소다석회유리에서 Al₂O₃가 isokom 온도에 미치는 영향

강승민,김창삼,Kang, Seung Min,Kim, Chang-sam 한국결정성장학회 2022 한국결정성장학회지 Vol.32 No.3

The effect of Al₂O₃ on isokom temperatures in soda-lime glass is estimated by comparing calculated isokom temperatures using viscosity model proposed by Lakatos. Substitution of SiO₂ with Al₂O₃ by 0.5 mol% raises the isokom temperatures by 3.1, 3.3, 3.6 and 7.2℃ at the viscosity of log η = 12.3, 10, 6.6 and 1 (Pa·s), respectively. Meanwhile, replacing 0.5 mol% of CaO with Al₂O₃ raises the isokom temperatures by 1.6, 2.3, 4.1 and 17.7℃ at the viscosity of log η = 12.3, 10, 6.6 and 1 (Pa·s), respectively.

PVT(Physical Vapor Transport) 법으로 AlN 결정 성장에서 결정립의 성장 거동에 관한 연구

강승민,Kang, Seung-Min 한국결정성장학회 2016 한국결정성장학회지 Vol.26 No.4

AlN 결정을 PVT(물리 기상 이동법, Physical Vapor Transport) 법으로 성장함에 있어 결정립의 성장 거동을 관찰하였다. 작은 AlN 결정립이 성장한 이후 결정립들은 이웃한 결정립과 합쳐지면서 성장하는 거동을 보였다. 이를 실체현미경을 이용하여 관찰한 결과를 보고하고자 한다. It was observed that the single grain of crystallite growth behavior in AlN (Aluminum Nitride) single crystal growth by PVT (Physical Vapor Transport) method. The single grain of AlN was grown in sequent experiments and adjacent crystallites were joined together after small grain was grown. The sequential results of those grains observed by stereoscopic microscope were reported.

급열방식에 의한 K-Na 이온 교환 도파로의 굴절율 분포식 산출 ( Derivation of the Refractive Index Profile Equation of K-Na Ion-Exchange Waveguide by a Rapid Thermal Method )

강승민,송재원 대한전자공학회 1990 대한전자공학회 학술대회 Vol.1990 No.1

초음파 진동에 의한 대류 및 비등 열전달 촉진 원리에 관한 연구

강승민,김이구,김호영,강병하,이진호 대한기계학회 2003 大韓機械學會論文集B Vol.27 No.5

FZ법에 의한 Tourmaline 단결정 성장

강승민,신재혁,한종원,최종건,오근호,박한수,문종수 한국결정성장학회 1993 韓國結晶成長學會誌 Vol.3 No.1

FZ법을 이용하여 Tourmaline ($NaFe_3Al_6B_3Si_6O_{27}F_4$) 단결정을 성장하였다. 성장조건으로 회전수 상호 역방향으로 20~30rpm, 성장속도 2~5mm/hr로 조절하였다. 성분 원소 중 전이금속 원소가 존재하여 dopant는 첨가하지 않았다. 원료봉은 $1000~1100^{\circ}C$에서 소결하였고 이 온도보다 고온의 영역에서는 F등의 휘발원소의 휘발로 인해 원료봉을 제작하기가 어려웠다. 성장된 결정은 어두운 색을 띄고 있었고 길이 60~50mm, 직경 5~6mm였다. 결정의 원료에 대하여 XRD 분석을 통하여 Tourmaline 조성을 확인하였고 FTIR로 성분의 결합상을 보았다. Na-Fe Tourmalene ($NaFe_3Al_6B_3Si_6O_{27}F_4$)single crystals were grown by FZ method. The Growth conditions are counter rotation 20~30rpm, growth rate 1~5mm/hr in the atmospheric environment. The transition elements as Fe(in this research), Mn, Co, etc, are exist in the theoretical fomulae so that dopants were not added. The feed rod was sintered between $1000^{\circ}C$ and $1l00^{\circ}C$, but at higher temperature, it was difficult to manufacture the feed rod because of evaporation of the elements such as F. As grown crystals had a black color and the length of 50~60mm, the diameter of 5~6mm. X-ray powder diffraction pattern indicated that the composition of the feed rod was right to the Tourmaline composition. By FT-IR spectra, the state of bonding of each element was charaterized.

