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보론 도우핑된 비정질 실리콘을 이용한 쌍극 박막 트랜지스터의 전기적 특성
추혜용,장진,Chu, Hye-Yong,Jang, Jin 대한전자공학회 1989 전자공학회논문지 Vol. No.
보론이 100ppm으로 도우핑된 비정질 실리콘을 이용한 쌍극 박막 트랜지스터를 CVD 방법으로 제작하여 전기적 특성을 조사하였다. 쌍극 박막 트랜지스터에 인가한 트레인 전압이 증가하면 정공채널의 드레인 전류는 전자와 정공의 주입에 의해 크게 증가한다. 또한 게이트 전압의 인가 시간에 따른 드레인 전류는 streched exponential로 감소하는데, 이는 전자축적층에 의해 생기는 댕글린 본드 밀도의 변화가 수소의 확산과 동일한 시간 의존성을 갖는 것을 의미한다. 이러한 실험 결과로 부터 보론이 도우핑된 수소화된 비정질 실리콘에 게이트 전압을 인가하거나, 빛 조사시 도우핑 효율이 변화함을 알 수 있다. We have studied the electrical characteristics of the hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) ambiploar thin film transistors (TET'S)using 100ppm boron-doped a-Si:H as an active layer. The enhancement of drain current due to the double injection behavior has been observed in the p-channel operation of the TFT. The drain current decreases with time in streched exponential form when the gate voltage is positive. The result indicates that the dangling bonds created by electron accumulation show identical time dependence as the diffusion of hydrogen in the film. We observed the experimental evidence that the doping efficiency changes either when the gate bias is applied or when the light is illuminated on boron-doped a-Si:H.
추혜용(Hye Yong Chu),이정익(Jeong-Ik Lee),이종희(Jonghee Lee),한준한(Jun-Han Han),조두희(Doo-Hee Cho),신진욱(Jin-Wook Shin),유병곤(Byung Gon Yu) 대한전자공학회 2010 대한전자공학회 학술대회 Vol.2010 No.6
White organic light emitting diode for lighting application has been studied based on phosphorescence and/or blue fluorescence materials. We have successfully achieved highly efficient white phosphorescent OLED with 46 lm/W using all phosphorescent materials. We also developed hybrid white OLED with combining blue fluorescence materials and green/red phosphorescence materials. When we introduced external light extraction film, the power efficacies reached up to 74 and 43 lm/W. We have also fabricated transparent white OLEDs with cooperating a transparent cathode, and then 24 lm/W of power efficacy has been achieved together with 60% of transparency and over 80 color rendering index (CRI).
Degradation Mechanisms of Organic Light-emitting Devices with a Glass Cap
Yong Suk Yang(양용석),Hye Yong Chu(추혜용),Jeong Ik Lee(이정익),Sang He Ko Park(박상희),Chi Sun Hwang(황치선),Sung Mook Chung(정승묵),Lee Mi Do(도이미),Gi Heon Kim(김기현) 한국진공학회(ASCT) 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.1
우리는 tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3)와 같은 단분자 유기물 박막을 사용하여 유기물 발광 소자(OLEDs)를 제작하였다. OLEDs는 ITO가 증착된 유기 기판 위에서 제조되었고, 수명 측정 이후의 OLEDs에 대한 발광, 축전 용량, 유전 손실 특성 등을 측정하였다. 여기서, 수명 측정을 위하여 사용한 인가 전류는 0.5 ㎃ 에서 9 ㎃ 까지였고, 수명의 인가 전류 의존성은 약 2 ㎃ 부근에서 다르게 관찰되었다. C-V 특성 곡선에서 나타난 축전 용량의 봉우리들은 유기물 내의 분극과 유기물과 금속의 경계에서 나타난 분극의 영향으로 추측된다. 그리고, 2 ㎃ 보다 낮은 전류 하에서 수명 측정 후 발광특성이 저하된 OLEDs에서는 소자 내의 분극 크기의 감소와 전하 유입 장벽의 낮아짐이 같이 관찰되었다. We demonstrated organic light emitting devices (OLEDs) based on the organic thin film materials such as tris (8 hydroxyquinoline) aluminum (Alq₃). The structure of OLEDs was vacuum deposited upon transparent and thin glass substrates pre coated with a transparent, conducting indium tin oxide thin film. The luminance characteristics, current, capacitance, and dispersion factor for degraded OLEDs, which were made by various bias currents (0.5 ㎃ ≤ IBias ≤ 9 ㎃), are studied. The current dependences of lifetime were divided at approximately 2 ㎃, and they represented nearly linear behaviors but had different slopes in a logarithmic plot of lifetime versus bias current. With lighting OLEDs, the anomaly of capacitance, as shown in the C-V curve, occurred because of two factors, polarization in the bulk of organic materials and the interface between the metal and organic layers. In decayed OLEDs that had lower bias currents of less than 2 ㎃, it was found that the degradation of luminance was related to both the decrease of polarization and to the lowering of the injection barrier.
