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김의송,이종무,이종길,Kim, Eui-Song,Lee, Chong-Mu,Lee, Jong-Gil 한국재료학회 1992 한국재료학회지 Vol.2 No.6
반응성 스팟터법에 의하여 형성된 TiN막 표면상에 CVD 텅스텐막을 증착할 때 여러가지 전처리 실시에 따른 텅스덴의 핵 생성 양상의 변화를 비교 조사하였다. 먼저 Ar rf 스팟터에칭 전처리는 에칭 두께가 200A 이상일 때에는 잠복기와 증착속도를 증가시킨다. Ar 이온주입 전처리는 잠복기를 증가시켜 텅스텐의 핵 생성에는 불리한 효과를 나타내는 반면, 증착속도는 증가시킨다. 또한 Si$H_4$flushing 전처리는 TiN막 표면에서의 Si의 흡착을 용이하게 함으로써 잠복기를 약간 감소시키는 효과를 나타낸다. Effects of various pretreatments on the nucleation of CVD-W deposited on the reactively sputter-deposited TiN was investigated. Incubation period of nucleation and deposition rate decreased by the pretreatment of Ar rf-sputter etching for the depth below 300k, but they increased for the etchig depth over 200A. The preteatment of Ar ion implantation decreased the incubation period of nucleation, but increased deposition rate. Also Si$H_4$flushing pretreatment decreased the incubation period of nucleation slightly due to the absorption of Si by TiN surface.
김의송,이종무,이종길,Kim, Eui-Song,Lee, Chong-Mu,Lee, Jong-Gil 한국재료학회 1992 한국재료학회지 Vol.2 No.2
형성방법이 다른 세종류의 TiN기판상에 CVD텅스텐막을 도포할 때의 W의 핵생성 양상을 비교조사하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 반응성 스팟터법에 의하여 형성한 TiN과 $NH_3$분위기에서 RTP처리한 $SiH_4$환원에 의하여 CVD-W막을 증착할 때, 증착속도(deposition rate)는 sputtered TiN>RTP TiN>annealed TiN의 순서로 감소하며, W 핵생성에 대한 잠복기는 sputtered $TiN{\leq}RTP$ TiN<annealed TiN의 순서로 증가하는 경향을 나타낸다. Annealed TiN의 경우에는 열처리공정중 질소분위기내에 불순물로 존재하던 산소가 TiN막내로 들어가 TiN막의 조성이 TiO_{X}N_{Y}$로 바뀌기 때운에 그 위에서 W의 핵성성이 어려워지고, 증착속도도 낮아진 것이다. RTP-TiN의 미세한 결정립구조는 W의 핵성성과 성장에 유리한 효과를 미치지만, 그것의 높은 압축응력이 W의 핵생성과 성장에 미치는 불리한 효과가 더 크기 때문에, RTP-TiN 기판상에 W를 증착할 경우가 sputtered TiN 기판상에 W를 증착할 경우보다 증착속도가 더 낮고, 잠복기도 더 긴 것으로 사료된다. When CVD-W films deposited on the reactively sputter-deposited TiN(${\circled1}$), the $NH_3$-RTP (rapid themal processed) TiN(${\circled2}$), and the furnace-annealed TiN submitate (${\circled3}$) by $SiH_4$, reduction, deposition rate is in the order of ${\circled1}>{\circled2}>{\circled3}$ and incubation period of W nucleation is in the order of ${\circled1}{\leq}{\circled2}<{\circled3}$. The longest incubation period of nucleation and lowest deposition rate for the CVD-W on the annealed TiN is due to the incorporation of oxygen from the nitrogen ambient containing some oxygen as contaminant into the TiN film. The higher W deposition rate and the lower incubation period of W nucleation on the RTP-TiN substrate in comparison with those on the sputtered TiN substrate seem to be due to a negative effect of the high compressive stress of the RTP-TiN on the nucleation and growth of W. Also the thickness uniformity of the W film deposited on the TiN substrate by $SiH_4$ reduction turns out to be better than that by $H_2$ reduction.
