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- 저자 : 黃好正 (검색결과 240 건)
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Comparative Analysis between Zirconia Implant and Titanium Implant
황호정,김성균,이주희,허성주,곽재영,유수연 대한치의학회 2012 Journal of korean dental science Vol.5 No.2
Various ceramic implant systems made of yttria-stabilized tetragonal zirconia polycystal (Y-TZP) have become commercially available in recent years. A search of the literature was performed to assess the clinical success of dental Y-TZP implants and whether the osseointegration of Y-TZP is comparable to that of titanium, the standard implant material. No controlled clinical studies in humans regarding clinical outcomes or osseointegration could be identified. Clinical data were restricted to case studies and case series. Only 7 animal studies were found. Osseointegration was evaluated at 4 weeks to 24 months after placement in different animal models, sites and under different loading conditions. The mean bone-implant contact percentage was above 60% in almost all experimental groups. In studies that used titanium implants as a control, Y-TZP implants were comparable to or even better than titanium implants. Surface modifi cations may further improve initial bone healing and resistance to removal torque. Y-TZP implants may have the potential to become an alternative to titanium implants but cannot currently be recommended for routine clinical use, as no long-term clinical data are available.
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황호정 大韓神經精神醫學會 2003 신경정신의학 Vol.42 No.2
There are four main aspects of the ISI journal selection process. These involve examination of basic journal publishing standards, editorial content, international diversity, and citation analysis, It is impossible to say which element in the evaluation process is the most important and which is the least important. Since each journal evaluation has its own character, factors tend to have different weight in different context. This paper will examine the key points of the journal selection process employed by ISI.
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HEMT소자의 전송특성 해석을 위한 채널내의 산란율에 관한 양자역학적 연구
송영진,도태영,황호정 중앙대학교 기술과학연구소 1994 기술과학연구소 논문집 Vol.24 No.-
In this paper the rates of two-and three-dimensional scattering are calculated in pseudomorphic ??/??/GaAs HEMT heterostructure systems. The electronic states and wave functions in the square quantum well are determined numerically by the self-consistent solution of Poisson's and Schrodinger's equations. The wave functions and energy levels obtained are used to calculate the major two-dimensional scattering rates in this structure. Polar optical- phonon and acoustic- phonon, piezoelectric, ionized impurity and alloy scattering rates are considered for the first two subbands. This results are compared to the three-dimensional scattering rates also calculated using by the triangular approximation of quantum well in the same structure.
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HEI(High Energy Ion Implantation)공정 분석 모의 실험 도구 개발에 관한 연구
손명식,황호정 중앙대학교 기술과학연구소 1998 기술과학연구소 논문집 Vol.28 No.-
본 연구에서는 Retrograde Well 형성 공정, 누설 전류를 억제하기 위한 매몰층(baried layer)형성 고정, 필드 산화층의 필드 분리(field isolation)을 위한 공정과 게이트 구성 후의 이온 주입 공정을 위해 필수적인 고 에너지 이온 주입 에너지(HEI) 공정 영역(200KeV 이상 영역) 에 대한 보다 신뢰성 있는 3차원 공정 모델링 및 검증 작업을 통해 신뢰성과 예측성을 동시에 갖춘 실제 공정에서 분석 도구로서 사용 가능한 시뮬레이터를 구성하여, HEI 공정이 소자 특성에 미치는 효괄르 분석하고자 한다. 특히, 필드 분리(field isolation) 공정 및 게이트 구성 후의 이온 주입 공정을 위한 산화층 의존성의 신뢰성을 확보하기 위해서 산화층이 있는 3차원 MOS 구조에서의 HEI공정 분석을 포함시키고자 한다.
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“I²L-Ringoscillator 에 의한 반도체 압력 Sensor 온도보상 ”
黃好正 중앙대학교 기술과학연구소 1986 기술과학연구소 논문집 Vol.16 No.-
The I²L-Ringoscillator can be monolithically integrated, together with the piezoresistive resistor, on a silicon wafer. Using this combination, it was possible to fabricate microprocessor-compatible frequency-analog pressure sensors. One of the most serious problem in the practical using is the temperature dependency of the offset-frequency. The temperature compensation of the monolithic-integrated frequency-analog pressure sensors can be achieved by using of the optimal injection current in the series connection, and/or by subtraction of the two oscillator frequencies.
