실리콘 이온주입 SiO₂층의 나노결정으로부터의 광루미네센스

위덕대학교 산업기술연구소 위덕대학교 산업기술연구소 2001 산업기술연구소 논문집 Vol.5 No.1

실리콘 기판 위에 형성한 열산화막에 실리콘이온을 주입하고 열처리를 수행한 후, 광루미네센스 (photoluminescence: PL)스펙트럼을 조사하였다. 주입된 실리콘이온의 도즈량과 열처리 온도에 따른 PL스펙트럼의 변화를 조사한 결과, 실리콘이온 주입된 열산화막의 광루미네센스가 실리콘 나노결정에 기인함을 알 수 있었다. 산화막을 1분 간격으로 습식 식각하면서 식각 량에 따른 PL특성의 변화를 조사하여, PL피크(peak)를 결정하는 요소는 산화막내에 분포하는 나노 결정의 크기와 수에 밀접한 상관이 있음을 알 수 있었다. 본 연구 결과에 의한 PL피크의 범위는 680nm~830nm 대이었다. Photoluminescence(PL) spectrum of Si^(+) ion-implanted SiO_(2) film with thermal annealing process was investigated. The sample with higher dose Si^(+) ion revealed longer wavelength peak. However PL intensity of higher dose sample was smaller than that of lower dose implanted one. PL peak moved to longer wavelength as the temperature of thermal annealing process became to be high. PL spectrum was observed after wet etching of the annealed Si^(+)implanted SiO_(2) film at every one minute BOE etchant. PL spectrum is considered to be resulted as dominant size and quantity of nano-crystalline silicon in the annealed SiO_(2) film with Si^(+) ion. The PL peak range resulted from our experiment was 680nm~830nm.

WDM 전송망에 대한 광학 파라미터 추출기술

이영호 위덕대학교 산업기술연구소 2004 산업기술연구소 논문집 Vol.8 No.1

본 논문에서는 WDM(Wavelength Division Multiplexing)을 이용한 광 네트워크에서 국부적인 장애를 전송망 자체에서 극복할 수 있도록 고안된 SHR(Self-Healing Ring) 구조의 시스템을 구현하기 위하여 필요로 하는 광학 파라미터 추출 기술에 관한 연구 결과를 제시한다. GPIB를 통한 제어장치의 설계 방법과 LabVIEW를 이용한 프로그램 방안을 제시하고 분석하였다. 아울러, 본 논문에서 제안된 광학 파라미터 추출 기술이 WDM 전송망에서 적절하게 적용됨을 확인하였다. This paper presents the acquisition technology of optical parameters for a control system in the WDM(Wavelength Division Multiplexing) transmission networks and its feasibility through several LabVIEW programming. To simulate the proposed DAQ (Data AcQuisition) technology, WDM-SHR(Self-Healing Ring) structures are used in the optical transmission section. The results show that the proposed methods operate well according to the mentioned above.

Improvement of TCR property of polysilicon resistor using a new mixed doping process

Park, Hoon-Soo 위덕대학교 산업기술연구소 2004 산업기술연구소 논문집 Vol.8 No.1

본 연구는 다결정 실리콘 저항의 TCR (temperature coefficient of resistance) 특성을 개선하기 위하여 인 (phosphorous) 도핑된 다결정 박막에 비소 (arsenic) 이온을 주입하는 새로운 공정기술에 관하여 기술하였다. 초기 인 도핑된 다결정 박막은 양 (positive)의 TCR 특성을 나타내지만, 음 (negative)의 특성을 갖는 비소 이온 주입으로 상호 보상된다. 동일한 면 저항값에 대하여, 본 논문에서 제시한 공정 조건으로 제작한 다결정 실리콘 저항의 TCR 값은 기존 인 도핑된 다결정 실리콘 저항에 비하여 약 4.3배 감소한 우수한 열적 안정성을 나타내었다. 따라서, 본 연구의 혼합 공정은 근사적으로 영의 TCR 특성을 갖는 다결정 실리콘 저항 제조에 응용할 수 있다. This letter describes a new mixed doping technology of polysilicon resistor, which an arsenic ion implantation into the phosphorous-doped polysilicon film in order to obtain an extremely low temperature coefficient of resistance (TCR). Initial positive TCR property of phosphorous-doped polysilicon resistor was compensated by the subsequent arsenic impurities with the negative TCR characteristics. For the same sheet resistance value (Rs), the TCR of polysilicon resistor fabricated by the proposed process was approximately 4.3 times lower than that of the conventional phosphorous-doped resistors. that the positive TCR property of phosphorous-doped polysilicon resistors. Therefore, our proposed mixed process can be applicable to implement a polysilicon resistor with a nearly zero TCR.

