out-diffusion하였다. 전기적 특성은 10KHz에서 C-V를 측정결과 약 1300정도의유전상수 값이 나왔으나 후속열처리시 표면에 crack이 발생하였다.

Pt/Ti/Si 기판위에 형성시킨 PZT박막의 특성

황유상,백수현,백상훈,박치선,마재평,최진석,정재경,김영남,조현춘,Hwang, Yu-Sang,Baek, Su-Hyeon,Baek, Sang-Hun,Park, Chi-Seon,Ma, Jae-Pyeong,Choe, Jin-Seok,Jeong, Jae-Gyeong,Kim, Yeong-Nam,Jo, Hyeon-Chun 한국재료학회 1994 한국재료학회지 Vol.4 No.2

$(PbZr_{52},Ti_{48})O_{3}$인 composite ceramic target을 사용하여 R. F. 마그네트론 스퍼터링 방법으로 기판온도 $300^{\circ}C$에서 Pt/Ti/Si 기판위에 PZT 박막을 증착하였다. 페롭스 카이트 PZT박막을 얻기 위하여 PbO분위기에서 로열처리를 행하였다. 하부전극으로 Pt를 사용하였으며 Pt(205$\AA$)/Ti(500 $\AA$)/Si 및 Pt(1000$\AA$)/Ti(500$\AA$)/Si기판을 준비하여 Pt두께화 Ti층이 산소의sink로 작용함으로서 이를 가속화하였다. Ti층의 상부는 산소의 확산으로 인하여 TiOx층으로 변태하였고 하부는 in diffused Pt와 함께 실리사이드층을 형성하였다. TiOx 층의 형성은PZT층의 방향성에 영향을 주었다. 유전상수 (10kHz), 누설전류, 파괴전압, 잔류분극 및 항전계는 각각 571, 32,65$\mu A /\textrm{cm}^2$, 0.40MV/cm, 3.3$\mu C /\textrm{cm}^2$, 0.15MV/cm이었다. On PT/Ti/Si substrates, PZT thln fllms are deposited at $300^{\circ}C$ by rf magnetron sputtering uslng a $(PbZr_{52}, Ti_{48})O_{3}$ composltc cerarnlc target. To abtaln, the stable phase, perovskltc structure, furnace annealmg techmque had been cmplo:~d In PbO amb~ent for the $550^{\circ}C$-$750^{\circ}C$ temperature ranges. On Pt(250$\AA$)/Ti(500$\AA$)/Si, Pt(1000)$\AA$/Ti(500$\AA$)/Si substrates, effects of Ti layer and Pt thickness are studled. Though thickness of the Pt layer 1s 1000$\AA$). oxygen diffusion is not prevented and accelerated by Ti layer actlng for oxygen sink sites durmg furnace annealing. The upper TI layer 1s transformed Into TIOX by oxyen dlffuslon and lower Ti layer Into silicide with in-diffused Pt. The formation of TiOx layer seems to affect the orlentatton of the PZT layer. Furnace annealed f~lm shows ferroelectr~c and electrical properties wth a remanent polarlzation of 3.3$\mu A /\textrm{cm}^2$, , coerclve fleld of 0.15MV/cm, a=571 (10kHz), leakage current 32.65$\mu A /\textrm{cm}^2$, , breakdown voltage of 0.4OMV/cm.

학교급식 영양(교)사와 조리종사원의 직무스트레스, 직무소진, 이직의도 간의 구조적 관계

김현철(Hyeon Cheol Kim),백수현(Su Hyun Baek) 한국조리학회 2011 한국조리학회지 Vol.17 No.2

This research was conducted to analyze structural relationships comparatively between job stress, job burnout and turnover intention that school dietitians, school nutrition teachers and school foodservice employees have. The target group is school dietitians and nutrition teachers who work in 180 elementary, middle and high schools and foodservice employees in 50 schools. The survey is limited to the schools which operate school meals directly or indirectly in Seoul and Gyeonggi province. As a result, job demand and lack of rewards were found the most significant factors in the dimensions of job stress. The quantitative expansion of school meals is important; however, it is necessary to reduce stress in the work environment for dietitians, nutrition teachers and employees in school foodservices to perform their duties with dignity and satisfaction.

