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펄스 전착법을 이용한 전기분해용 망간 산화물 전극의 제조 및 특성
양정진,이미영,김정식,신현수,박수길,Yang, Jeong-Jin,Lee, Mi-Young,Kim, Jeong-Sik,Shin, Hyun-Soo,Park, Soo-Gil 한국전기화학회 2010 한국전기화학회지 Vol.13 No.2
망간 산화물이 전착된 전기분해용 전극의 전기화학적 특성을 조사하기 위해 펄스 전위차 방법을 이용하여 티타늄 망 표면에 망간 산화물을 전착하였다. 전착된 망간 산화물을 확인하기 위해 EDX 분석과 SEM 분석을 실시하였다. 또한 제조된 전극의 EIS 측정을 실시하여 전기화학적 특성을 관찰하였다. 티타늄 망에 펄스 1cycle의 인가 시간이 증가함에 따라 티타늄 망 표면에 형성되는 망간 입자 크기는 증가 하였으며, 10 ms의 펄스 인가 시간에서 응집이 발생하여 약 100 nm 크기의 망간 산화물 불균일 상이 형성되는 것을 SEM으로 관찰하였다. 다양한 조건으로 제조한 전극들은 EIS 측정을 통해 과전위 부근에서 나타나는 전자이동저항($R_{ct}$, Charge transfer resistance)을 평가하였고, Tafel plot을 이용하여 제조된 전극이 갖는 과전위를 계산하여 전기분해용 전극으로서의 가능성을 모색하였다. In order to investigate the electrochemical propertied of titanium electrode for electrolysis, manganese oxide was electrodeposited on surface of mesh titanium by pulse voltammetry. The morphological changes and impedance results of manganese oxide electrodeposited electrode were analyzed by SEM and EDX. The size of electrodeposited manganese oxide on mesh titanium was increased with first cycle pulse time increase, and approximately 100 non-uniform manganese oxide was grown at 10 ms pulse polarization time. Charge transfer resistance($R_{ct}$) of near the overpotential was analyzed by EIS measurement and the feasibility of prepared electrode was evaluated by the overpotential calculated from Tafel plots.
TPM의 성공적 추진을 위한 국가직무 능력표준 적용에 관한 연구
함효준 ( Hyo Joon Hahm ),김정식 ( Jung Sik Kim ),이영상 ( Young Sang Lee ),신헌수 ( Heon Soo Shin ),강영식 ( Young Sig Kang ) 대한설비관리학회 2016 대한설비관리학회지 Vol.21 No.1
This paper is trying to apply TPM (total productive maintenance) to national competency standards for its useful implementation for the plants and manufacturing sector in Korea. TPM has been widely and effectively being utilized by various sectors such as electrical and electronic industries, car industry, machine and chemical industry, etc. as well. At the same time, some of case studies show that this was refused by machine shops, or by top managers. It has been known that top manager sometimes confuses the definition and framework of TPM and technical personnels of the middle management group lack the maintenance technology required as well as the vision of their future job. As such, this paper proposes NCS of TPM. It usually includes from 6 to 10 pillars among which 9 pillars are selected as competency units in this paper. Each competency unit has its job description and several elements. This paper also suggests that more developed and advanced job description including competency unit, its elements, performance criteria and ranges of variables will be required. Future researches also should provide knowledge, skills and attitude for more efficient practice of TPM.
공정가스와 RF 주파수에 따른 웨이퍼 표면 텍스쳐 처리 공정에서 저반사율에 관한 연구
윤명수,현덕환,진법종,최종용,김정식,강형동,이준신,권기청,Yun, Myoung-Soo,Hyun, Deoc-Hwan,Jin, Beop-Jong,Choi, Jong-Young,Kim, Joung-Sik,Kang, Hyoung-Dong,Yi, Jun-Sin,Kwon, Gi-Chung 한국진공학회 2010 Applied Science and Convergence Technology Vol.19 No.2
Conventional surface texturing in crystalline silicon solar cell have been use wet texturing by Alkali or Acid solution. But conventional wet texturing has the serious issue of wafer breakage by large consumption of wafer in wet solution and can not obtain the reflectance below 10% in multi crystalline silicon. Therefore it is focusing on RIE texturing, one method of dry etching. We developed large scale plasma RIE (Reactive Ion Etching) equipment which can accommodate 144 wafers (125 mm) in tray in order to provide surface texturing on the silicon wafer surface. Reflectance was controllable from 3% to 20% in crystalline silicon depending on the texture shape and height. We have achieved excellent reflectance below 4% on the weighted average (300~1,100 nm) in multi crystalline silicon using plasma texturing with gas mixture ratio such as $SF_6$, $Cl_2$, and $O_2$. The texture shape and height on the silicon wafer surface have an effect on gas chemistry, etching time, RF frequency, and so on. Excellent conversion efficiency of 16.1% is obtained in multi crystalline silicon by RIE process. In order to know the influence of RF frequency with 2 MHz and 13.56 MHz, texturing shape and conversion efficiency are compared and discussed mutually using RIE technology. 일반적으로 결정질 실리콘 태양전지에서 표면에 텍스쳐링(texturing)하는 것은 알칼리 또는 산성 같은 화학용액을 사용하고 있다. 그러나 실리콘 부족으로 실리콘의 양의 감소로 인하여 웨이퍼 두께가 감소하고 있는 추세에 일반적으로 사용하고 있는 습식 텍스쳐링 방법에서 화학용액에 의한 많은 양의 실리콘이 소모되고 있어 웨이퍼의 파손이 심각한 문제에 직면하고 있다. 그리하여 습식 텍스쳐링 방법보다는 플라즈마로 텍스쳐링할 수 있는 건식 텍스쳐링 방법인 RIE (reactive ion etching) 기법이 대두되고 있다. 그리고 습식 텍스쳐링으로는 결정질 실리콘 태양전지의 반사율을 10% 이하로는 낮출 수가 없다. 다결정 실리콘 웨이퍼 표면에 텍스쳐링을 하기 위하여 125 mm 웨이퍼 144개를 수용할 수 있는 대규모 플라즈마 RIE 장비를 개발하였다. 반사율을 4% 이하로 낮추기 위하여 공정가스는 $Cl_2$, $SF_6$, $O_2$를 기반으로 RIE 텍스쳐링을 하였고 텍스쳐링의 모양은 공정가스, 공정시간, RF 주파수 등에 의해 조절이 가능하였다. 본 연구에서 RIE 공정을 통하여 16.1%의 변환효율을 얻었으며, RF 주파수가 텍스쳐링의 모양에 미치는 영향을 살펴보았다.