Realization of Human Interactive Control for Fish Aquarium Robotic
Eui Song Kim(김의송),Chan Bok Kim(김찬복),Teressa T(테레사),Amarnathvarma Angani(아마르나스와르마 앙가니),Kyoo Jae Shin(신규재) 대한전자공학회 2019 대한전자공학회 학술대회 Vol.2019 No.6
The proposed study is the continuation of the previous study that aims to control the robotic fish which had researched on bio-mimetic ornamental aquarium robotic. Recently, our research held on human interactive control based on hand gesture recognition. From the real time video, users are able to control the motion of the robotic fish by using two hands where the left hand deciding which fish will be controlled and the right hand deciding which motion of the robotic fish will be controlled. In the other case, user utilized one hand, which decides to select the tracking control algorithms such as color mark, stop zone and lead-lag tracking control algorithms. Hand gesture recognition consists of hand segmentation, and gesture recognition from the hand features. Our result shows that an interactive human control, which is in this study, is hand gesture, successfully control the motion of the robotic fish in an interactive manner.
Thermal Management System in Electric vehicle Battery Pack Using Phase Change Material
Him Chan Kim(김힘찬),Eui song Kim(김의송),Hyeon Jung Lee(이현중),Myeong JIn Seo(서명진),Teressa(테레사),Amarnathvarma Angani(아마르나스바르마 앙가니),Kyoo Jae Shin(신규재) 대한전자공학회 2019 대한전자공학회 학술대회 Vol.2019 No.6
Thermal Management in the Electric Vehicel is essential to improve the battery performance. This paper aims at the investigating the performance of Phase Change Material to prevent the thermal runway in the EVs. The better phase change materials are identified through simulation, based on heat transfer rate through the PCM. The design of the battery module was done in auto cad and the analysis done in ANSYS CFD software. The three pcms like paraffin wax, RT and Expanded Graphite were selected for the comparison. From the simulation result it was identified that the battery pack temperature maximum is not beyond the 60℃ (safe operating temperature range) in all test condition with the Expanded Graphite pcm material. The results were validated with numerical calculation and shown good agreement based on data collected at different temperatures.
권지연 ( Kwon Ji Yeon ),최대원 ( Choi Dae Won ),김의송 ( Kim Eui Song ),문재현 ( Moon Jae Hyun ) 한국정보처리학회 2019 한국정보처리학회 학술대회논문집 Vol.26 No.2
본 연구에서는 금융 분야에서 AI 기술을 이용하여 챗봇 기반의 예측 시스템을 구축하는데 목적이 있다. 사용자가 이해하기 쉽게 챗봇 기반으로 실시간 서비스를 제공하며 투자 경험이 없는 사용자를 타겟으로 투자 추천을 하는 것을 목표로 개발하였다. 챗봇 기반의 금융 어플리케이션에서는 종목 주가조회, 코스피 상위 조회, 예측결과 조회, ELS상품추천 등으로 크게 네 가지의 의도파악을 하며 자연어 처리와 단어 매칭 처리를 통해서 사용자에게 최적화된 정보를 제공한다. 정보의 질을 높이기 위해서 인공지능 학습은 10년 치의 데이터를 학습시켰으며 비슷한 패턴을 예측해서 제공한다. 상장기업의 주식과 은행에서 판매하는 ELS를 추천하고 있으며, 챗봇 서비스를 통해 사용자와 실시간적으로 소통할 수 있는 AI기반의 금융 시스템을 제공한다.
SiH4 환원에 의한 선택성 CVD-W 막 특성에 대한 WF6 가스유속의 효과
이종무,김의송,임영진 대한금속재료학회(대한금속학회) 1991 대한금속·재료학회지 Vol.29 No.9
Effects of WF_6 gas flow rate on the propeerties of selective CVD-W by SiH₄ reduction have been investigated. SEM microstructure for W film changes from a leaf-shaped large grain, via a starshaped small grain and a small oval grain to a fine grain with decreasing WF_6 flow rate. The thickness of WSi_x transition layer increases with increasing for SiH₄/WF_6=R$lt;0.9, but it decreases rapidly for with increases 0.9 $lt; R $lt; 1.1 These changes seem to be related to the phase transition from α-W to β-W. In addition deposition rate tends to decrease, and resistivity also tends to decrease with increasing WF_6 flow rate. The largest decrease in deposition rate and resistivity occurs for the WF_6 flow rate in the range of 9-11 sccm.