Degradation Mechanisms of Organic Light-emitting Devices with a Glass Cap
양용석,추혜용,이정익,박상희,황치선,정승묵,도이미,김기현,Yang Yong Suk,Chu Hye Yong,Lee Jeong-Ik,Park Sang-He,Hwang Chi Sun,Chung Sung Mook,Do Lee-Mi,Kim Gi Heon The Korean Vacuum Society 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.1
우리는 tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3)와 같은 단분자 유기물 박막을 사용하여 유기물 발광 소자(OLEDs)를 제작하였다. OLEDs는 ITO가 증착된 유기 기판 위에서 제조되었고, 수명 측정 이후의 OLEDs에 대한 발광, 축전 용량, 유전 손실 특성 등을 측정하였다. 여기서, 수명 측정을 위하여 사용한 인가 전류는 0.5mA 에서 9mA까지 였고, 수명의 인가 전류 의존성은 약 2 mA 부근에서 다르게 관찰되었다. C-V 특성 곡선에서 나타난 축전 용량의 봉우리들은 유기물 내의 분극과 유기물과 금속의 경계에서 나타난 분극의 영향으로 추측된다. 그리고, 2 mA 보다 낮은 전류 하에서 수명 측정 후 발광특성이 저하된 OLEDs에서는 소자 내의 분극 크기의 감소와 전하 유입 장벽의 낮아짐이 같이 관찰되었다. We demonstrated organic light-emitting devices (OLEDs) based on the organic thin-film materials such as tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum $(Alq_3)$. The structure of OLEDs was vacuum deposited upon transparent and thin glass substrates pre-coated with a transparent, conducting indium tin oxide thin film. The luminance characteristics, current, capacitance, and dispersion factor for degraded OLEDs, which were made by various bias currents $(0.5mA\;{\leq}\;I_{Bias}\;{\leq}9mA)$, are studied. The current dependences of lifetime were divided at approximately 2mA, and they represented nearly linear behaviors but had different slopes in a logarithmic plot of lifetime versus bias current. With lighting OLEDs, the anomaly of capacitance, as shown in the CV curve, occurred because of two factors, polarization in the bulk of organic materials and the interface between the metal and organic layers. In decayed OLEDs that had lower bias currents of less than 2mA, it was found that the degradation of luminance was related to both the decrease of polarization and to the lowering of the injection barrier.
보론 도우핑된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 열에 의한 준안정성 연구
이이상,추혜용,장진,Lee, Yi-Sang,Chu, Hye-Yong,Jang, Jin 대한전자공학회 1989 전자공학회논문지 Vol. No.
보론이 도우핑된 수소화된 비정질 실리콘을 이용한 박막 트랜지스터를 플라즈마 CVD 방법으로 제작하여 트랜지스터의 특성 및 준안정성에 관한 연구를 수행하였다. 보론이 도우핑된 비정질 실리콘 ambipolar 트랜지스터를 열평형 온도 이상에서 급냉하면, active dopants가 증가하고 경계면 상태밀도가 감소하여 정공채널에 의한 드레인 전류가 증가하고 전자채널의 드레인 전류는 급냉 온도에 따라 증가하다 감소되는 현상을 측정하였다. 이런 급냉 효과는 실리콘내에 있는 수소의 운동과 밀접한 관계가 있고 active dopants, 댕글링 본드 및 경계면 상태밀도의 변화로 해석된다. Electrical transport and thermally induced metastability in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin film transistors (TFTs) using boron-doped amorphous silicon as an active layer have been studied. The device characteristics n-channel and p-channel operations. The thermal quenching experiments on amorphous silicon-silicon nitride ambipolar TFT give clear evidence for the co-existence of two distinct metastable changes. The densities of metastable active dopants and dangling bonds increase with the quenching temperature. On the other hand, the interface state density appears to decrease with increasing quenching temperature.