6H - SiC bulk 단결정 성장 양상과 micropipe에 관한 연구

강승민,오근호 한국결정성장학회 1995 韓國結晶成長學會誌 Vol.5 No.1

6H - SiC를 승화법(Sublimation Process)으로 성장하였으며, 성장 결정의 표면에서 나타난 양상에 대하여 광학 현미경을 이용하여 관찰하였다. 6H-SiC는 측면방향(Hexagonal system에서 a축 방향)으로 성장하는 속도가 seed 방향인 c축 방향보다 빠르고, 따라서 많은 성장 step을 관찰할 수 있었다. 또한, SiC 결정의 주된 결함인 micropipe는 성장 후 결정의 표면까지도 형성되고 있어, 거대한 void로 관찰되어졌다. 이것은 pore와는 다르게 구별되며, 완전한 구형의 단면을 가진다. 본 연구에서는 micropipe 및 면결함, 그리고 결정성장시의 step 형성등의 현상에 대하여 광학 현미경으로 조사형 그 결과를 보고하기로 한다. Abstract The surface of 6H - SiC bulk crystal grown by sublimation process was investigated by optical microscope observation. Since, in the 6H crystal growing, the crystal had the habitual step growth attitude such that the lateral growth rate along the random a - axis orientation was higher than that along the c - axis of the growth direction, then many steps were developed. There were, also, many micropipes on the surface in the form of as-like large voids. However, they were differenciated with pores and cross- sectional shape of them were close to the circle. In this study, many micropipes, planar defects and the growth steps appeared on the grown crystal surface were investigated.

승화법에 의한 SiC 단결정 육성

강승민,오근호 한국결정성장학회 1995 韓國結晶成長學會誌 Vol.5 No.1

자체 제작된 승화법에 의한 결정성장 장치를 이용하여, 6H-SiC 단결정을 성장하였다. Acheson 법으로 얻어진 6H 결정을 seed substrate로 사용하였으며, SiC source 로부터 분해된 승화 증기가 seed상에서 육성되도록 흑연 도가니내의 온도구배 및 성장온도와 압력을 유기적으로 조절하였다. 성장 전 graphite 도가니 구성부와 SiC 원료에 대한 purification을 행함으로써 성장결정 내부로의 불순물 혼입이 억제되도록 하엿다. 결정 성장시의 육성조건으로 도가니 바닥의 온도는 $2300~2400^{\circ}C$였으며, 성장로 내부의 분위기 압력은 200~400 torr에서 양질의 단결정을 얻을 수 있었다. 성장된 결정을 두께 1.5 mm의 wafer로 제작하여 XRD와 optical microscope로 관찰하였고, FT-IR spectrum으로 분석하였다. Abstract 6 H - SiC single crystal was grown by sublimation growth system which was self - designed and manufactured. In order that the SiC source might be decomposited and sublimed and deposited on the 6H - seed substrate grown by Acheson method, the temperature gradient, the growth parameters of growth temperature and pressure were operately adjusted. So we could get the optimum temperature gradient inside of the crucible. The graphite crucible with SiC powder and thermal shield componants were purified at the elevated temperature by means of Ar purging process and the source baking, then it distributed to reduce the amount of the impurities come from those parts. It was recognized that the optimum growth temperature of the crucible was$2300~2400^{\circ}C$ at the Ar atmospheric pressure of 200~400 torr, and at that moment the growth rate was 500~1000 $\mu\textrm{m}$. And then, the as- grown crystal was cut with the wafer form, the evaluation about the crystal was carried out by XRD, the optical microscopic observation and FT IR spectrum measurement.