FM-CW 레이더 분해능 개선을 위한 상관 알고리듬

전중창,김태수 위덕대학교 산업기술연구소 2000 산업기술연구소 논문집 Vol.4 No.1

본 논문에서는 FM-CW 레이더의 원리를 이용한 마이크로파 거리계에서 비트 신호(beat signal)의 스펙트럼 상관도(correlation)를 해석한다. 산업 자동화용과 같이 정밀도가 높아야하는 경우, 거리계에 사용되는 VCO의 주파수 선형도가 매우 좋아야한다. 그러나, 실제 VCO의 선형도를 높이는 일은 매우 어려우며, 장비의 고가화를 초래하게 된다. 거리 차가 충분히 작은 경우, 두 비트 신호의 주파수 스펙트럼간에 상관도가 peak를 나타내는 주파수 offset이 존재하게 되며, 본 논문에서는 이를 바탕으로 일반적 VCO를 사용하여도 정밀한 측정을 할 수 있는 상관 알고리듬을 제안한다. 상관도에 대한 배경 이론을 유도하고, 제안된 알고리듬을 적용한 측정 결과를 제시하였다. In this paper, we analyze spectrum correlation of beat signals in the microwave level meter based on the FM-CW radar. For industrial applications, level meters must have high precision, which requires a good linearity of VCO. But, in practice, it is very complicated or very expensive to make VCO linear enough to be acceptable in the industrial field. We propose a measurement algorithm using the fact that there exists a peak in the spectrum correlation of beat signals when range difference is adequately small. This makes it possible to determine the range difference in a precise manner even using a practical VCO. We develop the background theory of correlation and show some results using this algorithm.

VOD서비스를 위한 저작시스템에 관한 연구

이영호 위덕대학교 산업기술연구소 2005 산업기술연구소 논문집 Vol.9 No.1

본 논문에서는 충실한 VOD서비스의 실현을 위해서 무엇보다 중요한 역할을 분담할 저작시스템과 응용서비스(Application) 저작도구(Authoring Tool)에 관하여 논하였다. 먼저 본 연구에서 구현한 ATM 공중망 기술을 이용한 IP 기반의 VOD 시스템과 콘텐트 제작을 위해 설계된 저작시스템에 대한 소개와 구현결과를 분석한다. 그리고 사용자 측면에서의 VOD 응용서비스 저작도구에 대한 다양한 요구사항의 제시와 최상의 저작도구 개발방안을 모색하고자 한다. This paper presents an authoring system and tool for the VOD(Video-On-Demand) services. First, we describes an implementation of an IP-based VOD system for ATM(Asynchronous Transfer Mode) public network of the FTTC(Fiber to the Curb) structures. Furthermore the authoring tool is an authoring toolkit embedding standard-codec-based technology to support content providers to create optimum VOD contents for various network applications.

임베디드 소프트웨어 개발 환경에 관현 연구

박기현 위덕대학교 산업기술연구소 2004 산업기술연구소 논문집 Vol.8 No.1

본 논문은 임베디드 소프트웨어의 개발을 위한 개발 환경의 구현에 관한 내용을 다루고 있다. 전송 시스템으로 표현되는 전체 시스템의 구조적 접근 방법을 포함하여 운영체제 자체의 기능적 요구 사항에 대해서도 다루고 있다. 특히 디버깅 환경과 하드웨어 등에 대한 보다 심도있는 고려를 바탕으로 임베디드 운영체제에 대한 구현적 고찰에 대하여 자세히 살펴보았다. This paper describes the implementation of development environment for embedded operating software development. We consider the detailed functional requirements of operating system itself including structural approaching method about overall system represented by transmission-system. Especially on the basis of considering debugging environment and hardware, the implementation aspects of embedded operating system are surveyed.