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Monte Carlo 시뮬레이션을 이용한 이온 주입시의 점결함 분포의 계산
손명식,이준하,변기량,황호정 중앙대학교 기술과학연구소 1995 기술과학연구소 논문집 Vol.25 No.-
이온 주입시의 점결함 분포를 간접적으로 계산하기 위해 단결정 실리콘에서의 3차원 이온 주입 시뮬레이터인 TRICSI (TRansport Ions in Crystal Slilicon) Monte Carlo 코드를 확장하여 Boron 이온 주입시의 에너지와 dose에 따른 불순물(particle) 및 점결함 분포(point defect)를 계산하였다. 결함 분포는 Modified Kinchin-Pease equation을 단결정 실리콘에 적용하여 displacement damage에 의해 발생한 Frenkel Pair(vacancy-interstitial)분포를 계산하였으며 이온 주입시의 웨이퍼 온도에 의한 Frenkel Pair 소멸 효과는 고려하지 않았다. 계산 결과는 3차원 각면으로의 2차원 투영 불순물 농도로 표현하고 주입된 dose와 에너지에 다른 마스크 주입시의 에너지 및 dose 의존성 도펀트 분포와 이에 따른 damage 분포를 이해하는 데 중요한 정보가 될 것으로 기대된다. We extended our ion implantation simulator, TRICSI (TRansport lons in Crystal Slilicon) Monte Carlo(MC) code, and indirectly calculated particle and its generating point defect distributions depending on energy and dose during boron implantation into <100> single0crystal silicon. The point defect distribution of Frenkel Pair(vacancy-interstitial) was abtained by applying the modified Kinchin-Pease equation, which usually uses in MC simulation in amorphous target, to MC simulation in crystalline silicon. We did not considered the annihilation of Frenkel Pairs due to wafer temperature. The calculated results were projected onto each free-dimensional plane, presented as two-dimensional concentration profile on it. The particle concentration profile was presented with typical open mask structure. We expect that these results help understand the dopant and its generating damage distributions depending on energy and dose during boron implantation.
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Al₁₃과 Al₄₃ 덩어리 증착에 관한 분자동력학 연구
강정원,황호정 중앙대학교 기술과학연구소 1999 기술과학연구소 논문집 Vol.29 No.-
본 연구에서는 분자동력학 방법을 사용하여 알루미늄 덩어리 증착에 관하여 시뮬레이션. 덩어리 총 에너지가 증가할수록 기판의 최고 온도는 증가하였고, 덩어리 크기가 클수록 상관충돌효과가 커지는 것을 알 수 있었으며 덩어리의 총에너지에 따른 최고 증가 비율은 적어졌다. 비정렬 원자수 비교를 통하에 덩어리가 클수록 구조 재배열이 더 잘 이루어진다는 것을 알 수 있었다. 원자당 에너지와 덩어리 크기에 따른 증착 특성들은 살펴보았다. 덩어리 크기가 클수록 상관충돌 효과는 커지고 더욱 부드러운 증착이 이루어졌으며, 무엇보다도 덩어리 증착시 표면에서 구조 재배열이 잘 이루어지는 특징을 살펴볼 수 있었다. We simulated the aluminum cluster deposition using molecular dynamics methods. As the total energy of the cluster increases, the maximum temperature of substrate increases. However, since the correlated collisions effect is proportional to the cluster size, the rate of increase of the maximum substrate temperature decreases with the total cluster energy. As the size of cluster increases, the deposition is softer and the face-centered-cubic structure rearrangement is well occurred.
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열산화 공정의 3차원적 산화층 성장 특성 분석과 시뮬레이션에 관한 연구
이준하,황호정 중앙대학교 기술과학연구소 1994 기술과학연구소 논문집 Vol.24 No.-
Three-dimensional simulator for theremal oxidation process is developed. The simulator is consisted of two individual module, one is analytic-model module and the other is numerical-model module. Thus, the prediction of LOCOS shape is possible by both numerical and analytical approach. The analytic-model used simple complementary-error function guarantees fast calculation in prediction of multi-dimensional oxidation process. The numerical-model which is based on boundary element method(BEM), has a good accuracy and suitable for various process conditions. The utility of models and simulator developed in this work is demonstrated by using it to predict not only traditional shape of LOCOS but also process effects in small geometry.
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