FZ법에 의한 Apatite 단결정 성장

강승민,신재혁,한종원,최종건,전병식,오근호 한국결정성장학회 1993 韓國結晶成長學會誌 Vol.3 No.2

$CaF_2-CaO-P_2O_5$계에서 congruent melting하는 apatite$(Ca_{10}(PO_4)_6F_2)$ 단결정을 FZ법으로 길이 50~60mm의 크기로 육성하였따. 분위기는 산소 분위기로 하였으며 회전수는 상하 상호 역방향으로 20~30rpm로, 성장속도와 분위기 등을 조절하면서 최적의 성장조건을 찾고자 하였다. 성분 원소중 Ca를 Co로 부분 치환시켜 적외선 흡수도 증가 및 발색효과를 얻었다. 결정성 및 성장 방위를 고찰하기 위해 laue back reflection pattern을 조사하였으며, XRD를 이용하여 apatite 합성을 확인하였고 광투과로 FTIR분석으로 발색 및 성분원소를 동정하였다. In the ternary system of $CaF_2-CaO-P_2O_5$. Apatite$(Ca_{10}(PO_4)_6F_2)$ single crystal having a congruent point was grown by FZ process. The atmospheric condition was kept by oxygen blowing. Adjusting the growth parameters of rotation rate, growth rate and gas amount, we tried to find the optimum growth condition. By partly substituting Ca as Co element, the absorption of infrared is increased and the color effect was observed. Using the Laue back reflection, XRD and FTIR analysis, the characterization of the crystal was carried out.

PVT 법으로 성장된 AlN 단결정의 결정상에 관한 연구

강승민,Kang, Seung-Min 한국결정성장학회 2014 한국결정성장학회지 Vol.24 No.2

PVT(물리 기상 이동법, Physical Vapor Transport) 법을 적용하여 질화알루미늄(AlN, Aluminum Nitride) 단결정을 성장하였으며, 성장된 결정의 결정성과 성장 온도에 따른 상에 대하여 고찰하였다. 성장된 단결정은 광학현미경을 이용하여 결정의 상을 관찰하였고, 관찰된 결과를 비교 분석하여 본 실험에 적용된 성장 장치에서의 최적의 성장 온도 조건을 설정할 수 있었다. 본 연구에서는 AlN 단결정 성장 결과를 비교 고찰하여 보고하고자 한다. AlN (Aluminum Nitride) crystals were grown by a PVT (Physical Vapor Transport) method and were characterized to phases on the growth temperature. The crystals phase and morphology were analyzed using an optical stereo-microscope and the optimum temperature for the growing was determined. In this report, the characteristics of the AlN crystals grown at various temperatures were reported.

직경 3인치의 AlN 단결정 성장에 관한 연구

강승민,Kang, Seung-Min 한국결정성장학회 2019 한국결정성장학회지 Vol.29 No.3

AlN (Aluminum Nitride) crystal which could be used to substrates for UV LEDs was grown by PVT ((Physical Vapor Transport) method. 3 inch AlN single crystal with a thickenss of 4 mm was grown using Polycrystalline seed for 120 hours. In this report, a result of 3 inch polycrystalline bulk AlN growth behavior using large size crucible and growth condition were reported. 자외선 LED용 기판소재로 응용가능한 AlN(질화알루미늄) 단결정을 물리기상이동법(Physical Vapor Transport Method)으로 성장하기 위해 성장 거동을 조사하였다. 다결정의 종자결정을 사용하였으며, 직경은 3인치급이었고, 120시간 동안 성장공정을 수행하여 길이 약 4 mm의 다결정상을 얻었다. 본 연구에서는 성장 조건과 대형의 도가니를 사용하였을 경우의 성장 거동에 대하여 고찰하여 보고자 하였다.