Enhanced-IDS를 이용한 액티브 네트워크 보안에 대한 연구

박상국,박수영 위덕대학교 산업기술연구소 2004 산업기술연구소 논문집 Vol.8 No.1

액티브 네트워크(Aactive Network)는 사용자의 네트워크 요구 기능을 수행하기 위해 프로그램 코드를 전송하고 실행함으로써 통신망에 새로운 서비스를 신속하고 경제적으로 도입하고 망 자원들을 보다 적절하게 활용할 수 있도록 하는 목표를 가지고 연구되고 있는 분야이다. 본 논문에서는 서비스 거부 공격에 감내할 수 있는 개선된 침입 탐지 시스템(E-IDS)에 대하여 제시하고, 암호화를 통한 안전한 메시지 전송에 관하여 연구하였다. E-IDS와 액티브 노드간의 안전한 패킷의 전송을 위해 사용한 암호화의 방법은 액티브 네트워크에서의 보안 위협을 줄이는 것이 목표이다. 또 노드간 패킷의 전송 중 해킹 등에 따른 패킷의 비정상적인 사용에서도 노드간의 암호화로 인해 비정상적인 사용자가 가진 결합 구조에서 침입이 발생하였을 때 효과적으로 대응하는 방법에 대하여도 간단한 사례연구를 통하여 기술하였다. Active networks allow individual user or groups of users to inject customized programs into the nodes of the networks. Being a highly dynamic runtime environment that supports a variety of network services and allows injection of newly designed services into the infrastructure, active network deployment raises a lot of concerns. Various research groups consider security problems as one of the most important concerns. In this thesis, we considered an architecture for enhanced intrusion detection system combined with active network nodes that use safe packet transmission between nodes. We propose a secret ket distribution mechanism for the active packet transmission based on a PKI. We also explore the application of the combined structure through a case study that effectively responds against an intrusion attack. Base on our study, it is believed that the combined structure would greatly improve the ability to resist against DoS attacks as well as the capability of response when intrusion are detected.

양성자 조사 기술을 이용한 NPT형 전력용 다이오드의 스위칭 속도 개선

김병길,배영호 위덕대학교 산업기술연구소 2005 산업기술연구소 논문집 Vol.9 No.1

양성자 조사 기술을 이용하여 전력용 반도체 소자의 스위칭 특성 개선 기술을 개발하였다. 양성자 주입 에너지를 변화시키며 시편을 제조하여 주입 조건에 따른 결함 형성 기구와 소자의 동작 특성을 분석하였다. NPT형 전력용 다이오드 소자에 주입 에너지 2.32 MeV, 2.55 MeV, 2.97 MeV의 조건으로 양성자를 주입시켜 결정 결함의 생성 위치를 변화시켰으며 각 조건으로 제조된 소자의 전류-전압 특성, 용량-전압 특성, 항복전압 특성, 역방향 회복시간을 측정하여 양성자를 주입하지 않은 소자와 비교 분석하였다. 주입에너지 2.97 MeV로 양성자가 주입된 소자의 경우, 순방향 전류 5A에서 전압강하는 최초 소자의 120 %인 1.1 V로 증가하였고, 역방향 전압 100 V에서 누설전류는 64 nA, 역방향 항복전압은 670 V로 최초 소자와 같은 값을 나타냈었다. 역방향 회복 시간은 양성자를 주입하지 않은 소자의 20 % 수준인 50 nA로 감소하였다. Proton irradiation technology has been used for improving the switching characteristics of a pn diode. The NPT type power diodes which were irradiated respectively with 2.32 MeV, 2.55 MeV, 2.97 MeV energy condition were analyzed by current-voltage, capacitance-voltage, and reverse recovery time measurements and compared with non irradiation device. In the case of 2.97 MeV irradiated device, forward voltage drop was increased to 1.1 V witch was 120% of its original device at forward current of 5 A, reverse leakage current was 64 nA at reverse voltage of 100 V, and reverse breakdown voltage was 670 V which was the same voltage as original device without irradiation. The reverse recovery time of device was 50 nA, reduced to about 20% compared to that of original device without irradiation.