단결정 실리콘 기판에 이온주입된 불순물이 $TaSi_2$형성에 미치는 영향

조현춘,최진석,고철기,백수현,Jo, Hyun-Chun,Choe, Jin-Seok,Go, Chul-Gi,Baek, Su-Hyeon 한국재료학회 1991 한국재료학회지 Vol.1 No.1

불순물이 주입된 실리콘 기판에 500 두께의 탄탈륨 박막을 증착한 후 실리사이드를 형성시키기 위해 아르곤 분위기에서 급속열처리(RTA)률 하였다. 형성된 $TaSi_2$와 불순물의 거동은 XRD, SEM, 4-point probe, HP4145와 SIMS로 조사하였다. 불순물의 종류에 관계없이 $TaSi_2$는 RTA 온도가 $800^{\circ}C$일때 형성되기 시작하였으며 $1000^{\circ}C$이상에서 증착된 Ta가 전부 $TaSi_2$로 상 전이가 일어났다. 또한 $TaSi_2/P^+$영역에 대한 접촉저항간은 contact size가 $0.9{\times}0.9({\mu}{m^2}$)일때 $22{\Omega}$ 낮은값을 가졌으며 이온 주입된 불순물은 RTA처리시 형성된 $TaSi_2$층으로 out-diffusion이 일어났다. Tantalum thin films were deposited by DC sputtering on heavily doped single Si substrates. These substrates were treated by means of a rapid thermal annealing (RTA) under Ar atmosphere for various temperatures($600-1100^{\circ}C$). The silicide formation and the impurities behavior in the substrate are studied by means of XRD, SEM, four-point probe, HP4145, and SIMS. The formation of $TaSi_2$ started at $800^{\circ}C$ for all kinds of impurities and the entire Tantalum thin metal films were transformed into $TaSi_2$ above $1000^{\circ}C$ Also the contact resistance for $TaSi_2/P^+$ region had a low value; $22{\Omega}$, at contact site of $0.9{\times}0.9(\mu\textrm{m^2}$), and implanted impurities were diffused out into the $TaSi_2$ for rapid thermal annealing.

한국기계연구원에서 추진하고 있는 '자기부상열차' 연구현황

강흥식,신병천,박도영,백수현,방제성,김병현,Gang, Heung-Sik,Sin, Byeong-Cheon,Park, Do-Yeong,Baek, Su-Hyeon,Bang, Je-Seong,Kim, Byeong-Hyeon 대한전기협회 2008 전기저널 Vol.- No.379

Composite target으로 증착된 Ti-silicide의 형성에 관한 연구(I)

최진석,강성건,황유상,백수현,김영남,정재경,문환구,심태언,이종길,Choe, Jin-Seok,Gang, Seong-Geon,Hwang, Yu-Sang,Baek, Su-Hyeon,Kim, Yeong-Nam,Jeong, Jae-Gyeong,Mun, Hwan-Gu,Sim, Tae-Eon,Lee, Jong-Gil 한국재료학회 1991 한국재료학회지 Vol.1 No.3

