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민병규,윤형섭,이종민,김성일,김해천,최일환,장경욱 한국물리학회 2011 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.59 No.21
In this paper, InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) devices were fabricated with various distances between the electrodes and the collector mesa, various widths of the emitter electrode and various thicknesses of the nitride passivation film. Cutoff frequencies and maximum oscillation frequencies of the devices were above 40 GHz and above 62 GHz, respectively. These values are considered sufficient for applications to power amplifiers at frequencies up to 5.5 GHz. On the other hand, the devices designed to obtain reproducibility through fabrication process showed a slight degradation in the frequency characteristics but a substantial enhancement of uniformity at the emitter-collector breakdown voltage (BVceo).
민병규,김성일,이종민,윤형섭,김해천,안호균,조규준,강동민,이상흥,주철원,임종원,전병철,정연국 한국물리학회 2015 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.67 No.4
SiC substrates and GaN/AlGaN epitaxial layers were etched by using an inductively-coupled plasma (ICP) in order to electrically connect the backside metal to the source electrode pads on the front-side of an AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor (HEMT) device. The shape of an etched via hole was a tapered cylinder with a larger diameter at the entrance. The surfaces on the bottom and a wall of the via hole were very smooth in comparison with the results on the most recently published papers. Through optimization of the etching conditions, the etch-stops on the GaN epi-layer and on the source pad were successfully completed. The electrical properties of the device with the backside via holes were not critically different from those of the device without the backside via holes. In this paper, the fabrication process and the electrical properties of AlGaN/GaN HEMTs on SiC substrates with taper-shaped backside via holes are reported for the first time.
Current Gain Improvement of InGaP/GaAs HBT by a Newly Developed Emitter Ledge Process
민병규,주철원,Jong-Min Lee,Kyung-Ho Lee,김성일 한국물리학회 2003 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.42 No.III
We fabricated InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) with and without emitter ledges. The InGaP emitter layer on the area of a base electrode was dry-etched by an inductively coupled plasma (ICP) method before the deposition of the base metal. We were able to make the width of InGaP emitter ledge almost the same as the spacing between an emitter mesa and a base electrode by this technique. The InGaP/GaAs HBT with the emitter size of 2 $\times$ 20 $\mu$m$^2$ showed an increase of DC gain. The current gain of HBT with the emitter ledge is 213, which is 250 \% larger than that without the emitter ledge. The cut-off frequency and the maximum oscillation frequency are nearly identical for HBTs with and without emitter ledges.
동중국해 표층 해수 중 미세플라스틱 분포특성에 관한 연구
민병규,주미조,고운이,대금향,조천래,조현서 해양환경안전학회 2021 해양환경안전학회 학술발표대회 논문집 Vol.2021 No.06
국내 및 국외에서 인간에 영향을 줄 수 있는 미세플라스틱에 대한 다양한 연구가 진행되고 있으며, 특히 가장 기초자료로 제공 될 수 있는 해양환경 중 미세플라스틱의 분포에 대해 연구가 많이 진행되고 있다. 국내에서도 해양환경의 분포 특성에 대한 연구가 진행 되었으나, 연안에 대한 연구만 국한 되어 연구가 진행되고 있다. 따라서 본 연구에서는 쿠로시 오해류 및 중국의 양쯔강 유입수의 영향이 다분할 것으로 판단되는 제주도 남서측 동중국 개방 해역에서 2020년 8월에 23 개 정점을 선정하여 표층해수 중에 환경자료인 수온 및 염분과 미세플라스틱의 풍도(abundance), 성상(재질), 형태, 크기를 분석하여 표층 해수에서 존재하는 미세플라스틱의 분포특성을 밝혀 해양환경 중 미세플라스틱의 기초자료를 제공하고자 하였다. 연구 지역에서 미세플라스틱의 풍도(abundance)는 0.17~1.37 (평균 0.46) particles/L를 나타내었으며, 성상(재질), 형태, 크기에서 PP 재질과 PE 재질이 작은 크기의 0.02~0.3 mm 분류군에서 조각(fragment) 형태로 우세하고, 이들 재질 다음으로 Alkyd 재질과 polyester 재질이 1.0~5.0 mm 분류군에서 섬유(Fiber) 형태로 우세하였다. 환경자료인 수온 및 염분을 이용하여 미세플라스틱의 분포 특성을 살펴보았는데, 여름철 강하게 발생하는 황해연안해류와 한국연안해류로 저 수온 및 저 염분이 유입되고, 여름철 강하게 발생하는 대만 난류와 쓰시마 난류의 영향으로 고 수온 및 고 염분이 유입되어 복합적으로 발생하는 지역으로 수온과 PE 재질, 0.02~0.3 mm 크기 분류군, 조각(Fragment) 형태에서 음의 상관성(PE : p <0.01, 0.02~0.03 mm : p <0.05, 조각(Fragment) : p <0.05)을 보여 0.02~0.3 mm의 조각(fragment) 형태인 PE 재질이 황해연안해류와 한국연안해류를 통해 유입될 가능성이 높은 것으로 판단되며, 염분과 PP, Polyester 재질에서 양의 상관성(PP : p <0.05, Polyester : p <0.05)을 보여 1.0~5.0 mm의 섬유(Fiber) 형태인 Polyester 재질이 대만난류 및 쓰시마 난류를 통해 유입될 가능성이 높은 것으로 판단 된다.