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Hardware Implementation of GaN-HEMT Based ZVS DC–DC Converter Considering PCB Layout
김종수,김현빈,이병국,김종수 대한전기학회 2019 Journal of Electrical Engineering & Technology Vol.14 No.1
The gallium nitride high electron mobility transistors (GaN HEMT) are among the most promising power semiconductor devices. However, these transistors have a small gate voltage margin compared with conventional power devices. In this paper, the gate voltage of GaN HEMTs is mathematically analyzed when it is applied to a zero voltage switching (ZVS) phase-shift full bridge (PSFB) DC–DC converter. The analysis accounts for nonlinear capacitance characteristics under the ZVS switching condition, and a critical parasitic inductance are derived to restrict the gate voltage to a safety operation area. The optimal layout for bridge topologies and gate drivers is proposed, to satisfy the derived parasitic inductance limitation. A 500-W-power laboratory phase-shift full-bridge DC–DC converter is implemented to verify the proposed layout.
준원자층 적층 방법으로 형성된 2형 양자점의 광 발광 특성 연구
김종수,조현준,소모근,김종수,김영호,이상준,이승현,Christiana B. Honsberg,김희대 한국물리학회 2019 새물리 Vol.69 No.8
We have studied the optical properties of InAs/GaAsSb submonolayer quantum dots (SML-QDs) through excitation intensity (Iex) and temperature dependent photoluminescence (PL) experiments. The SML-QDs with type-I (T-1) and type-II (T-2) band structures were grown using a GaAsSb spacer with a Sb composition of 0% and 15.8%. At 13 K, the PL signals from the T-1 and the T-2 samples were observed at 1.42 eV and 1.37 eV, respectively, when the Iex was 8.7 mW/cm2. The PL signal of the T-1 sample is due to the recombination of electrons and holes in the InAs SML-QDs. The PL signal of the T-2 sample is due to the recombination of electrons (in the GaAs electron band) and holes (in the GaAsSb spacer hole band) by type-II band alignment formed between GaAs and GaAsSb. The full widths at half maxima (FWHMs) of the T-1 and the T-2 samples were 7.09 meV and 24.6 meV, respectively, because the T-2 sample has a lower uniformity than the T-1 sample. As the excitation intensity was increased, the PL signals of the T-1 and the T-2 samples shifted to lower energy because of the quantum-confined Stark effect. As a result of these temperature-dependent PL experiments, the activation energy of the T-1 sample was found to be 30 meV. InAs/GaAsSb submonolayer 양자점(SML-QD)의 광학적인 특성을 여기광 세기(Iex)와 온도에 따른광발광 (Photoluminescence; PL) 실험을 통하여 연구하였다. 본 연구에 사용된 시료는 간격자인 GaAsSb 층의 Sb조성을 0%와 15.8%로 조절하여 Type-I (T-1) 과 Type-II (T-2) 밴드 구조의 SML-QD를 성장하였다. 13 K에서 Iex 가 8.3 mW/cm2 일 때 T-1과 T-2 시료의 PL신호는 각각 1.419 eV와 1.368 eV 에서 관측되었다. T-1 시료에서 관측된 전이신호는 InAs SML-QD의 전자와 정공간의 재결합에 의한것이다. T-2시료에서 관측된 PL신호는 GaAs와 GaAsSb 사이에 형성된 type-II 밴드 정렬에 의하여GaAs 전도대의 전자와 GaAsSb 간격자의 가전자대의 정공간의 재결합에 의한 것이다. 두 신호의 반값온폭 (Full-width at half maximum; FWHM)은 각각 7.09 meV와 24.6 meV 이었으며, 이는 T-2시료가T-1시료보다 균일성이 낮기 때문으로 사료된다. 여기광의 세기가 증가할수록 T-1와 T-2시료의 PL신호는낮은 에너지 쪽으로 이동하였는데, 이는 구속된 운반자에 의한 양자 구속 스타크 효과(quantum-confined Stark effect) 에 의한 것으로 사료된다. 온도 의존성 PL 실험의 결과, T-1 시료의 SML-QD의 활성화에너지는 30 meV이었다.
김종수,이상윤 明知大學校 經濟硏究所 2003 경영연구 Vol.22 No.1
국내 프랜차이즈 본부의 가맹점 출점 경쟁의 심각성과 일천한 경영노하우와 시스템 그리고 경기불황에 따른 경영위기를 극복하기 위해서는 능력 있고 창의적인 Super Pro 인재를 육성하기 위한 현장중심의 프랜차이즈 교육프로그램 개발과 교육내용의 체계적인 점포현장 적용 및 실천이 필요하다. 또한 이를 통한 프랜차이즈시스템운영개선과 부진점포 활성화가 매우 시급한 실정이다. 따라서, 본 연구는 1996년 1월부터 시행한 A 프랜차이즈 본부의 교육점포운영 및 현장중심 유통대학체계에 대해 분석하고 현장학습내용의 적용, 실천에 의한 가설검증의 장(場)으로서 모델·실험점포인 교육점포운영성과 향상을 분석하여 프랜차이즈 본부의 운영시스템 개선 방안을 제시하고자 한다.