P2P 프록시 캐싱을 이용한 VOD 시스템의 성능 향상

최치규,이근정,최창열,최황규 강원대학교 정보통신연구소 2005 정보통신논문지 Vol.9 No.-

This paper proposes a new proxy caching scheme of VOD systems in P2P network environments. In our P2Proxy caching scheme, a proxy server is composed of a client group in which each client stores a part of stream receiving from a VOD server into its client buffer. Each streaming part of the clients is equal to a buffer size which is desired at request its hour. A single client receives the request stream from other clients as long as the parts of the stream are available in the client group. Otherwise, the missing parts of the stream which are not in the client group are directly received from the VOD server through another patching channel. In the experiments, we evaluate the performance of our proposed scheme and the result is compared with the existing P2P streaming systems.

RTA방법에 의한 Pd- 실리사이드의 쇼트키 장벽 높이에 관한 연구

崔致圭,李雲煥 제주대학교 1988 논문집 Vol.26 No.-

본 연구에서는 RTA방법에 의하여 Pd-Si계에서 우수한 Pd-Si가 형성됨을 확인하였으며 grain의 크기는 약150~200??으로 나타났다. AES스펙럼인 분석에 의하여 Ar 이온으로 sputtering하면서 얻은 Pd와 Si의 조성비는 41.5%와 58.5%로써 Pd- 실리사이드 상이 PdSi상에 거의 비슷함을 알 수 있었으며, 91eV에서 나타난 line shape는 미시구조를 나타내는 PdSi의 특성 피이크임을 보였다. 100~300K의 온도 영역에서 측정한 전류-전압특성곡선으로부터 SBH값은 0.32~0.75eV로 온도가 증가함에 따라 직선적으로 증하하였고 ideality factor n은 일반적인 값 1~2에 만족하였으며 고온영역에서는 거의 1에 근접함을 Tu 등이 실험한 값과 거의 일치됨을 보였다(Herman 1983, Tu, 1981) Si(111)면에서는 100~150K온도범위, Si(100)면에서는 100~200K 온도범위에서는 재결합 생성중심에 의한 전류흐름을 보여 열처리시 defect를 제거하는데 충분하지 못한다는 것을 알 수가 있었다. 다라서 RTA방법에 의한 실리사이드 형성시 실리콘 표면 영역에서 발생한는 defect를 제거하는 방법만 보완시키면 PdSi접촉을 이용하는 어떤 바이폴라 집적회로의 응용에도 가능하며 RTA는 장시간 열처리를 수반하는 전기로 열처리 방법보다 더 간편하고, 소자의 다른 특성을 변화시키지 않으므로 전이금속 실리사이드 형성에 우수한 장치로 평가된다. Formation of the palladium silicides was performed by the rapid thermal annealing using quartaz-halogen tungsten lamps. The Schottky-barrier heights of palladium silicides on both n-type(100)and(111)-oriented Si wafers have been measrued in the temperature range 100-300k with use of a current-voltoge thechnique. Silicide formation was monitored by glancing -angle X-ray diffraction and AES. The values of the barrier heights are 0.32-0.74eV for Si(111) and 0.34-0.75eV for Si(100) at temperaure in the range 100-300k. The barrier heights depend primarily on the metal deposited and not on the partivular silicide phase.

Au/CdTe Schottky Junction의 Barrier Height에 관한 연구

최치규,현동걸 濟州大學校 師範大學 科學敎育硏究所 1984 科學敎育 Vol.1 No.-

The effective barrier height Φ_(Bn) in a metal -semicondutor tunnel junction was obtained by the Bethe's thermionic emission theory. Au /CdTe Schottky juncticm was prepared on the slide glass coated with SnO_(2) by the C.V. D. methode, and the evarporation of CdTe was carried out in a vacunm of ~10^(-6) torr. Its current-voltage characteristics were investiga-ted in details at a room temperature. The barrier heights deduced from saturation current I_(SP) with I-V cha-racteristics was, Φ_(Bn) = 0.58eV, and ideality factor n = 1.7.

Divergences in the Theory of Cyclotron Resonance Lineshape

최상돈,고정대,최치규,홍성락,류재연 제주대학교 1990 논문집 Vol.31 No.-

불순물이나 포논과 상호작용하는 전자계에 대한 전기전도도템서와 사이클로트론 공명 선모양 함수를 도출하였다. 전기전도도텐서를 얻는 과정에서 Kubo공식을 이용하는데 타이론에서 무시한 보정항인 충돌항을 고려하고 이 항을 열적이완시간과 관련시켜 일반적인 형태를 얻었다. 섭동향을 계산하는데 Argyres와 Sigel의 사영연산자방법과 본 논문에서 정의한 사영연산자를 토대로 한 운동방정식방법을 다루었는데 이들은 서로 동일한 결과로 나타남을 알 수 있었다. 또한 최저차수에서 구한 선모양 함수를 타이론의 결과와 비교했고 고차항에서는 타이론에서 발산하는 것과는 달리 열적이완시간이 포함됨으로써 발산항이 존재하지 않음을 알 수 있다. A new theory of cyclotron resonance lineshape for the system of electrons in interaction with impurities of phonons is introduced. The collision term appearing in the Kubo formalism is dealt with in the relaxation tine approximation. The many body conductivity tensor is reduced to two different forms in the single particle formalism. But the two conductivity formulas give the same lineshape function, implying that the two techniques are identical. The thermal relaxation time included in the lineshape function is finite , resulting in the disappearance of any danger of divergence in some higher order terms usually excluded in the formula.