공유 레이저 광원을 이용한 PON 구조와 WDM 전송시스템

이영호 위덕대학교 산업기술연구소 2001 산업기술연구소 논문집 Vol.5 No.1

본 논문은 공유 레이저 광원 및 LED 광원을 이용하는 PON 구조의 새로운 광 가입자 WDM 전송시스템을 제안하고, 제안된 시스템의 타당성을 실험적 시뮬레이션을 통해 고찰하였다. 본 시스템은 고속의 하향전송을 위해서는 공유 레이저 광원을 외부변조하여 이용하는 방식을 채택하였고, 상향전송을 위해서는 LED광원을 직접변조하여 이용하는 구조로 되어 있다. 광 선로 구간에서의 파장다중화를 위해서는 채널 결합 및 분기기능을 갖는 AWG (Arrayed Wave-guide Grating) 소자를 이용하였다. 본 연구에서 제안한 전송시스템의 특징은 저가로 시스템을 구현할 수 있다는 것이다. 이는 하향전송에 대해서는 안정된 고가의 레이저 광원을 공유함으로써 가능하고, 상향전송에는 동일한 LED 광원을 이용함으로써 WDM-PON을 위한 광 송수신장치의 광원 안정화 및 규격화가 쉬워짐에 따라 대량생산을 통한 저가 구현이 가능하다. 본 시스템의 기술적 타당성을 입증하기 위하여 전송속도가 2.5Gbps인 하향전송과 51.84, 155.52 및 622.08Mbps인 상향전송에 대한 시뮬레이션을 실시하였고, 상하향 각 전송속도에 있어서 잘 동작됨을 확인하였다. This paper presents a noble optical access system using shared laser and LED light sources, which is based on WDM-PON technologies. This system adopts an external modulation of the shared laser sources for high-speed downstream and a direct modulation of the LED sources for low-speed upstream. To split or combine the transmission channels, AWG(Arrayed Wave-guide Grating) devices are used in the optical cable section. The proposed system is attractive for low cost implementation. The laser light sources can share the optical carriers in the downstream scheme. Also, in upstream, the LED sources can afford to make simple of the circuits for controlling light source and of standardization for ONU(Optical Network Unit). The feasibility of the proposed system is demonstrated by several experiments. Our results show that the system operates well at 2.5Gbps for downstream and up to 622.08Mbps for upstream.

스마트전력 IC응용을 위한 고집적도 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 기술에 관한 연구

박훈수 위덕대학교 산업기술연구소 2000 산업기술연구소 논문집 Vol.4 No.1

0.8㎛ CMOS 기술을 이용하여 바이폴라 트랜지스터, CMOSFET 및 고전압 DMOS 트랜지스터를 동일 칩상네 집적할 수 있는 BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) 기술을 제안하였다. 집적도를 향상시키기 위하여 최초로 트랜치 격리 공정을 적용하였고, 공정단계를 단순화하기 위하여 고 전압소자의 표동영역 및 바이폴라 트랜지스터의 베이스 확산 영역을 동시에 형성하였다. 본 연구의 BCD 기술은 소자구조 및 공정조건이 소자의 특성에 매우 민감하므로 소자구조 및 공정조건에 따른 고전압 LDMOS, 중전압 ED-MOS, 수직형 npn/pnp 바이폴라 소자 및 CMOS 트랜지스터의 특성을 분석하여 최적공정 조건을 제시하였다. A 0.8 ㎛ CMOS compatible BCD technology that combines versatile bipolar-CMOS-DMOS transistors on the same chip is proposed. To increase packing density, trench isolation process was adopted for the first time. In addition, the drift and base diffusions of high-voltage and bipolar devices were simultaneously performed to simplify the process steps. Depending on the device structure and process conditions, the electrical characteristics of on-chip compatible high-voltage LDMOS, medium voltage ED-MOSFET, vertical npn/pnp bipolar, and CMOS devices were investigated.