Ti-Silicides를 single-Si wafer와 그 위에 oxide를 성장시킨 기판위에 composite target($TiSi_{2.6}$)을 sputtering함으로써 증착시켰다. 증착된 비정질 상태의 Ti-silicide는 급속 열처리(RTA)방법으로 $600^{\circ}C$에서 $850^{\circ}C$가지 20초간 처리하였다. RTA온도가 $800^{\circ}C$가 되어서야 비로소 안정한 $TiSi_2$가 형성되었으며, 그 때의 비저항 값은 $27~29{\mu}\Omega-cm$로 Ti-metal reactive방법에 의한 $TiSi_2$보다 약간 높은 값으로 드러났다. X-ray로 상천이를 조사한 결과 역시 $750^{\circ}C$가지 C49 $TiSi_2$가 형성되고, $800^{\circ}C$가 되어서야 안정한 C54 $TiSi_2$로의 상천이가 일어남을 나타내고 있다. 또한 완전히 형성된 Ti-silicide의 조성비는 x-ray photoelectron spectroscopy(XPS)결과에서 Ti : Si이 1 : 2로 드러났으며, 그 동안 reactive 시켰을 때 $TiSi_2$의 단점으로 지적되어 왔던 형성 완료된 $TiSi_2$의 surface roughness는 $17{\pm}1mm$이내로 매우 우수한 값으로 판명되어, device에 대한 응용 가능성을 높이고 있다. Ti-silicide was deposited by sputtering the composite target($TiSi_{2.6}$) on single-Si wafers and oxide on them. The heat treatment temperatures by rapid thermal annealing(RTA) have been varied in the range of $600-850^{\circ}C$ for 20seconds. It was not until RTA temperature was $800^{\circ}C$ that a stable $TiSi_2$ was formed, and the value of resistivity of that phase was $27~29{\mu}{\Omega}-cm$, which seems a little higher than that formed by the reactive method. The result of x-ray diffraction peals showed that till $750^{\circ}C$, C49 $TiSi_2$ phase was dominant, but at $800^{\circ}C$, at last, the phase was transformed into a stable C54 $TiSi_2$ phase. And, the result of x-ray photoeletron spectroscopy(XPS) measurements showed that the composition ratio of Ti and Si was 2 1 in the case of specimens treated at $800^{\circ}C$, The surface roughness of $TiSi_2$, which was condidered a weak point, was improved to a superior value of $17{\pm}1nm$, therefore increasing the possibility of applying $TiSi_2$ to semiconductor devices.

사다리꼴 요소를 이용한 3차원 등가자기회로망 해석시 요소 분할의 영향에 관한 연구

장기봉(Ki-Bong Jang),진창성(Chang-Sung Jin),이주(Ju Lee),백수현(Su-Hyeon Baek),김와성(Wa-Sung Kim) 대한전기학회 2002 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2002 No.11

컬러 유니버설디자인 관점에서 공동주택 지하주차장 안전사인 배색 연구

정성윤(Jeong Seong Yun),유재준(Yoo Jae jun),신혜연(Shin Hye Yeon),백수현(Baek Su Hyeon) 한국색채학회 2021 한국색채학회 학술대회 Vol.2021 No.5

본 연구는 수도권 공동주택 아파트 지하주차장 안전사인에 사용된 배색 현황 조사를 통해 색 약자 시각에서 구분하기 어려운 배색유형을 파악하여, 모두가 인지 가능한 컬러 유니버설 디자인 배색을 제안하는 데 그 목적이 있다. 본 연구를 위해 국내 도급순위 상위 8개 건설사 주차장 컬러 매뉴얼과 이것이 적용된 최근 3년, 서울-수도권에 준공한 현장 조사를 하였다. 조사 결과 안전사인은 위급한 상황에 시각적으로 빠르게 인지할 수 있도록 고채도 빨강색이 주를 이루었으며, 배경색은 다채로운 유색 컬러로 나타났는데, 특히 중명도(명도 5) 이하의 배경색과의 조화는 색 약자 시각에서 가장 인지하기 어려움에도 불구하고 가장 많은 비중으로 사용되었다. 이에 본 연구에서는, 안전 사인 주변으로 흰색 테두리를 두르거나, 명도 차가 큰 노랑계열 사인 사용 등 컬러 유니버설디자인 관점에서의 배색을 제안한다. 이로써 다양한 사용자들이 지하주차장 안전 사인을 인지하는데 어려움을 해소하고 편리함을 도모하기 위한 시사점을 제공하고자 한다.