투명전도막 Cadmium Stannate의 특성에 관한 연구

최치규,김건호 濟州大學校 師範大學 科學敎育硏究所 1985 科學敎育 Vol.2 No.-

CTO(Cadmium Stannate Oxide) thin film were deposited onto borosilicate glass by chemical spray pyrolysis. The structure of the film had been identified as polycrystalline Cd_(2), SnO_(4), having(l30) (310) (321) (041) and (341) planes. The transmittanced of the films was more than 90% in visible range and the films reflect almost all of the infrared spectra beyond 2.8um . The refractive index of this film was 1.8 at 6,000Å and 2.2 at 5,l00Å. And the optical band gap were 2.85eV. Through annealing in Argon ambient the sheet resistance of the CTO films were lowed.

쇄골하 정맥 카테터 제거 후 발생한 일과성 피질맹

김지훈,이규환,한시령,최영빈,김영인 대한신경과학회 1999 대한신경과학회지 Vol.17 No.5

Se박막의 태양전지 제작에 관하여

최치규,현동걸 제주대학교 1986 논문집 Vol.23 No.-

A selenium thin film solar cell incorporates an ITO/CdSe/Se/Au structure and was fabricated bv vacuum evaporation. The CdSe layer was treated at 250℃ for 1 hour. and the crystalline form seem to be microcrystalline. Its resistivity was higher than 10^(7) Ω.cm. The cell characteristics were investigated by measuring I-V. C-V in the dark and under the illumination at 100mW/㎠. and the results obtained were η=6.8%. Voc=o. 22 volt. Isc=32x10^(-3)A. and F.F=O. 48 respectively. The structure of this cell is MIS type and the harrier heights deduced from saturation current Isc with I-V characteristics was 0.64eV.

Se薄膜의 太陽電池 製作에 關하여

崔致圭,玄東杰 濟州大學校 基礎科學硏究所 1988 基礎科學硏究 Vol.1 No.1

진공증착법에 의하여 ITO막과 Se막 사이에 Se의 균열을 보완하기 위하여 CdSe막을 0.025㎛ 두게로 증착하여 MIS-type ITO/Se 태양전지를 제작하였다. 열처리한 CdSe막의 비저항은 ??였고 결정이 microcrystalline됨을 보였다. cell의 I-V특성에서 Voc가 0.22V, Isc는 ??이고, fill factor는 0.48로 얻어졌으며 효율은 6.8%이다. 또한 MIS type인 ITO/CdSe/Se/Au cell구조에서 barrier height는 0.64eV로 얻어졌다. 따라서 Se막의 균열과 CdSe 막의 열처리에 따른 shunt저항, series저항증가에 따른 문제점이 해결된다면 실내에서 사용되는 계산기나 LSI game machine의 전원으로 이용할 수 있으리라 기대된다. A selenium thin film solar cell incorporates an ITO/CdSe/Se/Au structure and was fabricated by vacuum evaporation. The CdSe layer was treated at 250℃ for 1 hour, and the crystalline form seem to be microcrystalline. Its resistivity was higher than 10? Ω· cm. The cell characteristics were investigated by measuring I-V, C-V in the dark and under the illumination at 100mW/㎠, and the results obtained were η=6.8%, Voc=0.22 volt, ??, and F.F=0.48 respectively. The structure of this cell is MIS type and the barrier heights deduced from saturation current Isc with I-V characteristics was 0.64eV.

Semiclassical Analysis for O + Pb Elastic Scattering at E=216.6 and 312.6 Mev

최치규,현남규,김용주,홍성락 제주대학교 1992 논문집 Vol.34 No.-

실험실계에서의 입사핵?? 에너지가 216.6과 312.6 MeV이고 표적핵?? 인 탄성산란에 대한 실험데이타를 수정된 Glauber모델을 사용하여 분석하였다. 계산된 결과들은 실험데이타와 좋은 일치를 보여주었다. .

P2P 캐싱을 기반으로 한 효율적인 브로드캐스트 스트리밍 기법

이치훈,계이기,정인범,최창열,최황규 강원대학교 정보통신연구소 2006 정보통신논문지 Vol.10 No.-

Video-on-Demand is undoubtedly a promising technology for many important applications. Several periodic broadcast techniques have been proposed for the cost-effective implementation of such systems. However, there is a server delay for all of them. To address the shortcoming, we present a new scheme improving the staggered broadcasting by jointly using prefix caching scheme of VOD system in P2P environments. In thins paper, each client plays a role in the first segment staggered broadcasting server to serve the prefix stream to other clients that request the same video stream. The buffer can be empty after the client has served the following client. As a result, we are able to achieve no service latency time and the low buffer space.